【NTD32N06L功率MOSFET32安培， 60伏特，逻辑电平N沟道DPAK在专为低电压，高速开关】,IC型号NTD32N06LT4,NTD32N06LT4 PDF资料,NTD32N06LT4经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第318页 > NTD32N06LT4

NTD32N06L

功率MOSFET

32安培， 60伏特，逻辑电平

N沟道DPAK

在专为低电压，高速开关应用

电源，转换器和功率电机控制和桥

电路。

特点

http://onsemi.com

V

DSS

60 V

R

DS （ ON）

典型值

23.7毫瓦

N沟道

D

I

D

最大

32 A

更小的封装尺寸比MTB30N06VL

低

DS （ ON）

, V

DS （ ON）

和总栅极电荷

较低的和更严格的V

SD

低二极管反向恢复时间

低反向恢复电荷存储

电源

转换器

电源电机控制

桥电路

典型应用

G

S

4

价值

60

60

"20

"30

32

22

90

93.75

0.625

2.88

1.5

-55

+175

313

单位

VDC

VDC

VDC

1 2

3

DPAK

CASE 369C

（表面贴装）

方式2

4

YWW

32N06L

2

1

3

漏

门

来源

4

漏

2

YWW

32N06L

1 2 3

门漏源

包

DPAK

DPAK

直引线

DPAK

航运

75单位/铁

75单位/铁

2500 /磁带&卷轴

出版订单号：

NTD32N06L/D

1

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

漏极至栅极电压（R

GS

= 10毫瓦）

栅极 - 源极电压

- 连续

- 不重复（T

p

v10

女士）

漏电流

- 连续@ T

A

= 25°C

- 连续@ T

A

= 100°C

- 单脉冲（T

p

v10

女士）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

总功率耗散@ T

A

= 25 ° C（注1 ）

总功率耗散@ T

A

= 25 ° C（注2 ）

工作和存储温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

J

= 25 ° C（注3 ）

(V

DD

= 50伏，V

GS

= 5伏直流， L = 1.0 mH的，

I

L（ PK）

= 25 A，V

DS

= 60伏，R

G

= 25

W)

热阻

- 结到外壳

- 结到环境（注1 ）

- 结到环境（注2 ）

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

V

DSS

V

DGR

V

GS

V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

D

标记DIAGRAMS

4

漏

ADC

APK

W

W / ℃，

W

W

°C

mJ

T

J

, T

英镑

E

AS

3

DPAK

CASE 369D

（直引线）

方式2

32N06L

Y

WW

器件代码

=年

=工作周

° C / W

R

QJC

R

qJA

R

qJA

T

L

1.6

52

100

260

°C

订购信息

设备

NTD32N06L

NTD32N06L1

NTD32N06LT4

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

1.表面贴装FR4板采用0.5 “盘的大小。

2.表面贴装FR4板采用最小建议垫

尺寸。

3.重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年4月 - 第3版

NTD32N06L

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注4 ）

(V

GS

= 0伏，我

D

= 250

MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 60 VDC ，V

GS

= 0伏）

(V

DS

= 60 VDC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 150°C)

门体漏电流（Ⅴ

GS

=

±

20伏直流电，V

DS

= 0伏）

基本特征

（注4 ）

栅极阈值电压（注4 ）

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

MADC ）

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）

(V

GS

= 5 VDC ，我

D

= 16 ADC）

静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）

(V

GS

= 5 VDC ，我

D

= 20 ADC）

(V

GS

= 5 VDC ，我

D

= 32 ADC）

(V

GS

= 5 VDC ，我

D

= 16位ADC ，T

J

= 150°C)

正向跨导（注4 ）（V

DS

= 6伏，我

D

= 16 ADC）

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注5 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

(V

DS

= 48伏直流，我

D

= 32个ADC ，

V

GS

= 5 V直流）（注4 ）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

(I

S

= 20 ADC ，V

GS

= 0伏）（注4 ）

(I

S

= 32个ADC ，V

GS

= 0伏）（注4 ）

(I

S

= 20 ADC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 150°C)

(I

S

= 32个ADC ，V

GS

= 0伏，

dI

S

/ DT = 100 A / MS ）（注4 ）

反向恢复电荷存储

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

5.开关特性是独立的工作结点温度。

V

SD

0.89

0.95

0.74

56

31

25

0.093

1.0

mC

VDC

(V

DD

= 30伏直流电，我

D

= 32个ADC ，

V

GS

= 5 VDC ，

VDC

）（注4 ）

)

R

G

= 9.1

W)

