【NTD4970N功率MOSFET特点30 V ， 36 A单N沟道， DPAK / IPAK低RDS】,IC型号NTD4970N,NTD4970N PDF资料,NTD4970N经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTD4970N

功率MOSFET

特点

30 V ， 36 A单N沟道， DPAK / IPAK

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低电容，以最大限度地减少驱动器损耗

优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗

三种封装型式的设计灵活性

这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS

柔顺

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

30 V

R

DS （ ON）

最大

11毫瓦@ 10 V

21毫瓦@ 4.5 V

D

I

D

最大

36 A

应用

CPU电源交付

DC-DC转换器

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

当前

qJA

（注1 ）

功耗

R

qJA

（注1 ）

连续漏极

当前

qJA

（注2 ）

功耗

R

qJA

（注2 ）

连续漏极

当前

QJC

（注1 ）

功耗

R

QJC

（注1 ）

脉冲漏

当前

t

p

=10ms

稳定

状态

T

A

= 25°C

T

A

= 100°C

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

T

A

= 100°C

T

A

= 25°C

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

T

C

= 25°C

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

P

D

I

DM

I

Dmaxpkg

T

J

,

T

英镑

I

S

dv / dt的

EAS

P

D

I

D

P

D

I

D

符号

V

DSS

V

GS

I

D

价值

30

±20

11.6

8.2

2.55

8.5

6.0

1.38

36

25

24.6

130

38

55

to

+175

22

6.0

11

W

A

°C

A

mJ

YWW

49

70NG

V / ns的

4

漏

W

A

W

A

1 2

4

单位

V

A

G

S

N沟道MOSFET

4

3

1

CASE 369AA

DPAK

（本特铅）

方式2

3

CASE 369AC

CASE 369D

3 IPAK

IPAK

（直引线）（直引线

DPAK ）

2 3

1

2

通过封装电流限制

工作结存储

温度

源电流（体二极管）

漏极到源极的dV / dt

标记DIAGRAMS

＆放大器;引脚分配

4

漏

YWW

49

70NG

4

漏

YWW

49

70NG

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（T

J

= 25 ° C，V

DD

= 24 V, V

GS

= 10 V,

I

L

= 15 A

pk

中，L = 0.1毫亨，R

G

= 25

W)

