【NTD60N02R功率MOSFET特点62 A， 24 V ， N沟道， DPAK平面HD3e工艺的】,IC型号NTD60N02R-032G,NTD60N02R-032G PDF资料,NTD60N02R-032G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTD60N02R

功率MOSFET

特点

62 A， 24 V ， N沟道， DPAK

平面HD3e工艺的快速开关性能

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低C

国际空间站

以最小化驱动程序丢失

低栅电荷

优化的高边开关要求

高效率DC -DC转换器

无铅包可用

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

热阻

结到外壳

总功率耗散@ T

C

= 25°C

漏电流

连续@ T

C

= 25 ℃，芯片

连续@ T

C

= 25 ℃，包装有限公司

连续@ T

A

= 25 ℃，电线有限公司

热阻

结到环境（注1 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

A

= 25°C

热阻

结到环境（注2 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

A

= 25°C

工作和存储温度

单脉冲漏极 - 源极雪崩能量

- 起始物为

J

= 25°C

(V

DD

= 50伏，V

GS

= 10.0伏，

I

L

= 11 APK ， L = 1.0 mH的，R

G

= 25

W)

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

V

DSS

V

GS

R

QJC

P

D

I

D

I

D

I

D

R

qJA

P

D

I

D

R

qJA

P

D

I

D

T

J

和

T

英镑

E

AS

价值

24

±20

2.6

58

62

50

32

80

1.87

10.5

120

1.25

8.5

-55

175

60

单位

VDC

G

° C / W

W

A

4

C / W

W

A

° C / W

W

A

°C

mJ

1 2

3

1 2

3

4

S

4

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

24 V

R

DS （ ON）

典型值

8.4毫瓦@ 10 V

I

D

最大

62 A

N沟道

D

1

2

3

CASE 369C

CASE 369AA

CASE 369D

DPAK

（表面贴装）（表面贴装）（直引线）

方式2

标记图

＆放大器;引脚分配

4

漏

YWW

T60

N02R

4

漏

YWW

T60

N02R

1 2 3

门漏源

出版订单号：

NTD60N02R/D

T

L

260

°C

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.当表面安装在平漏极焊盘尺寸用0.5的FR4电路板。

2.表面安装用最小的FR4板推荐

焊盘尺寸。

2

1

3

漏

门

来源

Y

=年

WW

=工作周

60N02R =器件代码

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年12月 - 10牧师

NTD60N02R

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

(V

GS

= 0伏，我

D

= 250

MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 20伏，V

GS

= 0伏）

(V

DS

= 20伏，V

GS

= 0伏，T

J

= 150°C)

门体漏电流（Ⅴ

GS

=

±20

VDC ，V

DS

= 0伏）

基本特征

（注3）

栅极阈值电压（注3 ）

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

MADC ）

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）

(V

GS

= 4.5伏，我

D

= 15 ADC）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 20 ADC）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 31 ADC）

正向跨导（V

DS

= 10 VDC ，我

D

= 15 ADC）（注3 ）

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

(V

GS

= 4.5伏，我

D

= 31 ADC ，

V

DS

= 10 VDC ）（注3 ）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

(I

S

= 20 ADC ，V

GS

= 0伏）（注3）

(I

S

= 31 ADC ，V

GS

= 0伏）

(I

S

= 15 ADC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 125°C)

Ad

Vd

125 C)

(I

S

= 31 ADC ，V

GS

= 0伏，

dI

S

/ DT = 100 A / MS）（注3 ）

反向恢复电荷存储

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

V

SD

0.88

1.15

0 80

0.80

29.1

13.6

15.5

0.02

1.2

mC

VDC

(V

GS

= 10 VDC ，V

DD

= 10 VDC ，

I

D

= 31 ADC ，R

G

= 3.0

W)