(

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

Q

1

Q

2

12.8

221

37

128

23

4.5

14

30

450

80

260

50

nC

ns

(V

DS

= 25伏，V

GS

= 0伏，

F = 1.0兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

1214

343

87

1700

480

180

pF

V

GS （ TH）

1.0

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

g

FS

0.48

0.78

0.61

27

0.67

姆欧

23.7

28

VDC

1.7

4.8

2.0

VDC

毫伏/°C的

mW

V

（ BR ） DSS

60

I

DSS

I

GSS

1.0

10

±100

NADC

70

62

VDC

毫伏/°C的

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

t

rr

t

a

t

b

Q

RR

ns

http://onsemi.com

2

NTD32N06L

60

V

GS

= 10 V

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

50

40

30

20

10

0

V

GS

= 6 V

V

GS

= 3.5 V

V

GS

= 8 V

V

GS

= 3 V

V

GS

= 5 V

V

GS

= 4 V

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 4.5 V

60

V

DS

> = 10 V

50

40

30

20

T

J

= 25°C

10

T

J

= 100°C

0

1

2

3

4

0

1.8

2.2

2.6

3

T

J

= 55°C

3.4

3.8

4.2

4.6

5

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.042

V

GS

= 5 V

0.038

0.034

0.03

0.026

0.022

0.018

0.014

0.01

0

10

20

30

40

50

60

T

J

= 55°C

T

J

= 25°C

T

J

= 100°C

0.042

0.038

0.034

0.03

0.026

0.022

0.018

0.014

0.01

0

10

20

T

J

= 55°C

T

J

= 100°C

T

J

= 25°C

V

GS

= 10 V

30

40

50

60

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与漏电流

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

图4.导通电阻与漏电流

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

50 25

I

D

= 16 A

V

GS

= 5 V

10000

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

T

J

= 125°C

100

T

J

= 100°C

10

0

25

50

75

100

125

150

175

0

10

20

30

40

50

60

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NTD32N06L

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

4000

3600

C，电容（pF ）

3200

2800

2400

2000

1600

1200

800

400

0

10

V

DS

= 0 V

V

GS

= 0 V

6

5

4

3

2

1

0

0

I

D

= 32 A

T

J

= 25°C

4

8

12

16

20

24

Q

1

Q

T

V

GS

Q

2

T

J

= 25°C

C

国际空间站

C

RSS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

5 V

GS

0 V

DS

5

10

15

20

25

栅极 - 源极或漏极至源极电压

（伏）

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

1000

I

S

，源电流（安培）

V

DS

= 30 V

I

D

= 32 A

V

GS

= 5 V

T， TIME （ NS ）

t

r

100

t

f

32

28

24

20

16

12

8

4

0

0.6

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

t

D（关闭）

t

D（上）

10

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0.64 0.68 0.72 0.76

0.8

0.84 0.88

0.92 0.96

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

E

AS

，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

1000

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

100

dc

10

10毫秒

1毫秒

100

ms

1

安装在3 “平方FR4电路板（ 1 ”平方。

2盎司铜0.06 “厚单面）

一个模操作， 10秒以内

0.1

0.1

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

350

图10.二极管的正向电压与电流

I

D

= 32 A

300

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

125

150

175

T

J

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

http://onsemi.com

4

NTD32N06L

10

有效瞬态热阻

（归一化）

归至R

QJC

在稳定状态

1

0.1

R（ t）的

,

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

T，时间（S ）

0.1

1

10

图13.热响应

10

有效瞬态热响应

（归一化）

R（ t）的

,

归至R

qJA

在稳定状态下，

1 “方形铜垫，铜区在1.127

2

,

3× 3英寸FR4板

1

0.1

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T，时间（S ）

1

10

100

1000

图14.热响应

http://onsemi.com

5

查看更多NTD32N06LT4PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

NTD32N06LT4

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

NTD32N06LT4

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市春涛电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：996334048 复制

点击这里给我发消息

QQ：570120875 复制

电话：0755-82563615 82563213

联系人：王云

地址：深圳市华强北上步204栋五楼520室

NTD32N06LT4

ON

2425+

11280

DPAK

全新原装！优势现货！

深圳市鑫远鹏科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2885741998 复制

点击这里给我发消息

QQ：2885742022 复制

电话：15112667855

联系人：谌小姐

地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E

NTD32N06LT4

ON/安森美

18+

15600

深圳市创芯联盈电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

NTD32N06LT4

ON/安森美

2443+

23000

DPAK4LEADSingleG

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市华斯顿电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1002316308 复制

点击这里给我发消息

QQ：515102657 复制

电话：0755-83777708/83777607/82799993

联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

NTD32N06LT4

VB

25+23+

35500

SOT-252

绝对原装进口现货！渠道优势供应!

上海熠富电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：565106636 复制

点击这里给我发消息

QQ：414322027 复制

电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847

联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

NTD32N06LT4

ON/安森美

2024

20918

TO-252

上海原装现货库存，欢迎咨询合作

深圳市晶美隆科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2885348339 复制

点击这里给我发消息

QQ：2885348317 复制

电话：0755- 82519391 0755-83209630

联系人：李林

地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

NTD32N06LT4

ON

24+

11758

DPAK 4 LEAD SINGLE G

全新原装现货热卖

上海熠富电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：892174007 复制

点击这里给我发消息

QQ：2300949663 复制

点击这里给我发消息

QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318

联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

NTD32N06LT4

ON

2024

19400

to-252

原装现货上海库存，欢迎查询

北京元坤国际科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1584878981 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

NTD32N06LT4

ON/安森美

21+

6550

SOT-252

全新原装正品/质量有保证

北京显周科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

NTD32N06LT4

√ 欧美㊣品

▲10/11+

10097

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

北京首天伟业科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1584878981 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

NTD32N06LT4

ON/安森美

11+

225

SOT-252

全新原装正品/质量有保证

查询更多NTD32N06LT4供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！