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

T

L

260

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。

2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

2

1 2 3

1 3漏

门漏源

门源

1 2 3

门漏源

Y

WW

4970N

G

=年

=工作周

=器件代码

= Pb-Free包装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

半导体元件工业有限责任公司， 2011

2011年6月，

第0版

1

出版订单号：

NTD4970N/D

NTD4970N

热阻最大额定值

参数

结至外壳（漏）

结到标签（漏）

结 - 环境 - 稳态（注3 ）

结 - 环境 - 稳态（注4 ）

3.表面装上用1平方项垫， 1盎司铜FR4板。

4.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

符号

R

QJC

R

QJC -TAB

R

qJA

R

qJA

价值

6.1

4.3

58.9

108.9

单位

° C / W

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS

= 10 V

V

GS

= 4.5 V

正向跨导

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

Q

G（ TOT ）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 15 V,

I

D

= 15 A，R

G

= 3.0

W

V

GS

= 10 V, V

DS

= 15 V，I

D

= 30 A

V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 15 V，I

D

= 30 A

V

GS

= 0 V ， F = 1.0兆赫，V

DS

= 15 V

I

D

= 30 A

I

D

= 15 A

I

D

= 30 A

I

D

= 15 A

V

DS

= 1.5 V，I

D

= 30 A

收费，电容和栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

总栅极电荷

开关特性

（注6 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

10

27.6

12.5

5.7

ns

774

306

161

8.2

1.5

3.0

4.0

15.8

nC

pF

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 24 V

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

30

17

1.0

10

±100

V

毫伏/°C的

mA

nA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注5 ）

栅极阈值电压

负阈值温度

系数

漏极至源极导通电阻

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±20

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

mA

1.5

1.9

4.5

8.3

8.2

14.6

13.2

34

2.5

V

毫伏/°C的

11

mW

21

S

5.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

6.开关特性是独立的工作结点温度。

7.假设的110密耳端的长度。

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2

NTD4970N

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

（注6 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

V

SD

t

RR

t

a

t

b

Q

RR

L

S

L

D

L

D

L

G

R

G

T

A

= 25°C

V

GS

= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，

I

S

= 30 A

V

GS

= 0 V,

I

S

= 30 A

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

0.97

0.88

19.6

10.2

9.4

7.0

nC

ns

1.1

V

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

= 10 V, V

DS

= 15 V,

I

D

= 15 A，R

G

= 3.0

W

6.3

19.5

16.2

3.7

ns

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

封装寄生效应值

源极电感（注7 ）

排水电感， DPAK

排水电感， IPAK （注7 ）

门电感（注7 ）

栅极电阻

2.85

0.0164

1.88

4.9

0.8

2.2

nH

W

5.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

6.开关特性是独立的工作结点温度。

7.假设的110密耳端的长度。

订购信息

设备

NTD4970NT4G

NTD4970N1G

NTD4970N35G

包

DPAK

（无铅）

IPAK

（无铅）

IPAK修剪铅

（无铅）

航运

2500 /磁带&卷轴

75单位/铁

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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3

NTD4970N

典型性能曲线

50

40

T

J

= 25°C

30

3.3 V

20

3.0 V

10

2.7 V

0

1

2

3

4

5

0

1

3.6 V

50

V

DS

= 10 V

I

D

，漏电流（ A）

40

30

20

T

J

= 25°C

10

T

J

= 125°C

2

T

J

=

55°C

3

4

5

10 V通4.5 V

V

GS

= 3.9 V

I

D

，漏电流（ A）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（MW ）

19

18

17

16

15

14

13

12

11

10

9

8

7

3

4

5

6

7

8

9

10

I

D

= 30 A

T

J

= 25°C

R

DS （ ON）

，漏源电阻（MW ）

图2.传输特性

21

20 T

J

= 25°C

19

18

17

16

15

14

13

12

11

10

9

8

7

10

15

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 10 V

20

25

30

35

40

45

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

I

D

，漏电流（ A）

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

1.7 I

D

= 30 A

V

GS

= 10 V

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

50

25

0

25

50

75

100

125

150

175

10

1.8

10000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

T

J

= 150°C

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

T

J

= 125°C

100

T

J

= 85°C

V

GS

= 0 V

5

10

15

20

25

30

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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4

NTD4970N

典型性能曲线

1200

1100

1000

C，电容（pF ）

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0

5

10

C

RSS

15

20

25

30

C

OSS

C

国际空间站

T

J

= 25°C

V

GS

= 0 V

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3 4

5 6

7

8

Q

gs

Q

gd

I

D

= 30 A

T

J

= 25°C

V

DD

= 15 V

V

GS

= 10 A

9 10 11 12 13 14 15 16

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

Q

T

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.电容变化

图8.栅极至源极和漏极 - 源

电压与总充电

30

IS ，源电流（ A）

1000

V

DD

= 15 V

I

D

= 15 A

V

GS

= 10 V

T， TIME （ NS ）

100

t

f

t

D（关闭）

t

r

10

t

D（上）

V

GS

= 0 V

25

20

15

10

5

0

0.3

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

E

AS

，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

1000

I D ，漏电流（ A）

100

10

ms

10

1

0.1

0.01

0 V＆ LT ; V

GS

＆ LT ; 10 V

单脉冲

T

C

= 25°C

RDS （ ON）限制

热限制

套餐限制

0.1

1

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

100

ms

1毫秒

10毫秒

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

图10.二极管的正向电压与电流

I

D

= 15 A

dc

100

25

50

75

100

125

150

175

T

J

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

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