NTD4959NH
功率MOSFET
30 V ， 58 A单N沟道， DPAK / IPAK
特点
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
这些无铅器件
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
9.0毫瓦@ 10 V
12.5毫瓦@ 4.5 V
D
I
D
最大
58 A
应用
CPU电源交付
DC-DC转换器
低端开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（R
qJA
） （注1 ）
功耗
(R
qJA
） （注1 ）
连续漏极
电流（R
qJA
） （注2 ）
功耗
(R
qJA
） （注2 ）
连续漏极
电流（R
QJC
)
（注1 ）
功耗
(R
QJC
） （注1 ）
漏电流脉冲
t
p
=10ms
通过封装电流限制
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
, T
英镑
I
S
dv / dt的
E
AS
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
"20
11.5
9.0
2.0
9.0
7.0
1.3
58
45
52
130
45
55
to
175
43
6.0
112.5
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
W
A
W
A
单位
V
V
A
G
S
N沟道
4
4
1 2
3
1
DPAK
CASE 369AA
（本特铅）
方式2
3
3 IPAK
IPAK
CASE 369AD
CASE 369D
（直引线） （直引线
DPAK ）
2
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
49
59NHG
4
漏
YWW
49
59NHG
4
漏
YWW
49
59NHG
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V,
L = 1.0 mH的，我
L（ PK）
= 15 A，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
2
1 2 3
排水3
1
门漏源
门源
1 2 3
门漏源
Y
=年
WW
=工作周
4959NH =器件代码
G
= Pb-Free包装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年5月
第0版
1
出版订单号：
NTD4959NH/D
NTD4959NH
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结到标签（漏）
结到环境
稳态（注1 ）
结到环境
稳态（注2 ）
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板， 1盎司铜。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
符号
R
QJC
R
QJC -TAB
R
qJA
R
qJA
价值
2.9
3.5
74
116
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 10
11.5 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
12.0
20
14
5.0
7.0
18
22
3.0
18
30
21
7.5
10.4
27
33
4.6
ns
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 12 V
1596
331
190
12.5
2.4
5.3
5.1
29.3
2155
447
294
15
3.6
7.9
7.7
44
nC
nC
pF
g
FS
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
30
25
1.0
10
"100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.5
2.1
5.7
7.0
7.0
10.45
9.95
9.0
2.5
V
毫伏/°C的
9.0
mW
12.5
S
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
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2
NTD4959NH
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
ta
tb
Q
RR
L
S
L
D
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.95
0.83
15.6
10.6
5.0
7.5
nC
ns
1.2
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复时间
封装寄生效应值
源极电感
排水电感， DPAK
排水电感， IPAK
门电感
栅极电阻
2.49
0.0164
1.88
3.46
0.75
nH
W
http://onsemi.com
3
QQ：2880707522 复制
