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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第46页 > NTD4810NH-1G
NTD4810NH
功率MOSFET
30 V ， 54 A单N沟道， DPAK / IPAK
特点
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
低R
G
这些无铅器件
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
10毫瓦@ 10 V
16.7毫瓦@ 4.5 V
D
I
D
最大
54 A
应用
CPU电源交付
DC-DC转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（R
qJA
） （注1 ）
功耗
(R
qJA
） （注1 ）
连续漏极
电流（R
qJA
） （注2 ）
功耗
(R
qJA
） （注2 ）
连续漏极
电流（R
QJC
)
（注1 ）
功耗
(R
QJC
） （注1 ）
漏电流脉冲
t
p
=10ms
通过封装电流限制
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
, T
英镑
I
S
dv / dt的
E
AS
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
"20
10.8
8.4
2.0
8.6
6.7
1.28
54
42
50
120
45
-55
175
41
6.0
66
W
A
A
YWW
48
10NHG
°C
A
V / ns的
mJ
4
漏
W
A
W
1 2
A
3
DPAK
CASE 369C
（本特铅）
方式2
单位
V
V
A
4
G
N沟道
S
4
4
1
2 3
1
3
3 IPAK
IPAK
CASE 369AC
CASE 369D
（直引线） （直引线
DPAK ）
2
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
48
10NHG
4
漏
YWW
48
10NHG
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V,
L = 0.3 mH的，我
L（ PK）
= 21 A，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
2
1 2 3
1 3漏
门漏源
门源
1 2 3
门漏源
Y
WW
4810NH
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年12月 - 修订版0
出版订单号：
NTD4810NH/D
NTD4810NH
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结到标签（漏）
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板， 1盎司铜。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
符号
R
QJC
R
QJC -TAB
R
qJA
R
qJA
价值
3.0
3.5
75
117
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
30
27
1.0
10
"100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.5
5.2
2.5
V
毫伏/°C的
V
GS
= 10
11.5 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
8.0
7.8
14.1
13.2
9.0
10
mW
16.7
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
政府飞行服务队
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 12 V
1225
280
145
8.9
2.5
3.6
3.9
22.5
12
pF
nC
nC
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
10.6
19.2
11.7
3.6
6.2
18
18.5
2.2
ns
ns
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTD4810NH
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.88
0.79
13.4
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
9.1
4.3
6.7
nC
ns
1.2
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复时间
封装寄生效应值
源极电感
排水电感， DPAK
排水电感， IPAK
门电感
栅极电阻
t
RR
ta
tb
Q
RR
L
S
L
D
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
2.49
0.0164
1.88
3.46
0.75
nH
W
http://onsemi.com
3
NTD4810NH
典型性能曲线
60
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
50
5V
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
4V
3.8 V
10 V
8V
6V
T
J
= 25°C
4.5 V
4.2 V
60
50
40
30
T
J
= 125°C
20
T
J
= 25°C
10
0
6
1
2
3
T
J
= 55°C
4
5
70
V
DS
≥
10 V
3.5 V
3.2 V
3V
5.5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.025
0.023
0.021
0.019
0.017
0.015
0.013
0.011
0.009
0.007
4
5
6
7
8
9
10
11
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
0.025
T
J
= 25°C
0.020
V
GS
= 4.5 V
0.015
0.010
V
GS
= 11.5 V
0.005
0
15
20
25
30
35
40
45
50
55
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
2.0
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1.5
10,000
100,000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1000
1.0
0.5
100
T
J
= 125°C
0
50 25
10
0
25
50
75
100
125
150
175
4
8
12
16
20
24
28
32
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与漏极电压
http://onsemi.com
4
NTD4810NH
典型性能曲线
VDS ，漏极至源极电压（伏）
VGS ，栅极至源极电压（伏）
2000
1750
C，电容（pF ）
1500
1250
1000
750
500
250
0
15
C
RSS
10
5
0
5
V
GS
V
DS
10
15
20
25
30
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
C
国际空间站
15
T
J
= 25°C
Q
T
V
DS
V
GS
20
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
12
16
9
12
6
Q
1
3
0
0
Q
2
8
4
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
22
24
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
1000
IS ，源电流（安培）
V
DD
= 15 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 11.5 V
T， TIME （ NS ）
100
t
r
t
D（关闭）
10
t
D（上）
t
f
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
30
25
20
15
10
5
0
0.4
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
EAS ，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
1000
I D ，漏极电流（ AMPS ）
70
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 21 A
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
175
100
10
ms
100
ms
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
100
1毫秒
10毫秒
dc
10
1
0.1
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
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NNL10-9
NZ48F000QBZ
NJU4066BD
NRN7C104JTG
NTE1579
NTE2406
NMV4815D
NJU7231F26
NCHC6JA3
NJU7231U25
NM232DD
NRF9E5IC
NSS40500UW3T2G_07
NTE263
NSVS680
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供货商
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