【NTD60N03功率MOSFET60安培， 28伏N沟道DPAK在专为低电压，高速开关应用电源，转换】,IC型号NTD60N03T4,NTD60N03T4 PDF资料,NTD60N03T4经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NTD60N03

功率MOSFET

60安培， 28伏

N沟道DPAK

在专为低电压，高速开关应用

电源，转换器和功率电机控制和桥

电路。

典型应用

http://onsemi.com

电源

转换器

电源电机控制

桥电路

60安培

28伏

R

DS （ ON）

= 6.1毫瓦（典型值）。

N沟道

D

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

漏电流 - 连续@ T

A

= 25°C

漏电流

- 单脉冲（T

p

= 10

女士）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

工作和存储

温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

J

= 25°C

(V

DD

= 28伏，V

GS

= 10 VDC ，

I

L

= 17 APK ， L = 5.0 mH的，R

G

= 25

W)

热阻

- 结到外壳

- 结到环境（注1 ）

- 结到环境（注2 ）

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

V

DSS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

, T

英镑

E

AS

价值

28

±20

60*

120

75

- 55

150

733

单位

VDC

VDC

ADC

瓦

°C

mJ

4

1 2

3

CASE 369A

DPAK

（弯曲铅）

方式2

S

4

G

12

3

° C / W

R

QJC

R

qJA

R

qJA

T

L

1.65

67

120

260

°C

CASE 369

DPAK

（直引线）

方式2

标记DIAGRAMS

＆放大器;引脚分配

4

漏

YWW

T

4228

1

门

2

漏

Y

WW

T

4228

3

来源

1

门

4

漏

YWW

T

4228

1.当表面安装用1 “垫尺寸为FR4板，

在（铜面积1.127

2

).

2.表面安装用最小的FR4板推荐

焊盘尺寸，（以铜面积0.412

2

).

*芯片电流能力受限包。

=年

=工作周

= MOSFET

=器件代码

2

漏

3

来源

订购信息

设备

NTD60N03

NTD60N03T4

NTD60N03-1

包

DPAK

DPAK

DPAK

直引线

航运

75单位/铁

2500磁带&卷轴

75单位/铁

半导体元件工业有限责任公司， 2003

1

2003年3月 - 修订版5

出版订单号：

NTD60N03/D

NTD60N03

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

(V

GS

= 0伏，我

D

= 250

MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

(V

GS

= 0伏，V

DS

= 28 V直流）

(V

GS

= 0伏，V

DS

= 28伏直流，T

J

= 150°C)

门体漏电流（Ⅴ

GS

=

±20

VDC ，V

DS

= 0伏）

基本特征

（注3）

栅极阈值电压（注3 ）

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

MADC ）

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 30 ADC）

(V

GS

= 4.5伏，我

D

= 30 ADC）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 10 ADC）

正向跨导（V

DS

= 15 VDC ，我

D

= 10 ADC）（注3 ）

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关F的延迟时间

下降时间

嘎式C一戈

栅极电荷

(V

DS

= 24伏直流，我

D

= 15 ADC ，

Vd

Ad

V

GS

= 4.5伏）（注3）

45

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

(I

S

= 2.3 ADC ，V

GS

= 0伏）（注3）

(I

S

= 30 ADC ，V

GS

= 0伏）

(I

S

= 2.3 ADC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 150°C)

反向恢复时间

E E SE生态E Y

e

(I

S

= 2.3 ADC ，V

GS

= 0伏，

2 3广告

Vd

dI

S

/ DT = 100 A / MS）（注3 ）

反向恢复电荷存储

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

V

SD

-

-

-

t

rr

t

a

t

b

Q

rr

-

-

-

-

0.75

1.2

0.65

39

21

18

0.043

1.0

-

-

-

-

-

-

mC

ns

s

VDC

(V

DD

= 15 VDC ，我

D

= 15 ADC ，

V

GS

= 10 VDC ，

VDC

R

G

= 3.3

W)

