NTD5804N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 5 V，I
D
= 10 A
正向跨导
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
ta
tb
Q
RR
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
V
GS
= 10 V, V
DD
= 32 V,
I
D
= 30 A，R
G
= 2.5
W
11.8
18.7
26.8
5.9
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 10 V, V
DS
= 32 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 25 V
2460
310
215
45
2.8
10
12.6
2850
400
280
nC
pF
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 40 V
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
40
45
41
1.0
100
±100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.5
7.3
5.7
7.9
12
3.5
V
毫伏/°C的
8.5
12
mW
S
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= 10 A
0.81
0.63
21.7
11.9
9.8
11.8
nC
ns
1.2
V
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
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2
NTD5804N
典型特征
100
90
I
D
，漏电流（ A）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3.5 V
3
0
2
4.0 V
10 V
T
J
= 25°C
4.5 V
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 7, 6, 5.8, 5.5, 5.2, 5 V
100
V
DS
≥
10 V
75
50
T
J
= 100°C
25
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
3
4
5
6
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.021
0.019
0.017
0.015
0.013
0.011
0.009
0.007
0.005
4
5
6
7
8
9
10
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.05
图2.传输特性
T
J
= 25°C
0.04
0.03
0.02
0.01
V
GS
= 10 V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
GS
= 5 V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（标准化）
图3.导通电阻与漏电流
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
50 25
I
D
= 69 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
10,000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
100
T
J
= 100°C
0
25
50
75
100
125
150
175
10
2
12
22
32
42
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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3
NTD5804N
典型特征
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
6000
5000
C，电容（pF ）
4000
3000
2000
1000
0
10
5
VGS
C
RSS
0
5
10
VDS
15
20
25
30
35
40
C
OSS
C
国际空间站
15
45
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
QT
V
DS
V
GS
5
Q
gs
Q
gd
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
0
15
30
10
30
15
0
0
45
栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
1000
I
S
，源电流（ A）
V
DD
= 32 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
100
t
D（关闭）
t
f
t
r
t
D（上）
10
30
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
20
10
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与电流
订购信息
订单号
NTD5804NG
NTD5804NT4G
包
DPAK （直引线）
（无铅）
DPAK
（无铅）
航运
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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