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NTD40N03R
功率MOSFET
45安培, 25伏
N沟道DPAK
特点
平面HD3e工艺的快速开关性能
低R
DS ( ON)
为最大限度地减少传导损耗
低C
国际空间站
以最小化驱动程序丢失
低栅电荷
优化的高边开关要求
高效率DC -DC转换器
无铅包可用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热电阻 - 结到外壳
总功率耗散@ T
C
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
C
= 25 ℃,芯片
- 连续@ T
A
= 25 ℃,电线有限公司
- 单脉冲( TP
10
女士)
热电阻 - 结到环境
(注1 )
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
热电阻 - 结到环境
(注2 )
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
QJC
P
D
I
D
I
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
T
J
, T
英镑
T
L
价值
25
±20
3.0
50
45
32
100
71.4
2.1
9.2
100
1.5
7.8
-55
175
260
单位
VDC
VDC
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
° C / W
W
A
°C
°C
http://onsemi.com
45安培, 25伏
R
DS ( ON)
= 12.6毫瓦(典型值)
N沟道
D
G
S
4
4
1 2
3
CASE 369AA
DPAK
(表面贴装)
方式2
1
2
3
CASE 369D
DPAK
(直引线)
方式2
标记图
&放大器;引脚分配
4漏
YWW
T40
N03
4漏
YWW
T40
N03
3
来源
1
2
40N03 =器件代码
Y
=年
WW =工作周
3
来源
出版订单号:
NTD40N03R/D
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
被超过,设备功能操作不暗示,可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.当表面安装用0.5平方的FR4电路板。在焊盘尺寸。
2.表面安装的FR4板采用最低配置推荐
焊盘尺寸。
1
2
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年4月 - 修订版5
NTD40N03R
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压(注3 )
(V
GS
= 0伏,我
D
= 250
MADC )
温度系数(正)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 20伏,V
GS
= 0伏)
(V
DS
= 20伏,V
GS
= 0伏,T
J
= 150°C)
门体漏电流
(V
GS
=
±20
VDC ,V
DS
= 0伏)
基本特征
(注3)
栅极阈值电压(注3 )
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC )
阈值温度系数(负)
静态漏 - 源极导通电阻(注3 )
(V
GS
= 4.5伏,我
D
= 10 ADC)
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 10 ADC)
正向跨导(注3 )
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 10 ADC)
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
(注4 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
GS
= 4.5伏,我
D
= 10位ADC ,
V
DS
= 10 VDC )(注3 )
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 10位ADC ,V
GS
= 0伏) (注3)
(I
S
= 10位ADC ,V
GS
= 0伏,T
J
= 125°C)
V
SD
t
rr
(I
S
= 10位ADC ,V
GS
= 0伏,
dI
S
/ DT = 100 A / MS)(注3 )
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
t
a
t
b
Q
RR
0.85
0 85
0.71
20.4
8.25
12.1
0.007
1.2
12
mC
VDC
(V
GS
= 10 VDC ,V
DD
= 10 VDC ,
I
D
= 10位ADC ,R
G
= 3
W)
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
4.5
19.5
16.7
3.5
5.78
2.1
2.5
nC
ns
(
(V
DS
= 20伏,V
GS
= 0 V , F = 1兆赫)
,
,
)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
584
254
99
pF
V
GS ( TH)
1.0
R
DS ( ON)
g
FS
20
18.6
12.6
23
16.5
姆欧
1.7
2.0
VDC
毫伏/°C的
mW
V( BR )
DSS
25
I
DSS
I
GSS
1.0
10
±100
NADC
28
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
典型值
最大
单位
反向恢复时间
ns
http://onsemi.com
2
NTD40N03R
20
I
D
,漏极电流( AMPS )
10 V
8V
6V
4V
3.2 V
20
3.5 V
I
D
,漏极电流( AMPS )
3.4 V
V
DS
10 V
16
16
12
12
8
3V
2.8 V
V
GS
= 2.6 V
8
T
J
= 25°C
4
0
0
2
4
6
8
4
0
T
J
= 125°C
0
1
2
T
J
= 55°C
3
4
5
10
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图1.区域特征
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
图2.传输特性
0.040
V
GS
= 10 V
0.032
0.040
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
0.024
T
J
= 25°C
0.032
0.024
T
J
= 150°C
0.016
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
0
0
4
8
12
16
20
I
D
,漏极电流( AMPS )
0.016
T
J
= 55°C
0.008
0.008
V
GS
= 4.5 V
0
0
4
8
12
16
20
I
D
,漏极电流( AMPS )
图3.导通电阻与漏电流
和温度
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极电阻
(归一化)
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50
100
25
0
25
50
75
100
125
150
0
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
,漏电( NA)
10,000
图4.导通电阻与漏电流
和温度
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1000
T
J
= 125°C
5
10
15
20
25
T
J
,结温( ° C)
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTD40N03R
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
1000
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
C,电容(pF )
800
C
国际空间站
C
RSS
600
T
J
= 25°C
8
V
GS
6
Q
T
4
Q
1
2
I
D
= 10 A
T
J
= 25°C
0
0
2
4
6
8
Q
g
,总栅极电荷( NC)
Q
2
C
国际空间站
400
C
OSS
200
0
10
5
V
GS
0 V
DS
5
10
15
20
栅极 - 源极或漏极至源极电压
(伏)
C
RSS
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
20
I
S
,源电流(安培)
100
V
DS
= 10 V
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
T, TIME ( NS )
t
r
t
D(关闭)
10
t
D(上)
t
f
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1
1
10
R
G
,栅极电阻( W)
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
100
I D ,漏极电流( AMPS )
单脉冲
V
GS
= 20 V
T
C
= 25°C
10
ms
100
ms
10
1毫秒
R
DS ( ON)
极限
热限制
套餐限制
0.1
10毫秒
dc
100
1
1
10
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
http://onsemi.com
4
NTD40N03R
R(T ),有效瞬态热阻
(归一化)
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T,时间(S )
0.1
1
10
t
2
占空比D = T
1
/t
2
t
1
P
( PK)
R
QJC
(吨)= R(T )R
QJC
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT&T
1
T
J(下PK)
T
C
= P
( PK)
R
QJC
(t)
图12.热响应
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5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTD40N03RG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
NTD40N03RG
ON/安森美
22+
17933
DPAK
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电话:0755-82798529
联系人:钟小姐
地址:广东省深圳市福田区佳和大厦五楼5C041
NTD40N03RG
ON/安森美
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NTD40N03RG
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全新原装现货,原厂代理。
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电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
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电话:0755-83798683
联系人:许先生
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22+
17933
DPAK
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
NTD40N03RG
ONS
18+
15600
DPAK
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
NTD40N03RG
ON
2024
19198
to-252
原装现货上海库存,欢迎查询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NTD40N03RG
ON/安森美
22+
32570
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NTD40N03RG
onsemi
24+
10000
DPAK
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室(本公司为一般纳税人,可开增票)
NTD40N03RG
ON
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DPAK
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