添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第268页 > NTD3055-150-1
NTD3055150
功率MOSFET 9.0 A， 60 V
N沟道DPAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
典型应用
9.0安培， 60伏
R
DS （ ON）
= 122毫瓦（典型值）
N沟道
D
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
G
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 10毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 100°C
- 单脉冲（T
p
v10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 10 VDC ，
L = 1.0 mH的，我
L
（PK ）= 7.75 A，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
60
60
"20
"30
9.0
3.0
27
28.8
0.19
2.1
1.5
-55
175
30
单位
VDC
VDC
VDC
S
记号
图表
4
漏
DPAK
CASE 369C
方式2
“表面贴装”
4
AYW
3150
4
漏
4
AYW
3150
DPAK3
CASE 369D
方式2
“直接领”
1
2
3
1 2 3
门漏源
ADC
APK
W
W / ℃，
W
W
°C
mJ
1 2
3
2
1
3
漏
门
来源
T
J
, T
英镑
E
AS
° C / W
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
5.2
71.4
100
260
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.当表面安装用0.5平方垫尺寸为FR4板。
2.表面安装的FR4板采用最低配置推荐
焊盘尺寸。
3150
A
Y
W
器件代码
=大会地点
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 第4版
出版订单号：
NTD3055150/D
NTD3055150
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
20伏直流电，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 4.5 ADC）
静态漏 - 源极导通电压（注3 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 9.0 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 4.5 ADC ，T
J
= 150°C)
正向跨导（注3 ）（V
DS
= 7.0伏，我
D
= 6.0 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
DS
= 48伏直流，我
D
= 9.0 ADC ，
V
GS
= 10 VDC ）（注3 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 9.0 ADC ，V
GS
= 0伏） （注3）
(I
S
= 19 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
=
150°C)
(I
S
= 9.0 ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / MS）（注3 ）
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
V
SD
0.98
0.86
28.9
21.6
7.3
0.036
1.20
mC
VDC
(V
DD
= 48伏直流，我
D
= 9.0 ADC ，
V
GS
= 10 VDC ，
VDC
R
G
= 9.1
W)
(
） （注3）
)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
11.2
37.1
12.2
23
7.1
1.7
3.5
25
80
25
50
15
nC
ns
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0伏，
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
200
70
26
280
100
40
pF
V
GS （ TH）
2.0
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
1.4
1.1
5.4
1.9
姆欧
122
150
VDC
3.0
6.4
4.0
VDC
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
60
I
DSS
I
GSS
1.0
10
±100
NADC
70.2
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
http://onsemi.com
2
NTD3055150
20
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 10 V
16
V
GS
= 9 V
V
GS
= 8 V
V
GS
= 7 V
20
V
DS
≥
10 V
16
12
12
8
V
GS
= 6 V
8
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
0
T
J
= 55°C
3
4
5
6
7
8
9
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
4
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
= 5 V
4
6
7
8
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图1.区域特征
图2.传输特性
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.5
V
GS
= 10 V
0.4
T
J
= 100°C
0.5
V
GS
= 15 V
0.4
0.3
0.3
T
J
= 100°C
0.2
T
J
= 25°C
0.1
0
0
4
8
12
16
20
24
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
J
= 55°C
0.2
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
0.1
0
0
4
8
12
16
20
24
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50 25
1
0
25
50
75
100
125
150
175
0
I
D
= 4.5 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
100
1000
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
10
T
J
= 100°C
10
20
30
40
50
60
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏极 - 源极漏
电流与电压
http://onsemi.com
3
NTD3055150
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
560
480
C，电容（pF ）
400
320
240
160
C
OSS
80
0
10
5 V
GS
0 V
DS
5
C
RSS
10
15
20
25
C
RSS
C
国际空间站
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
I
D
= 9 A
T
J
= 25°C
Q
T
T
J
= 25°C
Q
1
Q
2
V
GS
栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
100
I
S
，源电流（安培）
V
DS
= 30 V
I
D
= 9 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
