NTD65N03R
功率MOSFET
25 V ， 65 A单N沟道， DPAK
特点
低R
DS （ ON）
超低栅极电荷
低反向恢复电荷
无铅包可用
V
（ BR ） DSS
25 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
典型值
6.5毫瓦@ 10 V
9.7毫瓦@ 4.5 V
N沟道
D
I
D
最大
65 A
应用
台式机CPU电源
DC-DC转换器
高，低压侧开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（R
QJC
）有限公司
通过模
连续漏极
电流（R
QJC
）有限公司
线控
功耗
(R
QJC
)
连续漏极
电流（注1 ）
功耗
（注1 ）
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
稳定
状态
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
25
"20
65
45
32
A
单位
V
V
A
G
S
4
4
1 2
3
1
1
2
3
CASE 369D
DPAK
（直引线）
方式2
2 3
4
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
dv / dt的
I
S
E
AS
50
11.4
8.9
1.88
9.5
7.4
1.3
130
-55
175
2.0
2.1
71.7
W
A
W
A
W
A
°C
V / ns的
mJ
CASE 369AA
DPAK
（弯曲铅）
方式2
CASE 369AC
3 IPAK
（直引线）
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
65
N03G
3
来源
1
门
2
漏
3
来源
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
出版订单号：
NTD65N03R/D
4
漏
YWW
65
N03G
1
门
2
漏
Y
WW
65N03
G
t
p
= 10
ms
工作结存储
温度
漏极 - 源极（ dv / dt的）
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V，I
L
= 12 A,
L = 1.0 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
A
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板
（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ） 。
2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板
（铜面积=平方英寸0.15 ） [ 1盎司]包括痕迹。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 第3版
NTD65N03R
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 稳态（注4 ）
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
价值
2.5
80
115
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复时间
封装寄生效应值
源极电感
排水电感
门电感
栅极电阻
3.
4.
5.
6.
L
S
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
2.49
0.02
3.46
1.75
W
nH
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 20 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 20 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.85
0.72
28.8
12.8
16
20
nC
ns
1.1
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V, V
DS
= 25 V,
I
D
= 30 A，R
G
= 3.0
W
6.3
18.6
20.3
8.8
ns
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 30 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
收费，电容和栅极电阻
1177
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 20 V
555
218
12.2
1.5
2.95
6.08
16
nC
1400
pF
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.0
1.74
4.8
6.5
9.7
27
8.4
14.6
姆欧
2.0
V
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 20 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
25
29.5
19.2
1.5
10
"100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 1盎司]包括痕迹） 。
表面安装在FR4电路板使用的最低建议焊盘尺寸（铜面积= 0.15平方[ 1盎司]包括痕迹） 。
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTD65N03R
订购信息
订单号
NTD65N03R
NTD65N03RG
NTD65N03RT4
NTD65N03RT4G
NTD65N03R1
NTD65N03R1G
NTD65N03R35
NTD65N03R35G
包
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK - 3直导线
DPAK - 3直导线
（无铅）
DPAK直铅修剪
(3.5
±
0.15 mm)
DPAK直铅修剪
(3.5
±
0.15 mm)
（无铅）
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
5
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