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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第207页 > NTD6415ANL
NTD6415ANL
N-
声道功率MOSFET
100 V， 23 A， 56毫欧，逻辑
水平
特点
低R
DS （ ON）
100％的雪崩测试
AEC-
-Q101合格
这些设备是有铅
- 免费，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
100 V
R
DS （ ON）
最大
56毫欧@ 4.5 V
52毫欧@ 10 V
D
I
D
最大
23 A
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极 - 到 - 源极电压
门 - 到 - 源极电压 - 连续
连续漏极
当前
功耗
漏电流脉冲
稳定
状态
稳定
状态
T
C
= 25C
T
C
= 100C
T
C
= 25C
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
100
±20
23
16
83
80
--55到
+175
23
79
W
A
C
A
mJ
单位
V
V
A
G
S
t
p
= 10
ms
工作和存储温度范围
源电流（体二极管）
单脉冲漏极 - 到 - 源雪崩
能源（V
DD
= 50伏，V
GS
= 10 VDC ，我
L（ PK）
=
23 A，L = 0.3 mH的，R
G
= 25
Ω)
无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
4
1 2
3
DPAK
CASE 369AA
方式2
T
L
260
C
热电阻额定值
参数
路口 - 至 - 案例（漏） - 稳态
路口 - 至 - 环境 - 稳态（注1 ）
符号
R
θJC
R
θJA
最大
1.8
39
单位
° C / W
标记图
＆放大器;引脚分配
4漏
YWW
6415AN
LG
1
门
2
漏
3
来源
6415ANL
Y
WW
G
=器件代码
=年
=工作周
=铅 - 免费套餐
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装用1平方英寸焊盘尺寸FR4板，
（铜面积1.127平方[ 2盎司]包括痕迹） 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年3月 - 修订版0
-
1
出版订单号：
NTD6415ANL/D
NTD6415ANL
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极 - 到 - 源极击穿电压
漏极 - 到 - 源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
门 - 到 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极 - 到 - 源极导 - 电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
门 - 到 - 源电荷
门 - 到 - 漏极电荷
总栅极电荷
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
T
a
T
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 23 A
T
J
= 25C
T
J
= 125C
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 80 V,
I
D
= 23 A，R
G
= 6.1
Ω
V
GS
= 10 V, V
DS
= 80 V，I
D
= 23 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 80 V，I
D
= 23 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0兆赫，V
DS
= 25 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 5.0 V，I
D
= 10 A
收费，电容和栅极电阻
1024
156
70
20
1.1
3.1
14
35
11
91
40
71
0.87
0.74
64
40
24
152
nC
ns
1.2
V
nC
ns
nC
pF
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.0
4.8
44
43
24
56
52
S
2.0
V
毫伏/°C的
mΩ
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 100 V
T
J
= 25C
T
J
= 125C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
毫安，
T
J
= --40C
100
92
115
1.0
100
100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
20
V
开关特性
（注3）
漏极
- 源二极管的特性
V
GS
= 0 V，I
S
= 23 A
2.脉冲测试：脉冲宽度
300
女士，
占空比
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
订购信息
设备
NTD6415ANLT4G
包
DPAK
（铅 - 免费）
航运
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
NTD6415ANL
45
40
I
D
，漏电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏 - 要 - 源极电压（ V）
5
V
GS
= 10 V
5V
4V
T
J
= 25C
I
D
，漏电流（ A）
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1
T
J
= 125C
T
J
= --55C
2
3
V
GS
， GATE - 要 - 源极电压（ V）
4
T
J
= 25C
V
DS
≥
10 V
图1.开 -
-region特点
R
DS （ ON）
，漏 - 要 - 源极电阻（ Ω ）
0.050
0.048
0.046
0.044
0.042
0.040
R
DS （ ON）
，漏 - 要 - 源极电阻（ Ω ）
0.050
0.048
0.046
0.044
0.042
0.040
5
图2.传输特性
I
D
= 23 A
T
J
= 25C
T
J
= 25C
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
15
I
D
，漏电流（ A）
20
25
图3.开 -
-region与栅极电压
R
DS （ ON）
极，漏极 - 要 - 源极电阻
（归一化）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
--50
I
D
= 23 A
V
GS
= 4.5 V
I
DSS
，漏电（ NA）
10000
V
GS
， GATE - 要 - 源极电压（ V）
图4.开 -
-Resistance与排水
电流和栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150C
1000
T
J
= 125C
--25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏 - 要 - 源极电压（ V）
图5.开 -
-Resistance与变化
温度
图6.漏极 - - 源漏电流
- 到 -
与电压
http://onsemi.com
3
NTD6415ANL
V
GS
， GATE - 要 - 源极电压（ V）
2500
2000
1500
1000
500
0
C
国际空间站
T
J
= 25C
V
GS
= 0 V
10
8
6
4
2
0
Q
ds
Q
T
C，电容（pF ）
Q
gs
V
DS
= 80 V
I
D
= 23 A
T
J
= 25C
C
RSS
C
OSS
30
40
50
60
70
80
90
0
10
20
100
0
5
10
15
20
25
30
35
V
DS
，漏 - 要 - 源极电压（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
1000
I
S
，源电流（ A）
V
DS
= 80 V
I
D
= 23 A
V
GS
= 4.5 V
T， TIME （ NS ）
100
t
f
10
t
r
25
20
15
10
5
图8.栅 - 源电压和
- 到 -
漏极 - 源电压与总充电
- 到 -
T
J
= 25C
V
GS
= 0 V
t
D（关闭）
t
D（上）
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ Ω ）
100
0
0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95
V
SD
， SOURCE - 要 - 漏极电压（ V）
125
100
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
I
D
= 23 A
雪崩能量（兆焦耳）
1000
I
D
，漏电流（ A）
10
ms
10
V
GS
= 10 V
单脉冲
T
C
= 25C
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
10
100
V
DS
，漏 - 要 - 源极电压（ V）
100
ms
1毫秒
10毫秒
dc