t
r
10
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
8
6
t
f
t
D（关闭）
t
D（上）
10
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
4
2
0
0.6
0.68
0.76
0.84
0.92
1
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
E
AS
，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
图10.二极管的正向电压与
当前
100
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
10
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
32
I
D
= 7.75 A
24
16
1
8
0.1
dc
100
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
，起动结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量对比
开始结温
http://onsemi.com
4
NTD3055150
10
R（T ） ，规范有效
短暂
热阻
D = 0.5
0.2
1
0.1
0.05
0.01
单脉冲
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T，时间（S ）
0.1
1
10
P
（ PK）
t
2
占空比D = T
1
/t
2
t
1
图13.热响应
订购信息
设备
NTD3055150
NTD3055150G
NTD30551501
NTD30551501G
NTD3055150T4
NTD3055150T4G
包
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
5
NTD3055150
功率MOSFET 9.0 A， 60 V
N沟道DPAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
典型应用
9.0安培， 60伏
R
DS （ ON）
= 122毫瓦（典型值）
N沟道
D
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
G
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 10毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 100°C
- 单脉冲（T
p
v10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 10 VDC ，
L = 1.0 mH的，我
L
（PK ）= 7.75 A，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
60
60
"20
"30
9.0
3.0
27
28.8
0.19
2.1
1.5
-55
175
30
单位
VDC
VDC
VDC
S
记号
图表
4
漏
DPAK
CASE 369C
方式2
“表面贴装”
4
AYW
3150
4
漏
4
AYW
3150
DPAK3
CASE 369D
方式2
“直接领”
1
2
3
1 2 3
门漏源
ADC
APK
W
W / ℃，
W
W
°C
mJ
1 2
3
2
1
3
漏
门
来源
T
J
, T
英镑
E
AS
° C / W
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
5.2
71.4
100
260
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.当表面安装用0.5平方垫尺寸为FR4板。
2.表面安装的FR4板采用最低配置推荐
焊盘尺寸。
3150
A
Y
W
器件代码
=大会地点
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 第4版
出版订单号：
NTD3055150/D
NTD3055150
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
20伏直流电，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 4.5 ADC）
静态漏 - 源极导通电压（注3 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 9.0 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 4.5 ADC ，T
J
= 150°C)
正向跨导（注3 ）（V
DS
= 7.0伏，我
D
= 6.0 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
DS
= 48伏直流，我
D
= 9.0 ADC ，
V
GS
= 10 VDC ）（注3 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 9.0 ADC ，V
GS
= 0伏） （注3）
(I
S
= 19 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
=
150°C)
(I
S
= 9.0 ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / MS）（注3 ）
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
V
SD
0.98
0.86
28.9
21.6
7.3
0.036
1.20
mC
VDC
(V
DD
= 48伏直流，我
D
= 9.0 ADC ，
V
GS
= 10 VDC ，
VDC
R
G
= 9.1
W)
(
） （注3）
)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
11.2
37.1
12.2
23
7.1
1.7
3.5
25
80
25
50
15
nC
ns
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0伏，
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
200
70
26
280
100
40
pF
V
GS （ TH）
2.0
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
1.4
1.1
5.4
1.9
姆欧
122
150
VDC
3.0
6.4
4.0
VDC
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
60
I
DSS
I
GSS
1.0
10
±100
NADC
70.2
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
http://onsemi.com
2
NTD3055150
20
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 10 V
16
V
GS
= 9 V
V
GS
= 8 V
V
GS
= 7 V
20
V
DS
≥
10 V
16
12
12
8
V
GS
= 6 V
8
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
0
T
J
= 55°C
3
4
5
6
7
8
9
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
4
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
= 5 V
4
6
7
8
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图1.区域特征
图2.传输特性
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.5
V
GS
= 10 V
0.4
T
J
= 100°C
0.5
V
GS
= 15 V
0.4
0.3
0.3
T
J
= 100°C
0.2
T
J
= 25°C
0.1
0
0
4
8
12
16
20
24
