NTD4808N
功率MOSFET
特点
30 V ， 63 A单N-
声道， DPAK / IPAK
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
这些都是有铅
- 免费设备
V
（ BR ） DSS
30 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
最大
8.0毫欧@ 10 V
12.4毫欧@ 4.5 V
D
63 A
I
D
最大
应用
CPU电源交付
直流 - 直流转换器
低端开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极 - 到 - 源极电压
门 - 到 - 源极电压
连续漏极
当前
θJA
（注1 ）
功耗
R
θJA
（注1 ）
连续漏极
当前
θJA
（注2 ）
功耗
R
θJA
（注2 ）
连续漏极
当前
θJC
（注1 ）
功耗
R
θJC
（注1 ）
脉冲漏
当前
t
p
=10ms
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
,
T
英镑
I
S
dv / dt的
EAS
P
D
I
D
P
D
ID
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
12
9.5
2.0
9.8
7.5
1.3
63
49
54.6
126
45
--55到
+175
45
6
144.5
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
W
A
W
A
单位
V
V
A
G
S
N-
声道MOSFET
4
4
1 2
4
3
DPAK
3 IPAK
IPAK
CASE 369AA （ STRAIGHT LEAD ）的情况下369D
方式2
CASE 369AC
方式2
3
1
2 3
1
2
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
48
08NG
4
漏
YWW
48
08NG
4
漏
YWW
48
08NG
通过封装电流限制
工作结存储
温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲漏极 - 到 - 源雪崩
能源（V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 17 A
pk
中，L = 1.0毫亨，R
G
= 25
Ω)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
2
1 2 3
1 3漏
门漏源
门源
1 2 3
门漏源
Y
WW
4808N
G
=年
=工作周
=器件代码
=铅 - 免费套餐
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年6月 - 修订版5
-
1
出版订单号：
NTD4808N/D
NTD4808N
热阻最大额定值
参数
路口 - 至 - 案例（漏）
路口 - 至 - TAB （漏）
路口 - 至 - 环境 - 稳态（注1 ）
路口 - 至 - 环境 - 稳态（注2 ）
1.表面 - 安装使用1平方米FR4板 - 中板， 1盎司铜。
2.表面 - 安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
符号
R
θJC
R
θJC - TAB
R
θJA
R
θJA
价值
2.75
3.5
73.5
116
° C / W
单位
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极 - 到 - 源极击穿电压
漏极 - 到 - 源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 11.5 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
门 - 到 - 源电荷
门 - 到 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
（注4 ）
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A,
R
G
= 3.0
Ω
12.3
21.3
14.6
6.0
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V;
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V ;我
D
= 30 A
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 12 V
1538
334
180
11.3
1.6
4.9
4.9
26
nC
13
nC
pF
g
FS
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25
°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
30
27
1
10
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门 - 到 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极 - 到 - 源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.5
5.6
6.7
6.6
10.3
9.8
11.4
2.5
V
毫伏/°C的
8.0
mΩ
12.4
S
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTD4808N
典型性能曲线
2000
5
4
3
2
1
0
0
V
DD
= 15 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
11 12
Q
1
VGS ，门 - TO - 源极电压（伏）
T
J
= 25°C
C
国际空间站
Q
T
Q
2
C，电容（pF ）
1500
1000
500
C
OSS
C
RSS
0
5
10
15
20
25
0
GATE - 要 - 源极或漏极 - 要 - 源极电压（伏）
图7.电容变化
100
IS ，源电流（安培）
30
图8.栅极 - 源极和漏极 - - 来源
- 到 -
- 到 -
电压与总充电
V
GS
= 0 V
25
20
15
10
5
0
0.5
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
t
r
t
D（关闭）
10
t
D（上）
t
f
V
DD
= 15 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 11.5 V
100
1
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
SD
， SOURCE - 要 - 漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
EAS ，单脉冲Drain - 要 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
1000
I D ，漏极电流（ AMPS ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
50
图10.二极管的正向电压与电流
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
10
ms
I
D
= 17 A
100
100
ms
10
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1毫秒
10毫秒
dc
100
1
10
1
V
DS
，漏 - 要 - 源极电压（伏）
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
175
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
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5
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