【NTD6416ANLN沟道功率MOSFET100 V， 19 A， 74毫瓦特点低RDS （ ON）】,IC型号NTD6416ANL-1G,NTD6416ANL-1G PDF资料,NTD6416ANL-1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NTD6416ANL

N沟道功率MOSFET

100 V， 19 A， 74毫瓦

特点

低R

DS （ ON）

高电流能力

100％的雪崩测试

这些无铅器件

V

（ BR ） DSS

价值

100

$20

19

13

P

D

I

DM

T

J

, T

英镑

I

S

E

AS

71

70

55

to

+175

19

50

W

A

°C

A

mJ

1 2

T

L

260

°C

3

G

单位

V

V

A

100 V

http://onsemi.com

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续

连续漏极

当前

功耗

漏电流脉冲

稳定

状态

稳定

状态

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

T

C

= 25°C

符号

V

DSS

V

GS

I

D

R

DS （ ON）

最大

74毫瓦@ 10 V

I

D

最大

19 A

D

t

p

= 10

ms

工作和存储温度范围

源电流（体二极管）

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（V

DD

= 50伏，V

GS

= 10 VDC ，我

L（ PK）

=

18.2 A，L = 0.3 mH的，R

G

= 25

W)

无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

S

4

4

1

热电阻额定值

参数

结至外壳（漏）

稳定状态

结到环境

稳态（注1 ）

符号

R

QJC

R

qJA

最大

2.1

47

单位

° C / W

DPAK

CASE 369AA

方式2

3

IPAK

CASE 369D

方式2

2

标记图

＆放大器;引脚分配

4漏

YWW

64

16ANLG

4漏

YWW

64

16ANLG

3

来源

1

门

2

漏

3

来源

出版订单号：

NTD6416ANL/D

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表面安装用1平方英寸焊盘尺寸FR4板，

（铜面积1.127平方[ 2盎司]包括痕迹）。

1

门

2

漏

6416ANL

Y

WW

G

=器件代码

=年

=工作周

= Pb-Free包装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

半导体元件工业有限责任公司， 2009年

2009年10月

第0版

1

NTD6416ANL

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

负阈值温度

系数

漏极 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 19 A

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

高原电压

栅极电阻

开关特性

（注3）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

正向二极管电压

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

t

RR

T

a

T

b

Q

RR

V

GS

= 0 V ，二

S

/ DT = 100 A / MS ，

I

S

= 19 A

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 10 V, V

DD

= 80 V,

I

D

= 19 A，R

G

= 6.1

W

7.0

16

35

40

0.9

0.72

50

38

14

112

nC

ns

1.2

V

ns

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

V

GP

R

G

V

GS

= 10 V, V

DS

= 80 V，I

D

= 19 A

V

GS

= 0 V ， F = 1.0兆赫，V

DS

= 25 V

V

DS

= 5 V，I

D

= 10 A

收费，电容和栅极电阻

700

110

50

25

0.7

2.4

9.6

3.2

2.4

V

W

40

nC

1000

pF

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

mA

1.0

5.4

70

62

68

18

80

74

74

S

2.2

V

毫伏/°C的

mW

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

I

DSS

I

GSS

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 100 V

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

100

120

1.0

100

"100

nA

V

毫伏/°C的

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

V

DS

= 0 V, V

GS

=

"20

V

漏源二极管特性

V

GS

= 0 V，I

S

= 19 A

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

3.开关特性是独立的工作结点温度。

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2

NTD6416ANL

40

T

J

= 25°C

I

D

，漏电流（ A）

30

10 V

I

D

，漏电流（ A）

4.5 V

3.6 V

20

3.2 V

10

3.0 V

2.8 V

0

V

GS

= 2.4 V

0

1

2

3

4

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

5

30

40

V

DS

w

10 V

20

T

J

= 125°C

10

T

J

= 25°C

T

J

=

55°C

0

0

1

2

3

4

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

5

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.11

0.1

0.09

0.08

0.07

0.06

I

D

= 19 A

T

J

= 25°C

0.080

T

J

= 25°C

0.075

0.070

0.065

0.060

0.055

0.050

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 10 V

2

4

6

8

10

2

6

10

I

D

，漏电流（ A）

14

18

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图3.对指定地区与栅极 - 源极

电压

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

3

V

GS

= 10 V

I

D

= 19 A

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

10000

图4.在区域与漏电流和

栅极 - 源极电压

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

2.5

2

1.5

1

T

J

= 125°C

100

0.5

50

25

0

25

50

75

100

125

150

175

10

10

20

30

40

50

60

70

80

90

10

图5.导通电阻变化与

温度

T

J

，结温辐射（ ° C）

图6. Drian - 源极漏电流

与电压

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

http://onsemi.com

3

NTD6416ANL

1400

C，电容（pF ）

1200

1000

800

600

400

200

0

C

RSS

0

10

20

30

40

C

OSS

50

60

70

80

90

C

国际空间站

T

J

= 25°C

V

GS

= 0 V

Q

T

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

10

8

6

4 Q

gs

2

0

V

GS

V

DS

Q

gd

V

DS

= 80 V

I

D

= 19 A

T

J

= 25°C

0

5

10

15

20

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

100

80

60

40

20

0

25

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.电容变化

1000

V

DS

= 80 V

I

D

= 19 A

V

GS

= 10 V

图8.栅极 - 源极电压和

漏极至源极电压与总充电

20

I

S

，源电流（ A）

T

J

= 25°C

V

GS

= 0 V

15

T， TIME （ NS ）

100

t

D（关闭）

t

f

t

r

10

10

t

D（上）

5

1

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0

0.5

0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.0

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

100

EAS ，单脉冲漏 -

源雪崩能量（兆焦耳）

50

图10.二极管的正向电压与

当前

I

D

= 18.2 A

40

30

20

10

0

25

I

D

，漏电流（ A）

10

10

ms

100

ms

1

1

ms

10

ms

dc

0.1

0.01

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

1

10

V

GS

= 10 V

单脉冲

T

C

= 25°C

100

1000

50

75

100

125

150

175

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图11.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图12.电阻开关时间变化

与栅极电阻

http://onsemi.com

4

NTD6416ANL

R（T ），有效瞬态热阻

（归一化）

1.0

D = 0.5

0.2

0.1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

t

1

P

（ PK）

R

QJC

（吨）= R（T ）R

QJC

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

R

QJC

(t)

t

2

占空比D = T

1

/t

2

1.0E-04

1.0E-03

1.0E-02

吨，时间（ ms）的

0.01

1.0E-05

1.0E-01

1.0E+00

1.0E+01

图13.热响应

订购信息

设备

NTD6416ANLT4G

NTD6416ANL1G

包

DPAK

（无铅）

IPAK

（无铅）

航运

2500 /磁带&卷轴

75单位/铁

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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5

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NTD6416ANL-1G

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10000

IPAK

原厂一级代理，原装现货

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联系人：陈泽强

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23000

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一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

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联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

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联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

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联系人：张女士

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