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

Q

GS

Q

GD

7.0

33

19

9.0

9.5

2.2

5.0

nC

ns

(V

DS

= 20伏，V

GS

= 0伏，

F = 1.0兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

1000

480

180

1330

640

225

pF

V

GS （ TH）

1.0

R

DS （ ON）

g

FS

11.2

8.4

8.2

27

12.5

10.5

姆欧

1.5

4.1

2.0

VDC

毫伏/°C的

mW

V

（ BR ） DSS

24

I

DSS

I

GSS

1.5

10

±100

NADC

27.5

25.5

VDC

毫伏/°C的

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

t

rr

t

a

t

b

Q

rr

ns

http://onsemi.com

2

NTD60N02R

典型特征

140

120

100

80

60

40

20

0

2

V

GS

= 10 V

8.0 V

6.0 V

4.2 V

4.0 V

3.8 V

3.6 V

3.4 V

3.2 V

3.0 V

2.8 V

4

6

T

J

= 25°C

5.0 V

4.5 V

I

D

，漏电流（ A）

120

100

80

60

40

V

DS

w

10 V

I

D

，漏电流（ A）

T

J

= 175°C

20

0

T

J

= 25°C

T

J

= 55°C

0

2

4

6

8

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

2.6 V

2.4 V

8

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.05

I

D

= 62 A

T

J

= 25°C

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.05

图2.传输特性

T

J

= 25°C

0.04

0.03

0.02

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 10 V

0.01

0

2

4

6

8

10

0

20

40

60

80

100

120

140

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

I

D

，漏电流（ A）

图3.导通电阻与

栅极 - 源极电压

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

50

10

0

I

D

= 31 A

V

GS

= 10 V

I

DSS

，漏电（ NA）

10000

100000

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

V

GS

= 0 V

T

J

= 175°C

1000

100

T

J

= 100°C

25

0

25

50

75

100

125

150

175

6

12

18

24

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NTD60N02R

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

2000

C

国际空间站

C，电容（pF ）

1500

V

DS

= 0 V

1000

C

RSS

C

OSS

500

C

RSS

0

10

5

0

5

10

15

20

V

GS

= 0 V

C

国际空间站

T

J

= 25°C

5

Q

T

4

Q

GS

3

V

DS

2

8

Q

DS

V

GS

20

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

16

12

1

I

D

= 31 A

T

J

= 25°C

0

2

4

6

8

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

4

0

V

GS

V

DS

0

10

栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）

图7.电容变化

图8.栅极至源极和漏极 - 源

电压与总充电

1000

I

S

，源电流（ A）

V

DD

= 10 V

I

D

= 31 A

V

GS

= 10 V

100

T， TIME （ NS ）

t

r

t

f

t

D（上）

80

70

60

50

40

30

20

10

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

t

D（关闭）

10

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图10.二极管的正向电压与

当前

100

V

GS

= 20 V

单脉冲

10

ms

I

D

，漏电流（ A）

T

C

= 25°C

100

ms

10

1毫秒

10毫秒

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

1

10

dc

1

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图11.最大额定正向偏置安全工作区

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4

NTD60N02R

R（T ），有效瞬态热阻

（归一化）

1.0

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

t

1

t

2

占空比D = T

1

/t

2

0.001

0.01

T，时间（S ）

0.1

P

（ PK）

R

QJC

（吨）= R（T ）R

QJC

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

R

QJC

(t)

0.01

0.00001

0.0001

1

10

图12.热响应

订购信息

订单号

NTD60N02R

NTD60N02RG

NTD60N02RT4

NTD60N02RT4G

NTD60N02R001

NTD60N02R1G

NTD60N02R032

NTD60N02R032G

包

DPAK3

（无铅）

DPAK3

（无铅）

DPAK - 3直导线

（无铅）

DPAK - 3直导线

(3.2

±

0.5 mm)

DPAK - 3直导线

(3.2

±

0.5 mm)

（无铅）

航运

75单位/铁

2500 /磁带&卷轴

75单位/铁

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-

阳离子小册子， BRD8011 / D 。

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5

NTD60N02R

功率MOSFET

特点

62 A， 24 V ， N沟道， DPAK

平面HD3e工艺的快速开关性能

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低C

国际空间站

以最小化驱动程序丢失

低栅电荷

优化的高边开关要求

高效率DC -DC转换器

无铅包可用

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

热阻

结到外壳

总功率耗散@ T

C

= 25°C

漏电流

连续@ T

C

= 25 ℃，芯片

连续@ T

C

= 25 ℃，包装有限公司

连续@ T

A

= 25 ℃，电线有限公司

热阻

结到环境（注1 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

A

= 25°C

热阻

结到环境（注2 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

A

= 25°C

工作和存储温度

单脉冲漏极 - 源极雪崩能量

- 起始物为

J

= 25°C

(V

DD

= 50伏，V

GS

= 10.0伏，

I

L

= 11 APK ， L = 1.0 mH的，R

G

= 25

W)

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

V

DSS

V

GS

R

QJC

P

D

I

D

I

D

I

D

R

qJA

P

D

I

D

R

qJA

P

D

I

D

T

J

和

T

英镑

E

AS

价值

24

±20

2.6

58

62

50

32

80

1.87

10.5

120

1.25

8.5

-55

175

60

单位

VDC

G

° C / W

W

A

4

C / W

W

A

° C / W

W

A

°C

mJ

1 2

3

1 2

3

4

S

4

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

24 V

R

DS （ ON）

典型值

8.4毫瓦@ 10 V

I

D

最大

62 A

N沟道

D

1

2

3

CASE 369C

CASE 369AA

CASE 369D

DPAK

（表面贴装）（表面贴装）（直引线）

方式2

标记图

＆放大器;引脚分配

4

漏

YWW

T60

N02R

4

漏

YWW

T60

N02R

1 2 3

门漏源

出版订单号：

NTD60N02R/D

T

L

260

°C

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.当表面安装在平漏极焊盘尺寸用0.5的FR4电路板。

2.表面安装用最小的FR4板推荐

焊盘尺寸。

2

1

3

漏

门

来源

Y

=年

WW

=工作周

60N02R =器件代码

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年12月 - 10牧师

NTD60N02R

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

(V

GS

= 0伏，我

D

= 250

MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 20伏，V

GS

= 0伏）

(V

DS

= 20伏，V

GS

= 0伏，T

J

= 150°C)