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

Q1

Q2

-

-

-

-

-

-

-

10

18

32

15

30

6.5

18.4

-

-

-

-

-

-

-

nC

ns

(V

DS

= 24伏，V

GS

= 0伏，

Vd

Vd

1.0

F = 1 0兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

-

-

-

2150

680

260

-

-

-

pF

V

GS （ TH）

1.0

-

R

DS （ ON）

-

-

-

g

FS

-

6.1

9.2

6.4

20

7.5

-

-

-

姆欧

1.9

-3.8

3.0

-

VDC

毫伏/°C的

mW

V

（ BR ） DSS

28

-

I

DSS

-

-

I

GSS

-

-

-

-

1.0

10

±100

NADC

30.6

25

-

-

VDC

毫伏/°C的

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

2

NTD60N03

50

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

10 V

8V

6V

5V

4.5 V

4V

60

V

DS

≥

10 V

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

50

40

30

20

T

J

= 125°C

10

T

J

= -55°C

0

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

4.5

5

2

3

4

5

6

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

， GATE -T O型源极电压（ V）

T

J

= 25°C

3.8 V

T

J

= 25°C

3.6 V

40

30

3.4 V

20

3.2 V

10

0

3V

V

GS

= 2.8 V

图1.区域特征

图2.传输特性

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0

0

2

4

6

8

10

V

GS

， GATE -T O型源极电压（ V）

I

D

= 10 A

T

J

= 25°C

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.015

T

J

= 25°C

0.01

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 10 V

0.005

0

5

10

15

20

25

30

I

D

，漏电流（ A）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（标准化）

图3.导通电阻与

门-T O型源极电压

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-50

1

-25

0

25

50

75

100

125

150

4

I

D

= 30 A

V

DS

= 10 V

I

DSS

，漏电（ NA）

100

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

1000

V

GS

= 0 V

T

J

= 125°C

T

J

= 100°C

10

8

12

16

20

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏

电流与电压

http://onsemi.com

3

NTD60N03

V

GS

， GATE -T O型源极电压（ V）

5000

4500

C，电容（pF ）

4000

3500

3000 C

RSS

2500

2000

1500

1000

500

0

15

10

V

DS

= 0 V V

GS

= 0 V

5

V

GS

0

V

DS

5

10

15

20

C

OSS

C

RSS

25

C

国际空间站

T

J

= 25°C

8

6

Q

T

4

Q

1

Q

2

V

GS

C

国际空间站

2

I

D

= 15 A

T

J

= 25°C

0

0

8

16

24

32

GATE -T O型源极或漏极至源极电压（ V）

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

图8.栅极至源极和

漏极至源极电压与总充电

1000

I

S

，源电流（安培）

V

DD

= 24 V

I

D

= 20 A

V

GS

= 10 V

T， TIME （ NS ）

100

t

f

10

t

D（关闭）

t

r

t

D（上）

5

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

4

3

2

1

0

1

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图10.二极管的正向电压与

当前

http://onsemi.com

4

NTD60N03

100

ID ，漏极电流（ AMPS ）

100

ms

的di / dt

V

GS

= 10 V

单脉冲

T

C

= 25°C

1毫秒

I

S

t

rr

t

a

10毫秒

dc

t

p

I

S

10

100

0.25 I

S

t

b

时间

10

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

1

0.1

1

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.二极管的反向恢复波形

1000

Rthja （t）的有效瞬态

热阻

占空比

100

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

安装在最小建议足迹

10

1

P

（ PK）

t

2

占空比D = T

1

/t

2

1E03

1E02

1E01

T，时间（秒）

1E+00

t

1

0.1

单脉冲

0.01

1E05

1E04

R

qJA

（吨）= R（T ）R

qJA

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

A

= P

（ PK）

R

qJA

(t)

