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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第158页 > NTD50N03R-35
NTD50N03R
功率MOSFET
25 V ， 45 A单N沟道， DPAK
特点
平面技术
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
无铅包可用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
25 V
R
DS （ ON）
典型值
12.5毫瓦@ 10 V
19毫瓦@ 4.5 V
N沟道
D
I
D
最大
45 A
应用
VCORE DC-DC降压转换器应用
优化的高边开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（R
qJA
)
（注1 ）
功耗
(R
qJA
） （注1 ）
连续漏极
电流（R
qJA
)
（注2 ）
功耗
(R
qJA
） （注2 ）
连续漏极
电流（R
QJC
)
（注1 ）
功耗
(R
QJC
） （注1 ）
漏电流脉冲
由电流限制
包
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C,
t
p
= 10
ms
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
, T
英镑
I
S
dv / dt的
E
AS
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
25
"20
9.2
7.2
2.1
7.8
6.0
1.5
45
35
50
180
45
-55
175
45
8.0
20
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
W
A
W
单位
V
V
A
G
S
4
4
4
A
1 2
2 3
3
CASE 369AA
CASE 369D
CASE 369AC
DPAK
DPAK
3 IPAK
（表面贴装） （直引线） （直引线）
方式2
方式2
2
3
1
1
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
T50
N03RG
3
来源
1
门
2
漏
3
来源
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
出版订单号：
NTD50N03R/D
4
漏
YWW
T50
N03RG
1
门
2
漏
Y
WW
T50N03R
G
工作结存储
温度
源电流（体二极管）
漏极 - 源极（ dv / dt的）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（T
J
= 25 ° C，V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 6.32 A
pk
中，L = 1.0毫亨，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装上使用1平方英寸垫， 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年3月 - 第4版
NTD50N03R
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 稳态（注4 ）
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
价值
3.0
71.4
100
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 20 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
25
16
1.5
10
"100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
1.0
1.7
5.0
2.0
V
毫伏/°C的
mW
V
GS
= 11.5 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 30 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
12
11.7
12.5
21
19
15
23
14
正向跨导
g
FS
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
S
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 12 V
610
300
125
6.0
0.9
1.9
3.7
15
1.0
1.9
3.9
nC
10
nC
750
pF
3.表面装上用1平方英寸垫， 1盎司铜FR4板。
4.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
5.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
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2
NTD50N03R
电气特性
（续） （T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.85
0.71
24
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
14
10.5
14
nC
ns
1.1
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A，R
G
= 3.0
W
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A，R
G
= 3.0
W
8.2
9.6
11.2
6.8
5.0
84
15
4.0
ns
ns
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感
排水电感
门电感
栅极电阻
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
G
R
G
TA = 25℃
2.49
0.02
3.46
3.75
W
nH
6.开关特性是独立的工作结点温度。
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3
NTD50N03R
100
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
10 V
100
8V
7V
6V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
5.5 V
5V
4.5 V
4V
40
3.5 V
V
GS
= 2.6 V
2.8 V
3V
V
DS
≥
10 V
80
T
J
= 55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
80
60
60
40
20
0
0
1
2
3
20
0
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.065
0.055
0.045
I
D
= 15 A
T
J
= 25°C
0.030
T
J
= 25°C
0.025
V
GS
= 4.5 V
0.020
0.015
0.010
0.005
0
10
V
GS
= 10 V
0.035
0.025
0.015
0.005
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
30
40
50
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50 25
100
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
10,000
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1000
T
J
= 125°C
0
5
10
15
20
25
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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4
NTD50N03R
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
1000
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
C，电容（pF ）
800
C
国际空间站
C
RSS
600
T
J
= 25°C
16
16
12
V
DS
8
Q
GS
4
Q
GD
Q
T
V
GS
12
C
国际空间站
8
400
C
OSS
200
0
10
5
V
GS
0 V
DS
5
10
15
20
栅极 - 源极或漏极至源极电压
（伏）
C
RSS
4
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
0
16
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
20
I
S
，源电流（安培）
100
V
DS
= 10 V
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
t
r
t
D（关闭）
10
t
D（上）
t
f
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
1000
I D ，漏极电流（ AMPS ）
单脉冲
V
GS
= 20 V
T
C
= 25°C
10
ms
100
100
ms
10
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1毫秒
10毫秒
dc
100
1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
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N74F455N
NRSS220M63V5x11F
NTE2984
NEA143
NLE-L1R0M258X11.5F
NE5512D
NRU474M20
NM93C06LZVMT8
NRWX221M25V10x12.5F
NAND512R4A0CN6E
NE851M33-A
NAND128W3A2AV6F
NJU7507XD
NJM2892F1-3333
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    -
    -
    -
    -
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