100
75
50
25
0
25
1
0.1
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量对比
开始结温
50
75
100
125
150
T
J
，起动结温
175
http://onsemi.com
4
NTD6415ANL
R
θJC （T ）
（ ° C / W）有效的瞬变
热阻
10
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T，脉冲时间（s ）
0.1
1
10
图13.热响应
http://onsemi.com
5
NTD6415ANL ， NVD6415ANL
N沟道功率MOSFET
100 V， 23 A， 56毫瓦，逻辑
水平
特点
低R
DS （ ON）
100％的雪崩测试
AEC- Q101标准
AEC Q101标准
NVD6415ANL
这些器件是无铅和符合RoHS标准
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
100 V
R
DS （ ON）
最大
56毫瓦@ 4.5 V
52毫瓦@ 10 V
D
I
D
最大
23 A
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
连续漏极
当前
功耗
漏电流脉冲
稳定
状态
稳定
状态
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
100
$20
23
16
83
80
55
to
+175
23
79
W
A
°C
A
mJ
单位
V
V
A
G
S
t
p
= 10
ms
工作和存储温度范围
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 50伏，V
GS
= 10 VDC ，我
L（ PK）
=
23 A，L = 0.3 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
4
1 2
3
DPAK
CASE 369AA
方式2
T
L
260
°C
热电阻额定值
参数
结至外壳（漏）
稳定状态
结到环境
稳态（注1 ）
符号
R
QJC
R
qJA
最大
1.8
39
单位
° C / W
标记图
＆放大器;引脚分配
4漏
YWW
6415AN-
LG
1
门
2
漏
3
来源
6415ANL
Y
WW
G
=器件代码
=年
=工作周
= Pb-Free包装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装用1平方英寸焊盘尺寸FR4板，
（铜面积1.127平方[ 2盎司]包括痕迹） 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年10月
第1版
1
出版订单号：
NTD6415ANL/D
NTD6415ANL ， NVD6415ANL
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
T
a
T
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 23 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 80 V,
I
D
= 23 A，R
G
= 6.1
W
V
GS
= 10 V, V
DS
= 80 V，I
D
= 23 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 80 V，I
D
= 23 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0兆赫，V
DS
= 25 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 5.0 V，I
D
= 10 A
收费，电容和栅极电阻
1024
156
70
20
1.1
3.1
14
35
11
91
40
71
0.87
0.74
64
40
24
152
nC
ns
1.2
V
nC
ns
nC
pF
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.0
4.8
44
43
24
56
52
S
2.0
V
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 100 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
毫安，
T
J
=
40°C
100
92
115
1.0
100
"100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
开关特性
（注3）
漏源二极管特性
V
GS
= 0 V，I
S
= 23 A
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
订购信息
设备
NTD6415ANLT4G
NVD6415ANLT4G
包
DPAK
（无铅）
DPAK
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
NTD6415ANL ， NVD6415ANL
45
40
I
D
，漏电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
= 10 V
5V
4V
T
J
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1
T
J
= 125°C
T
J
=
55°C
2
3
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
4
T
J
= 25°C
V
DS
w
10 V
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.050
0.048
0.046
0.044
0.042
0.040
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.050
0.048
0.046
0.044
0.042
0.040
5
图2.传输特性
I
D
= 23 A
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
15
I
D
，漏电流（ A）
20
25
图3.在区域与栅极电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
50
I
D
= 23 A
V
GS
= 4.5 V
I
DSS
，漏电（ NA）
10000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图4.导通电阻与漏
电流和栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1000
T
J
= 125°C
25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTD6415ANL ， NVD6415ANL
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
2500
2000
1500
1000
500
0
C
国际空间站
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
10
8
6
4
2
0
Q
ds
Q
T
C，电容（pF ）
Q
gs
V
DS
= 80 V
I
D
= 23 A
T
J
= 25°C
C
RSS
C
OSS
30
40
50
60
70
80
90
0
10
20
100
0
5
10
15
20
25
30
35
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
1000
I
S
，源电流（ A）
V
DS
= 80 V
I
D
= 23 A
V
GS
= 4.5 V
T， TIME （ NS ）
100
t
f
10
t
r
25
20
15
10
5
图8.栅极 - 源极电压和
漏极至源极电压与总充电
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
t
D（关闭）
t
D（上）
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
125
100
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
I
D
= 23 A
雪崩能量（兆焦耳）
1000
I
D
，漏电流（ A）
10
ms
10
V
GS
= 10 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
100
ms
1毫秒
10毫秒
dc
100
75
50
25
0
25
1
0.1
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量对比
开始结温
50
75
100
125
150
T
J
，起动结温
175
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4
NTD6415ANL ， NVD6415ANL
R
QJC （T ）
（ ° C / W）有效的瞬变
热阻
10
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T，脉冲时间（s ）
0.1
1
10
图13.热响应
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5
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