【NTD4913N功率MOSFET特点30 V ， 32 A单N沟道， DPAK / IPAK低RDS】,IC型号NTD4913NT4G,NTD4913NT4G PDF资料,NTD4913NT4G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTD4913N

功率MOSFET

特点

30 V ， 32 A单N沟道， DPAK / IPAK

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低电容，以最大限度地减少驱动器损耗

优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗

这些无铅器件

（ BR ） DSS

30 V

http://onsemi.com

DS （ ON）

最大

10.5毫瓦@ 10 V

15毫瓦@ 4.5 V

最大

32 A

应用

CPU电源交付

DC-DC转换器

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

当前

qJA

（注1 ）

功耗

qJA

（注1 ）

连续漏极

当前

qJA

（注2 ）

功耗

qJA

（注2 ）

连续漏极

当前

QJC

（注1 ）

功耗

QJC

（注1 ）

脉冲漏

当前

=10ms

稳定

状态

= 25°C

= 100°C

= 25°C

= 100°C

= 25°C

= 100°C

= 25°C

Dmaxpkg

英镑

dv / dt的

EAS

符号

DSS

价值

±20

10.5

7.4

2.5

7.7

5.4

1.36

132

+175

8.0

°C

V / ns的

单位

N沟道MOSFET

1 2

CASE 369AA

DPAK

（本特铅）

方式2

CASE 369AC

CASE 369D

3 IPAK

IPAK

（直引线）（直引线

DPAK ）

2 3

通过封装电流限制

工作结存储

温度

源电流（体二极管）

漏极到源极的dV / dt

标记DIAGRAMS

＆放大器;引脚分配

漏

YWW

13NG

漏

YWW

13NG

漏

YWW

13NG

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（T

= 25 ° C，V

= 50 V, V

= 10 V,

= 21 A

中，L = 0.1毫亨，R

= 25

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

260

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。

2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

1 2 3

1 3漏

门漏源

门源

1 2 3

门漏源

4913N

=年

=工作周

=器件代码

= Pb-Free包装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

半导体元件工业有限责任公司， 2009年

2009年6月

第0版

出版订单号：

NTD4913N/D

NTD4913N

热阻最大额定值

参数

结至外壳（漏）

结到标签（漏）

结 - 环境 - 稳态（注3 ）

结 - 环境 - 稳态（注4 ）

3.表面装上用1平方项垫， 1盎司铜FR4板。

4.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

符号

QJC

QJC -TAB

qJA

价值

6.2

4.3

110

° C / W

单位

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

= 10 V

= 4.5 V

正向跨导

收费和电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

总栅极电荷

开关特性

（注6 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

D（上）

D（关闭）

= 4.5 V, V

= 15 V,

= 15 A，R

= 3.0

14.7

2.3

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

G（ TH ）

G（ TOT ）

= 10 V, V

= 15 V;

= 30 A

= 4.5 V, V

= 15 V ;我

= 30 A

= 0 V ， F = 1.0兆赫，V

= 15 V

1013

370

12.5

6.2

1.7

3.7

0.9

= 30 A

= 15 A

= 30 A

= 15 A

= 1.5 V，I

= 30 A

= 0 V,

= 24 V

= 25

°C

= 125°C

= 0 V，I

= 250

±100

毫伏/°C的

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注5 ）

栅极阈值电压

负阈值温度

系数

漏极至源极导通电阻

= 0 V, V

±20

= V

, I

= 250

1.0

1.67

4.0

8.2

12.5

2.2

毫伏/°C的

10.5

5.脉冲测试：脉冲宽度

300

女士，

占空比

2%.

6.开关特性是独立的工作结点温度。

7.假设的110密耳端的长度。

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NTD4913N

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

（注6 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

= 25°C

= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，

= 30 A

= 0 V,

= 30 A

= 25°C

= 125°C

0.92

0.70

1.1

D（上）

D（关闭）

= 10 V, V

= 15 V,

= 15 A，R

= 3.0

7.1

1.7

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

封装寄生效应值

源极电感（注7 ）

排水电感， DPAK

排水电感， IPAK （注7 ）

门电感（注7 ）

栅极电阻

2.99

0.0164

1.88

4.9

1.0

2.0

5.脉冲测试：脉冲宽度

300

女士，

占空比

2%.

6.开关特性是独立的工作结点温度。

7.假设的110密耳端的长度。

订购信息

设备

NTD4913NT4G

NTD4913N1G

NTD4913N35G

包

DPAK

（无铅）

DPAK3

（无铅）

IPAK修剪铅

(3.5

＆ QUOT ;

0.15 mm)

（无铅）

航运

2500 /磁带&卷轴

75单位/铁

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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NTD4913N

典型特征

，漏电流（ A）

10 V

4.0 V

，漏电流（ A）

= 3.8 V

3.6 V

= 25°C

3.4 V

3.2 V

3.0 V

2.8 V

2.6 V

2.4 V

，漏极至源极电压（ V）

= 25°C

= 125°C

55°C

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

，栅 - 源极电压（ V）

= 10 V

5.0

4.5

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.026

0.024

0.022

0.020

0.018

0.016

0.014

0.012

0.010

0.008

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

= 30 A

= 25°C

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.015

0.014

0.013

0.012

0.011

0.010

0.009

0.008

0.007

0.006

0.005

0.004

图2.传输特性

= 25°C

= 4.5 V

= 10 V

(V)

，漏电流（ A）

图3.导通电阻与V

2.2

DS （ ON）

，漏 - 源

电阻（标准化）

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

50 25

100

125

150

175

= 30 A

= 10 V

DSS

，漏电（ NA）

1000

10,000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

= 0 V

= 150°C

= 125°C

100

= 85°C

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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NTD4913N

典型特征

1400

C，电容（pF ）

1200

1000

800

600

400

200

RSS

，漏极至源极电压（ V）

OSS

国际空间站

= 0 V

= 25°C

，栅 - 源极电压（ V）

15.0

13.5

12.0

10.5

9.0

7.5

6.0

4.5

3.0

1.5

QGS

QGD

= 15 V

= 10 V

= 30 A

9 10 11 12 13 14 15

= 25°C

QG ，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

1000

，源电流（ A）

= 15 V

= 15 A

= 10 V

T， TIME （ NS ）

100

D（关闭）

D（上）

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

= 0 V

= 125°C

= 25°C

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

，源极到漏极电压（V ）

，栅极电阻（ W）

100

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

，单脉冲漏 -

源雪崩能量（兆焦耳）

1000

图10.二极管的正向电压与电流

= 21 A

，漏电流（ A）

100

= 10 V

单脉冲

= 25°C

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

100

1毫秒

10毫秒

0.1

100

125

150

175

，漏极至源极电压（ V）

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

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