【NTD5867NLN沟道功率MOSFET60 V ， 20 A ， 39毫瓦特点低RDS （ ON）】,IC型号NTD5867NLT4G,NTD5867NLT4G PDF资料,NTD5867NLT4G经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NTD5867NL

N沟道功率MOSFET

60 V ， 20 A ， 39毫瓦

特点

低R

DS （ ON）

高电流能力

100％的雪崩测试

这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS

柔顺

参数

符号

V

DSS

V

GS

V

GS

T

C

= 25°C

稳定

状态

T

C

= 100°C

T

C

= 25°C

P

D

I

DM

T

J

, T

英镑

I

S

E

AS

I

D

价值

60

"20

"30

20

13

36

76

55

to

150

20

18

W

A

°C

单位

V

V

V

A

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

60 V

R

DS （ ON）

最大

39毫瓦@ 10 V

50毫瓦@ 4.5 V

I

D

最大

20 A

18 A

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续

栅极 - 源极电压

不重复（T

p

＆ LT ; 10

女士）

连续漏极

电流（R

QJC

)

功耗

(R

QJC

)

漏电流脉冲

D

G

S

N沟道MOSFET

4

4

t

p

= 10

ms

工作结温和存储温度

源电流（体二极管）

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（V

DD

= 50 V, V

GS

= 10 V ，R

G

= 25

W,

I

L（ PK）

= 19 A，L = 0.1 mH的，T

J

= 25°C)

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

A

mJ

1 2

3

1

T

L

260

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

DPAK

CASE 369AA

（表面贴装）

方式2

3

IPAK

CASE 369D

（直引线）

方式2

2

热阻最大额定值

参数

结至外壳（漏）

结到环境

稳态（注1 ）

符号

R

QJC

R

qJA

价值

3.5

45

单位

° C / W

标记DIAGRAMS

＆放大器;引脚分配

4

漏

YWW

58

67NLG

4

漏

YWW

58

67NLG

1 2 3

门漏源

出版订单号：

NTD5867NL/D

1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板

（铜面积=在平[ 2盎司]包括痕迹1.127 。

2

1 3漏

门源

Y

=年

WW

=工作周

5867NL =器件代码

G

= Pb-Free包装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

半导体元件工业有限责任公司， 2010

2010年3月

第0版

1

NTD5867NL

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

负阈值温度系数

漏极至源极导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

总栅极电荷

栅极电阻

开关特性

（注3）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

V

SD

t

RR

ta

tb

Q

RR

V

GS

= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，

I

S

= 20 A

V

GS

= 0 V,

I

S

= 10 A

T

J

= 25°C

T

J

= 100°C

0.87

0.78

17

13

4.0

12

nC

ns

1.2

V

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

= 10 V, V

DD

= 48 V,

I

D

= 20 A，R

G

= 2.5

W

6.5

12.6

18.2

2.4

ns

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

Q

G（ TOT ）

R

G

V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 48 V,

I

D

= 20 A

V

GS

= 10 V, V

DS

= 48 V,

I

D

= 20 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 10 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 10 A

V

DS

= 15 V，I

D

= 10 A

收费，电容和栅极电阻

675

V

GS

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

V

DS

= 25 V

68

47

15

1.0

2.2

4.3

7.6

1.3

nC

W

nC

pF

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

mA

1.5

1.8

5.2

26

33

8.0

39

50

S

2.5

V

毫伏/°C的

mW

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

I

DSS

I

GSS

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 100 V

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

60

60

1.0

100

±100

nA

V

毫伏/°C的

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±20

V

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

3.开关特性是独立的工作结点温度。

订购信息

订单号

NTD5867NL1G

NTD5867NLT4G

包

IPAK （直引线）

（无铅）

DPAK

（无铅）

航运

75单位/铁

2500 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

2

NTD5867NL

典型性能曲线

40

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

35

30

25

20

15

10

5

0

0

1

2

3

4

40

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

35

30

25

20

15

10

5

0

T

J

=

55°C

2

3

4

5

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

V

DS

≥

10 V

10V

4.5 V

T

J

= 25°C

4V

3.8 V

3.6 V

3.4 V

3.2 V

3.0 V

2.8 V

5

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.060

I

D

= 20 A

T

J

= 25°C

0.050

0.040

图2.传输特性

T

J

= 25°C

0.035

V

GS

= 4.5 V

0.040

0.030

V

GS

= 10 V

0.025

0.030

0.020

3

4

5

6

7

8

9

10

0.020

5

10

15

20

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

50

25

0

25

50

75

100

125

150

I

D

= 20 A

V

GS

= 10 V

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

10000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

100

T

J

= 125°C

10

10

20

30

40

50

60

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与漏极电压

http://onsemi.com

3

NTD5867NL

典型性能曲线

1000

900

C，电容（pF ）

800

700

600

500

400

300

200

100

0

0

C

RSS

10

20

30

40

50

60

漏 - 源电压（伏）

C

OSS

10

8

V

GS

6

4

2

0

0

Q

gs

Q

gd

VGS ，栅极至源极电压（伏）

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

C

国际空间站

Q

T

V

DS

= 48 V

I

D

= 20 A

T

J

= 25°C

5

10

15

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

图8.栅极至源极电压与

总负责人

20

IS ，源电流（安培）

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

15

1000

V

DD

= 48 V

I

D

= 20 A

V

GS

= 10 V

t

f

t

D（关闭）

t

r

T， TIME （ NS ）

100

10

10

t

D（上）

5

1

1

10

R

G

，栅极电阻（欧姆）

100

0

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

EAS ，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

100

I D ，漏极电流（ AMPS ）

10

ms

10

100

ms

1毫秒

1

V

GS

= 10 V

单脉冲

T

C

= 25°C

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

1

10

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

100

10毫秒

dc

20

图10.二极管的正向电压与电流

I

D

= 20 A

15

10

5

0.1

0

25

50

75

100

125

150

T

J

，结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

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4

NTD5867NL

典型性能曲线

R（T ），有效瞬态热阻

（归一化）

10

1.0

D = 0.5

0.2

P

（ PK）

0.1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.00001

0.01

0.000001

t

2

占空比D = T

1

/t

2

0.0001

吨，时间（ ms）的

0.001

t

1

R

QJC

（吨）= R（T ）R

QJC

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

R

QJC

(t)

0.01

0.1

图13.热响应

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5

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联系人：连

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24+

2000

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100%原装正品，只做原装正品

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9800

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只做原装正品假一赔十！正规渠道订货！

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10000

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███全新原装正品，支持实单

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联系人：朱小姐

地址：深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539

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9600

TO-252-2(DPAK)

原装正品热卖

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联系人：小邹

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原厂封装

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ON

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5000

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ON

22+

50000

TO-252-2

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0.1

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