1E+02

1E+03

1E+01

图13.热响应 - 各工作周期

http://onsemi.com

5

NTD60N03

超前信息

功率MOSFET

60安培， 28伏

N沟道DPAK

在专为低电压，高速开关应用

电源，转换器和功率电机控制和桥

电路。

典型应用

http://onsemi.com

电源

转换器

电源电机控制

桥电路

60安培

28伏

R

DS （ ON）

= 6.1毫欧（典型值）。

N沟道

D

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

漏电流 - 连续@ T

A

= 25°C

漏电流

- 单脉冲（T

p

= 10

s)

总功率耗散@ T

A

= 25°C

工作和存储

温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

J

= 25°C

(V

DD

= 28伏，V

GS

= 10 VDC ，

I

L

= 17 APK ， L = 5.0 mH的，R

G

= 25

)

热阻

- 结到外壳

- 结到环境（注1 ）

- 结到环境（注2 ）

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

V

DSS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

, T

英镑

E

AS

价值

28

±20

60*

120

75

-55

150

733

单位

VDC

VDC

ADC

瓦

°C

mJ

1 2

3

CASE 369A

DPAK

（弯曲铅）

方式2

12

4

G

S

4

3

CASE 369

DPAK

（直引线）

方式2

° C / W

R

θJC

R

θJA

R

θJA

T

L

1.65

67

120

260

°C

标记DIAGRAMS

＆放大器;引脚分配

4

漏

YWW

T

4228

1

门

2

漏

Y

WW

T

4228

3

来源

1

门

4

漏

YWW

T

4228

1.当表面安装用1 “垫尺寸为FR4板，

在（铜面积1.127

2

).

2.表面安装用最小的FR4板推荐

焊盘尺寸，（以铜面积0.412

2

).

*芯片电流能力受限包。

=年

=工作周

= MOSFET

=器件代码

2

漏

3

来源

订购信息

设备

NTD60N03

NTD60N03T4

本文件包含的新产品信息。规格及信息

本文如有更改，恕不另行通知。

包

DPAK

DPAK

DPAK

直引线

航运

75单位/铁

2500磁带&卷轴

75单位/铁

NTD60N03–1

半导体元件工业有限责任公司， 2001年

1

2001年11月 - 第3版

出版订单号：

NTD60N03/D

NTD60N03

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

(V

GS

= 0伏，我

D

= 250

μAdc ）

正温度系数

零栅极电压漏极电流

(V

GS

= 0伏，V

DS

= 28 V直流）

(V

GS

= 0伏，V

DS

= 28伏直流，T

J

= 150°C)

门体漏电流（Ⅴ

GS

=

±20

VDC ，V

DS

= 0伏）

基本特征

（注3）

栅极阈值电压（注3 ）

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μAdc ）

负阈值温度系数

静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 30 ADC）

(V

GS

= 4.5伏，我

D

= 30 ADC）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 10 ADC）

正向跨导（V

DS

= 15 VDC ，我

D

= 10 ADC）（注3 ）

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

嘎式C一戈

栅极电荷

(V

DS

= 24伏直流，我

D

= 15 ADC ，

Vd

Ad

V

GS

= 4.5伏）（注3）

45

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

(I

S

= 2.3 ADC ，V

GS

= 0伏）（注3）

(I

S

= 30 ADC ，V

GS

= 0伏）

(I

S

= 2.3 ADC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 150°C)

反向恢复时间

E E SE生态E Y

e

(I

S

= 2.3 ADC ，V

GS

= 0伏，

2 3广告

Vd

dI

S

/ DT = 100 A / μs）内（注3 ）

反向恢复电荷存储

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

V

SD

–

–

–

t

rr

t

a

t

b

Q

rr

–

–

–

–

0.75

1.2

0.65

39

21

18

0.043

1.0

–

–

–

–

–

–

C

ns

s

VDC

(V

DD

= 15 VDC ，我

D

= 15 ADC ，

V

GS

= 10 VDC ，

VDC

R

G

= 3.3

)

