NTD24N06
功率MOSFET
60 V ， 24 A， N沟道DPAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
典型应用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60 V
R
DS （ ON）
典型值
32毫瓦
N沟道
D
I
D
最大
24 A
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 10毫瓦）
栅极 - 源极电压
连续
不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
连续@ T
A
= 25 ° C，T
J
= 150°C
连续@ T
A
= 25 ° C，T
J
= 175°C
连续@ T
A
= 100 ° C，T
J
= 175°C
单脉冲（T
p
v10
女士） ，
T
J
= 175°C
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩Ener-
gy
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 50伏，V
GS
= 10 VDC ，
L = 1.0 mH的，我
L
（ PK） = 18 A，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
结到外壳
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的陈建
姿势， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
D
价值
60
60
"20
"30
24
27
19
80
62.5
0.42
1.88
1.36
55
to
+175
162
单位
VDC
VDC
VDC
S
G
标记DIAGRAMS
ADC
ADC
ADC
APK
W
W / ℃，
W
W
°C
mJ
4
1 2
4
漏
YWW
24N06
2
1
3
漏
门
来源
4
漏
YWW
24N06
2
1 2 3
门漏源
=器件代码
=年
=工作周
24N06
Y
WW
出版订单号：
NTD24N06/D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
3
DPAK
CASE 369C
方式2
4
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
2.4
80
110
260
° C / W
1
°C
3
DPAK
CASE 369D
方式2
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.当表面安装到FR-4板用0.5平方在漏极焊盘尺寸。
2.当表面安装到FR-4板使用最小推荐
焊盘尺寸。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
2005年1月，
第3版
1
NTD24N06
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
20伏直流电，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 10 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 12 ADC）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 20 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 24 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 12 ADC ，T
J
= 150°C)
正向跨导（注3 ）（V
DS
= 7.0伏，我
D
= 12 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
g
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 24 ADC ，
V
GS
= 10 VDC
VDC ，
R
G
= 9.1
W)
（注3）
(V
DS
= 25伏V
GS
= 0伏
VDC ，
VDC ，
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
V
SD
846
252
68
10
24
25
27
24
5.0
11.5
0.95
1.0
0.89
49
35
13
0.096
1200
350
95
20
50
50
60
48
1.15
mC
VDC
nC
ns
pF
V
GS （ TH）
VDC
2.0
3.03
7.0
32
32
0.8
0.8
0.7
15
4.0
42
VDC
1.15
姆欧
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
VDC
60
71.1
70.4
1.0
10
±100
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
I
DSS
I
GSS
NADC
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
开关特性
（注4 ）
(V
DS
= 48伏直流我
D
= 24 ADC
VDC ，
ADC ，
V
GS
= 10 VDC ）（注3 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 20 ADC ，V
GS
= 0伏） （注3）
(I
S
= 24 ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
= 24 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
(I
S
= 24 V ADC
GS
= 0伏
ADC ，
VDC ，
dI
S
/ DT = 100 A / MS）（注3 ）
反向恢复时间
y
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
订购信息
设备
NTD24N06
NTD24061
NTD24N06T4
NTD24N06T4G
包
DPAK
DPAK
（直引线）
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
NTD24N06
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
2400
2000
1600
1200
800
400
0
C
RSS
10
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
C
国际空间站
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
4
NTD24N06
功率MOSFET
60 V ， 24 A， N沟道DPAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
典型应用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60 V
R
DS （ ON）
典型值
32毫瓦
N沟道
D
I
D
最大
24 A
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 10毫瓦）
栅极 - 源极电压
连续
不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
连续@ T
A
= 25 ° C，T
J
= 150°C
连续@ T
A
= 25 ° C，T
J
= 175°C
连续@ T
A
= 100 ° C，T
J
= 175°C
单脉冲（T
p
v10
女士） ，
T
J
= 175°C
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩Ener-
gy
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 50伏，V
GS
= 10 VDC ，
L = 1.0 mH的，我
L
（ PK） = 18 A，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
结到外壳
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的陈建
姿势， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
D
价值
60
60
"20
"30
24
27
19
80
62.5
0.42
1.88
1.36
55
to
+175
162
单位
VDC
VDC
VDC
S
G
标记DIAGRAMS
ADC
ADC
ADC
APK
W
W / ℃，
W
W
°C
mJ
4
1 2
4
漏
YWW
24N06
2
1
3
漏
门
来源
4
漏
YWW
24N06
2
1 2 3
门漏源
=器件代码
=年
=工作周
24N06
Y
WW
出版订单号：
NTD24N06/D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
3
DPAK
CASE 369C
方式2
4
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
2.4
80
110
260
° C / W
1
°C
3
DPAK
CASE 369D
方式2
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.当表面安装到FR-4板用0.5平方在漏极焊盘尺寸。
2.当表面安装到FR-4板使用最小推荐
焊盘尺寸。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
2005年1月，
第3版
1
NTD24N06
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
20伏直流电，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 10 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 12 ADC）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 20 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 24 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 12 ADC ，T
J
= 150°C)
正向跨导（注3 ）（V
DS
= 7.0伏，我
D
= 12 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
g
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 24 ADC ，
V
GS
= 10 VDC
VDC ，
R
G
= 9.1
W)
（注3）
(V
DS
= 25伏V
GS
= 0伏
VDC ，
VDC ，
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
V
SD
846
252
68
10
24
25
27
24
5.0
11.5
0.95
1.0
0.89
49
35
13
0.096
1200
350
95
20
50
50
60
48
1.15
mC
VDC
nC
ns
pF
V
GS （ TH）
VDC
2.0
3.03
7.0
32
32
0.8
0.8
0.7
15
4.0
42
VDC
1.15
姆欧
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
VDC
60
71.1
70.4
1.0
10
±100
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
I
DSS
I
GSS
NADC
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
开关特性
（注4 ）
(V
DS
= 48伏直流我
D
= 24 ADC
VDC ，
ADC ，
V
GS
= 10 VDC ）（注3 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 20 ADC ，V
GS
= 0伏） （注3）
(I
S
= 24 ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
= 24 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
(I
S
= 24 V ADC
GS
= 0伏
ADC ，
VDC ，
dI
S
/ DT = 100 A / MS）（注3 ）
反向恢复时间
y
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
订购信息
设备
NTD24N06
NTD24061
NTD24N06T4
NTD24N06T4G
包
DPAK
DPAK
（直引线）
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
NTD24N06
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
2400
2000
1600
1200
800
400
0
C
RSS
10
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
C
国际空间站
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
