【NTD6415ANN沟道功率MOSFET100 V， 23 A， 55毫瓦特点低RDS （ ON）高】,IC型号NTD6415ANT4G,NTD6415ANT4G PDF资料,NTD6415ANT4G经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第390页 > NTD6415ANT4G

NTD6415AN

N沟道功率MOSFET

100 V， 23 A， 55毫瓦

特点

低R

DS （ ON）

高电流能力

100％的雪崩测试

这些器件是无铅和符合RoHS标准

V

（ BR ） DSS

价值

100

$20

23

16

P

D

I

DM

T

J

, T

英镑

I

S

E

AS

83

89

55

to

+175

23

79

W

A

°C

G

单位

V

V

A

100 V

http://onsemi.com

I

D

最大

（注1 ）

23 A

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续

连续漏极

当前

QJC

功耗

R

QJC

漏电流脉冲

稳定

状态

稳定

状态

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

T

C

= 25°C

符号

V

DSS

V

GS

I

D

R

DS （ ON）

最大

55毫瓦@ 10 V

N沟道

D

t

p

= 10

ms

工作和存储温度范围

源电流（体二极管）

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（V

DD

= 50伏，V

GS

= 10 VDC ，我

L（ PK）

=

23 A，L = 0.3 mH的，R

G

= 25

W)