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

Q1

Q2

–

–

–

–

–

–

–

10

18

32

15

31

8.0

18

–

–

–

–

–

–

–

nC

ns

(V

DS

= 24伏，V

GS

= 0伏，

Vd

Vd

1.0

F = 1 0兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

–

–

–

2150

680

260

–

–

–

pF

V

GS （ TH）

1.0

–

R

DS （ ON）

–

–

–

g

FS

–

6.1

9.2

6.4

20

7.5

–

–

–

姆欧

1.9

–3.8

3.0

–

VDC

毫伏/°C的

m

V

（ BR ） DSS

28

–

I

DSS

–

–

I

GSS

–

–

–

–

1.0

10

±100

NADC

30.6

25

–

–

VDC

毫伏/°C的

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

2

NTD60N03

50

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

10 V

8V

6V

5V

4.5 V

4V

60

V

DS

≥

10 V

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

50

40

30

20

T

J

= 125°C

10

T

J

= –55°C

0

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

4.5

5

2

3

4

5

6

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

= 25°C

3.8 V

T

J

= 25°C

3.6 V

40

30

3.4 V

20

3.2 V

10

0

3V

V

GS

= 2.8 V

图1.区域特征

图2.传输特性

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ Ω ）

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0

0

2

4

6

8

10

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

I

D

= 10 A

T

J

= 25°C

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ Ω ）

0.015

T

J

= 25°C

0.01

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 10 V

0.005

0

5

10

15

20

25

30

I

D

，漏电流（ A）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（标准化）

图3.导通电阻与

栅极 - 源极电压

0.01

I

D

= 30 A

V

DS

= 10 V

I

DSS

，漏电（ NA）

100

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

1000

V

GS

= 0 V

T

J

= 125°C

0.0075

0.005

T

J

= 100°C

10

0.0025

0

–50

1

–25

0

25

50

75

100

125

150

4

8

12

16

20

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏极 - 源极漏

电流与电压

http://onsemi.com

3

NTD60N03

–V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

5000

4500

C，电容（pF ）

4000

3500

3000 C

RSS

2500

2000

1500

1000

500

0

–15

–10

–5

C

RSS

C

国际空间站

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

10

28

8

Q

T

V

GS

V

D

Q

1

Q

2

24

20

16

12

8

2

I

D

= 15 A

T

J

= 25°C

0

0

10

20

30

40

50

4

0

6

C

国际空间站

4

C

OSS

V

GS

0

V

DS

5

10

15

20

25

栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

1000

I

S

，源电流（安培）

V

DD

= 24 V

I

D

= 20 A

V

GS

= 10 V

T， TIME （ NS ）

100

t

f

10

t

D（关闭）

t

r

t

D（上）

5

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

4

3

2

1

0

1

1

10

R

G

，栅极电阻（ Ω ）

100

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图10.二极管的正向电压与

当前

http://onsemi.com

4

NTD60N03

100

ID ，漏极电流（ AMPS ）

100

ms

的di / dt

V

GS

= 10 V

单脉冲

T

C

= 25°C

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

1

10

1毫秒

I

S

t

rr

t

a

10毫秒

dc

t

p

I

S

100

0.25 I

S

t

b

时间

10

1

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.二极管的反向恢复波形

1000

Rthja （t）的有效瞬态

热阻

占空比

100

10

1

0.1

0.01

单脉冲

1E-05

1E-04

1E-03

1E-02

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

安装在最小建议足迹

P

（ PK）

t

2

占空比D = T

1

/t

2

1E-01

T，时间（秒）

1E+00

t

1

R

θJA

（吨）= R（T ）R

θJA

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

- T

A

= P

（ PK）

R

θJA

(t)

1E+02

1E+03

1E+01

图13.热响应 - 各工作周期

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