门体漏电流（Ⅴ

GS

=

±20

VDC ，V

DS

= 0伏）

基本特征

（注3）

栅极阈值电压（注3 ）

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

MADC ）

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）

(V

GS

= 4.5伏，我

D

= 15 ADC）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 20 ADC）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 31 ADC）

正向跨导（V

DS

= 10 VDC ，我

D

= 15 ADC）（注3 ）

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

(V

GS

= 4.5伏，我

D

= 31 ADC ，

V

DS

= 10 VDC ）（注3 ）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

(I

S

= 20 ADC ，V

GS

= 0伏）（注3）

(I

S

= 31 ADC ，V

GS

= 0伏）

(I

S

= 15 ADC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 125°C)

Ad

Vd

125 C)

(I

S

= 31 ADC ，V

GS

= 0伏，

dI

S

/ DT = 100 A / MS）（注3 ）

反向恢复电荷存储

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

V

SD

0.88

1.15

0 80

0.80

29.1

13.6

15.5

0.02

1.2

mC

VDC

(V

GS

= 10 VDC ，V

DD

= 10 VDC ，

I

D

= 31 ADC ，R

G

= 3.0

W)

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

Q

GS

Q

GD

7.0

33

19

9.0

9.5

2.2

5.0

nC

ns

(V

DS

= 20伏，V

GS

= 0伏，

F = 1.0兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

1000

480

180

1330

640

225

pF

V

GS （ TH）

1.0

R

DS （ ON）

g

FS

11.2

8.4

8.2

27

12.5

10.5

姆欧

1.5

4.1

2.0

VDC

毫伏/°C的

mW

V

（ BR ） DSS

24

I

DSS

I

GSS

1.5

10

±100

NADC

27.5

25.5

VDC

毫伏/°C的

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

t

rr

t

a

t

b

Q

rr

ns

http://onsemi.com

2

NTD60N02R

典型特征

140

120

100

80

60

40

20

0

2

V

GS

= 10 V

8.0 V

6.0 V

4.2 V

4.0 V

3.8 V

3.6 V

3.4 V

3.2 V

3.0 V

2.8 V

4

6

T

J

= 25°C

5.0 V

4.5 V

I

D

，漏电流（ A）

120

100

80

60

40

V

DS

w

10 V

I

D

，漏电流（ A）

T

J

= 175°C

20

0

T

J

= 25°C

T

J

= 55°C

0

2

4

6

8

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

2.6 V

2.4 V

8

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.05

I

D

= 62 A

T

J

= 25°C

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.05

图2.传输特性

T

J

= 25°C

0.04

0.03

0.02

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 10 V

0.01

0

2

4

6

8

10

0

20

40

60

80

100

120

140

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

I

D

，漏电流（ A）

图3.导通电阻与

栅极 - 源极电压

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

50

10

0

I

D

= 31 A

V

GS

= 10 V

I

DSS

，漏电（ NA）

10000

100000

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

V

GS

= 0 V

T

J

= 175°C

1000

100

T

J

= 100°C

25

0

25

50

75

100

125

150

175

6

12

18

24

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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3

NTD60N02R

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

2000

C

国际空间站

C，电容（pF ）

1500

V

DS

= 0 V

1000

C

RSS

C

OSS

500

C

RSS

0

10

5

0

5

10

15

20

V

GS

= 0 V

C

国际空间站

T

J

= 25°C

5

Q

T

4

Q

GS

3

V

DS

2

8

Q

DS

V

GS

20

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

16

12

1

I

D

= 31 A

T

J

= 25°C

0

2

4

6

8

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

4

0

V

GS

V

DS

0

10

栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）

图7.电容变化

图8.栅极至源极和漏极 - 源

电压与总充电

1000

I

S

，源电流（ A）

V

DD

= 10 V

I

D

= 31 A

V

GS

= 10 V

100

T， TIME （ NS ）

t

r

t

f

t

D（上）

80

70

60

50

40

30

20

10

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

t

D（关闭）

10

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图10.二极管的正向电压与

当前

100

V

GS

= 20 V

单脉冲

10

ms

I

D

，漏电流（ A）

T

C

= 25°C

100

ms

10

1毫秒

10毫秒

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

1

10

dc

1

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图11.最大额定正向偏置安全工作区

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4

NTD60N02R

R（T ），有效瞬态热阻

（归一化）

1.0

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

t

1

t

2

占空比D = T

1

/t

2

0.001

0.01

T，时间（S ）

0.1

P

（ PK）

R

QJC

（吨）= R（T ）R

QJC

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

R

QJC

(t)

0.01

0.00001

0.0001

1

10

图12.热响应

订购信息

订单号

NTD60N02R

NTD60N02RG

NTD60N02RT4

NTD60N02RT4G

NTD60N02R001

NTD60N02R1G

NTD60N02R032

NTD60N02R032G

包

DPAK3

（无铅）

DPAK3

（无铅）

DPAK - 3直导线

（无铅）

DPAK - 3直导线

(3.2

±

0.5 mm)

DPAK - 3直导线

(3.2

±

0.5 mm)

（无铅）

航运

75单位/铁

2500 /磁带&卷轴

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