NTD4965N
功率MOSFET
30 V ， 68 A单N沟道， DPAK / IPAK
特点
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
三种封装型式的设计灵活性
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
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V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
4.7毫瓦@ 10 V
10毫瓦@ 4.5 V
D
I
D
最大
68 A
应用
CPU电源交付
DC-DC转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
动力
耗散
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
动力
耗散
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
QJC
（注1 ）
动力
耗散
QJC
（注1 ）
脉冲漏
当前
t
p
=10ms
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
,
T
英镑
I
S
dv / dt的
EAS
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
17.8
12.6
2.6
W
4
13.0
9.2
1.39
W
A
1 2
单位
V
V
A
G
S
N沟道MOSFET
4
4
3
1
68
48
38.5
A
CASE 369AA
DPAK
（本特铅）
方式2
3
CASE 369AC
CASE 369D
3 IPAK
IPAK
（直引线） （直引线
DPAK ）
2 3
1
2
W
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
49
65NG
4
漏
YWW
49
65NG
4
漏
YWW
49
65NG
248
76
55
to
+175
35
6.0
39
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
通过封装电流限制
工作结存储
温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（T
J
= 25 ° C，V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 28 A
pk
中，L = 0.1毫亨，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
2
1 2 3
1 3漏
门漏源
门源
1 2 3
门漏源
Y
WW
4965N
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年4月
第1版
1
出版订单号：
NTD4965N/D
NTD4965N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.86
0.74
28.3
13.3
15
16
nC
ns
1.1
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
8.3
21.5
24.4
7.8
ns
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感（注7 ）
排水电感， DPAK
排水电感， IPAK （注7 ）
门电感（注7 ）
栅极电阻
2.85
0.0164
1.88
4.9
1.0
2.2
nH
W
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
7.假设的110密耳端的长度。
订购信息
设备
NTD4965NT4G
NTD4965N1G
NTD4965N35G
包
DPAK
（无铅）
IPAK
（无铅）
IPAK修剪铅
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
75单位/铁
75单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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3
NTD4965N
典型性能曲线
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
5
C
OSS
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Q
gs
Q
gd
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
V
DD
= 15 V
V
GS
= 10 A
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
C
国际空间站
Q
T
C，电容（pF ）
C
RSS
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.电容变化
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
30
IS ，源电流（ A）
1000
V
DD
= 15 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
100
t
D（关闭）
10
t
f
t
D（上）
t
r
V
GS
= 0 V
25
20
15
10
5
0
0.4
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
E
AS
，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
1000
I D ，漏电流（ A）
100
10
ms
10
1
0.1
0.01
0.01
0 V＆ LT ; V
GS
＆ LT ; 10 V
单脉冲
T
C
= 25°C
RDS （ ON）限制
热限制
套餐限制
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
100
ms
1毫秒
10毫秒
40
36
32
28
24
20
16
12
8
4
0
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 28 A
dc
100
25
50
75
100
125
150
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
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5
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