NTD5406N
功率MOSFET
特点
40 V ， 70 A单N沟道， DPAK
低R
DS （ ON）
高电流能力
低栅电荷
这些无铅器件
V
（ BR ） DSS
40 V
http://onsemi.com
I
D
最大
（注1 ）
70 A
应用
R
DS （ ON）
典型值
8.7毫欧@ 10 V
电子制动系统
电子助力转向
桥电路
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
R
QJC
（注1 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
稳定
状态
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
EAS
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
40
±20
70
40
100
150
55
to
175
63.5
450
W
单位
V
V
A
N沟道
D
G
S
4
A
t
p
= 10
ms
记号
图
1
YWW
54
06NG
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）脉冲
单脉冲漏到源雪崩
能源
(V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V，I
PK
= 30 A,
L = 1 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
°
C
A
mJ
1 2
3
DPAK
CASE 369C
方式2
Y
WW
5406N
G
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
=年
=工作周
=具体设备守则
=无铅器件
热电阻额定值
（注1 ）
参数
结至外壳（漏）
符号
R
θJC
最大
1.5
单位
° C / W
订购信息
设备
NTD5406NG
NTD5406NT4G
包
DPAK
（无铅）
DPAK
（无铅）
航运
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸
（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ） 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年5月
第2版
1
出版订单号：
NTD5406N/D
NTD5406N
包装尺寸
DPAK
CASE 369C -01
问题B
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
英寸
民
最大
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.045
0.180 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.102 0.114
0.090 BSC
0.180 0.215
0.025 0.040
0.020
0.035 0.050
0.155
MILLIMETERS
民
最大
5.97
6.22
6.35
6.73
2.19
2.38
0.69
0.88
0.46
0.58
0.94
1.14
4.58 BSC
0.87
1.01
0.46
0.58
2.60
2.89
2.29 BSC
4.57
5.45
0.63
1.01
0.51
0.89
1.27
3.93
T
B
V
R
4
座位
飞机
C
E
S
A
1
2
3
Z
U
K
F
L
D
G
2 PL
J
H
0.13 (0.005)
T
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
M
方式2 ：
PIN 1. GATE
2.漏
3.源
4.漏
焊接足迹*
6.20
0.244
3.0
0.118
2.58
0.101
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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