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
J
= 55°C
0.2
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
0.1
0
0
4
8
12
16
20
24
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50 25
1
0
25
50
75
100
125
150
175
0
I
D
= 4.5 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
100
1000
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
10
T
J
= 100°C
10
20
30
40
50
60
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏极 - 源极漏
电流与电压
http://onsemi.com
3
NTD3055150
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
560
480
C，电容（pF ）
400
320
240
160
C
OSS
80
0
10
5 V
GS
0 V
DS
5
C
RSS
10
15
20
25
C
RSS
C
国际空间站
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
I
D
= 9 A
T
J
= 25°C
Q
T
T
J
= 25°C
Q
1
Q
2
V
GS
栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
100
I
S
，源电流（安培）
V
DS
= 30 V
I
D
= 9 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
t
r
10
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
8
6
t
f
t
D（关闭）
t
D（上）
10
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
4
2
0
0.6
0.68
0.76
0.84
0.92
1
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
E
AS
，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
图10.二极管的正向电压与
当前
100
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
10
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
32
I
D
= 7.75 A
24
16
1
8
0.1
dc
100
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
，起动结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量对比
开始结温
http://onsemi.com
4
NTD3055150
10
R（T ） ，规范有效
短暂
热阻
D = 0.5
0.2
1
0.1
0.05
0.01
单脉冲
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T，时间（S ）
0.1
1
10
P
（ PK）
t
2
占空比D = T
1
/t
2
t
1
图13.热响应
订购信息
设备
NTD3055150
NTD3055150G
NTD30551501
NTD30551501G
NTD3055150T4
NTD3055150T4G
包
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
5
查看更多NTD3055-150-1PDF信息
推荐型号
NME0315D
NX8567SAM342-BC
NATR5LL
NJU7064V
NX8565LE828-CC
NM27P240N200
NJU7054M
NJU5507MXX
NCS2001SN1T1
NJM1372
NX-32T-PA(05)
NP12-12
NJG1523KB2-C5
NJU7709F
NM24C08FLM8
NTC1220-20MHZ
N3802
NCP5252
NES-100
N83C51RB-1
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTD3055-150-1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳和润天下电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1139848500 复制

电话：0755-83798683
联系人：许先生
地址：深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
NTD3055-150-1
ON/安森美
22+
14551
DPAK3(SINGLEGAUGE)
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
NTD3055-150-1
ON/安森美
2443+
23000
TO-251
一级代理专营，原装现货，价格优势
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
NTD3055-150-1
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8147
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
NTD3055-150-1
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8277
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院
NTD3055-150-1
ON Semiconductor
㊣10/11+
7938
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市世品佳电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：296271020 复制
电话：0755-/83218466/83200833
联系人：销售部
地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
NTD3055-150-1
ON Semiconductor
24+
22000
400￥/片,原装正品假一赔百！
深圳市欧立现代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ：1950791264 复制
电话：0755-23999932 / 0755-83222787
联系人：胡先生 林小姐 朱先生
地址：广东省深圳市福田区上步工业区101栋西座602（公司是一般纳税人企业，可开17%增值税）公司网址：http://www.szolxd.com
NTD3055-150-1
ON SEMICONDUCTOR
24+
3600
3055-150-1
【★★原装现货，价格优势！欢迎询购★★】
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NTD3055-150-1
onsemi
24+
10000
-
原厂一级代理，原装现货
深圳市华美锐科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2850388356 复制 点击这里给我发消息 QQ：2850388351 复制
电话：0755-83039139
联系人：邓小姐
地址：深圳市福田区福华路29号16G(深圳市华美锐科技有限公司)
NTD3055-150-1
ON SEMICONDUCTOR
4962
原装正品！价格优势！
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
NTD3055-150-1
ON
2012+
5800
DPAK 3 (
全新原装正品/质量有保证
查询更多NTD3055-150-1供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！