无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

S

A

mJ

4

4

T

L

260

°C

热电阻额定值

参数

结至外壳（漏）稳态

结到环境（注1 ）

符号

R

QJC

R

qJA

最大

1.8

39

单位

° C / W

3

DPAK

CASE 369AA

方式2

1 2

1

3

IPAK

CASE 369D

方式2

2

YWW

64

15ANG

1

门

2

漏

3

来源

YWW

64

15ANG

1

门

2

漏

3

来源

出版订单号：

NTD6415AN/D

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表面安装用1平方英寸焊盘尺寸FR4板，

（铜面积1.127平方[ 2盎司]包括痕迹）。

标记图

＆放大器;引脚分配

4漏

4漏

6415AN

Y

WW

G

=器件代码

=年

=工作周

= Pb-Free包装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

半导体元件工业有限责任公司， 2009年

2009年11月

第0版

1

NTD6415AN

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注3）

栅极阈值电压

负阈值温度

系数

漏极 - 源极导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

高原电压

栅极电阻

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

正向二极管电压

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

t

RR

T

a

T

b

Q

RR

V

GS

= 0 V ，二

S

/ DT = 100 A / MS ，

I

S

= 23 A

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 10 V, V

DD

= 80 V,

I

D

= 23 A，R

G

= 6.1

W

10

37

30

37

0.83

0.68

65

46

19

176

nC

ns

1.2

V

ns

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

V

GP

R

G

V

GS

= 10 V, V

DS

= 80 V，I

D

= 23 A

V

GS

= 0 V ， F = 1.0兆赫，V

DS

= 25 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 23 A

V

GS

= 5 V，I

D

= 10 A

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

mA

2.0

7.6

47

13

700

110

52

29

1.2

5

14.6

5.7

2.3

V

W

nC

55

4.0

V

毫伏/°C的

mW

S

pF

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

I

DSS

I

GSS

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 100 V

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

100

113

1.0

100

"100

nA

V

毫伏/°C的

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

V

DS

= 0 V, V

GS

=

"20

V

收费，电容和栅极电阻

漏源二极管特性

V

GS

= 0 V，I

S

= 23 A

2.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 1盎司]包括痕迹）。

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

订购信息

设备

NTD6415ANT4G

NTD6415AN1G

包

DPAK

（无铅）

IPAK

（无铅）

航运

2500 /磁带&卷轴

75单位/铁

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

2

NTD6415AN

40

40

T

J

= 25°C

10 V

6.5 V

7.5 V

I

D

，漏电流（ A）

6.0 V

30

V

DS

w

10 V

I

D

，漏电流（ A）

30

20

5.5 V

20

T

J

= 125°C

10

T

J

= 25°C

T

J

=

55°C

10

5.0 V

4.5 V

0

0

1

2

3

4

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

5

0

2

3

4

5

6

7

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

8

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.11

0.10

0.09

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

5

6

7

8

9

I

D

= 23 A

T

J

= 25°C

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.14

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

0.0

8

图2.传输特性

V

GS

= 10 V

T

J

= 175°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

=

55°C

10

10

12

14

16

18

20

22

24

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

I

D

，漏电流（ A）

图3.在区域与栅极电压

图4.导通电阻与漏

电流和栅极电压

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

3

2.5

2

1.5

1

I

D

= 23 A

V

GS

= 10 V

10000

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

100

T

J

= 125°C

0.5

50

25

0

25

50

75

100

125

150

175

10

10

20

30

40

50

60

70

80

90 100

图5.导通电阻变化与

温度

T

J

，结温（ ° C）

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

http://onsemi.com

3

NTD6415AN

Q

T

V

DS

Q

ds

V

GS

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

1600

T

J

= 25°C

V

GS

= 0 V

C，电容（pF ）

1200

10

8

6

4

2

0

I

D

= 23 A

T

J

= 25°C

0

5

10

15

20

25

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

100

80

60

40

20

0

30

800

Q

gs

C

国际空间站

400

C

OSS

20

40

60

80

0

C

RSS

0

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.电容变化

1000

图8.栅极 - 源极电压和

漏极至源极电压与总充电

25

I

S

，源电流（ A）

20

15

10

5

0

0.4

T

J

= 25°C

V

GS

= 0 V

V

DS

= 80 V

I

D

= 23 A

V

GS

= 10 V

T， TIME （ NS ）

100

t

f

10

t

r

t

D（关闭）

t

D（上）

1

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0.5

0.6

0.7

0.8

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

0.9

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图10.二极管的正向电压与

当前

1000

雪崩能量（兆焦耳）

V

GS

= 10 V

单脉冲

T

C

= 25°C

10

ms

10

100

ms

1毫秒

1

10毫秒

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

10

dc

80

70

60

50

40

30

20

10

0

100

1000

25

50

75

100

125

I

D

= 23 A

I

D

，漏电流（ A）

100

0.1

1

150

175

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图12.最大雪崩能量对比

开始结温

T

J

，起动结温

http://onsemi.com

4

NTD6415AN

10

1

R（ T）（ ° C / W）

0.1

D = 0.01

0.02

0.01

0.05

0.2

0.5

单脉冲

0.01

0.001

0.000001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

T，脉冲时间（s ）

图13.热响应

http://onsemi.com

5

查看更多NTD6415ANT4GPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

NTD6415ANT4G

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

NTD6415ANT4G

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市百域芯科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：3004264855 复制

电话：075582788161

联系人：王小姐

地址：深圳市华强北世纪汇都会轩4507

NTD6415ANT4G

ONSEMI/安森美

24+

30000

支持送样，BOM配单

深圳信泰电子器材有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1248156793 复制

点击这里给我发消息

QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658

联系人：廖先生

地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★

NTD6415ANT4G

ON

24+

10

TO-252

100%原装正品，只做原装正品

深圳市春涛电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：996334048 复制

点击这里给我发消息

QQ：570120875 复制

电话：0755-82563615 82563213

联系人：王云

地址：深圳市华强北上步204栋五楼520室

NTD6415ANT4G

ON

2425+

11280

D-PAK

进口原装!优势现货!

深圳市源丰诚电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1965785011 复制

电话：0755-23919407

联系人：朱先生

地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518

NTD6415ANT4G

ON

17+

4550

进口全新原装现货

深圳市芯泽盛世科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985

联系人：李

地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822

NTD6415ANT4G

onsemi

24+

10000

DPAK

原厂一级代理，原装现货

深圳市创芯联盈电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

NTD6415ANT4G

ON/安森美

2443+

23000

TO-252

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881501652 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

NTD6415ANT4G

ON/安森美

24+

12300

TO-252

全新原装现货，原厂代理。

深圳市金嘉锐电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859

联系人：朱先生

地址：深圳福田区振兴路华康大厦211

NTD6415ANT4G

ON

2025+

26820

DPAK

【原装优势★★★绝对有货】

深圳市华斯顿电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1002316308 复制

点击这里给我发消息

QQ：515102657 复制

电话：0755-83777708/83777607/82799993

联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

NTD6415ANT4G

ON

25+23+

13500

绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒

深圳市金芯阳科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1316406779 复制

电话：075584505750

联系人：刘生

地址：龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301

NTD6415ANT4G

原厂

22+

18260

SMD

原装代理现货，价格最优

查询更多NTD6415ANT4G供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！