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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第300页 > NTD23N03RT4
NTD23N03R
功率MOSFET
23安培， 25伏， N沟道DPAK
特点
无铅包可用
平面HD3e工艺的快速开关性能
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低C
国际空间站
以最小化驱动程序丢失
低栅电荷
优化的高边开关要求
高效率DC -DC转换器
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
25 V
R
DS （ ON）
典型值
32毫瓦
I
D
最大
23 A
N沟道
D
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热阻，结到外壳
总功率耗散@ T
C
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
C
= 25 ℃，芯片
- 连续@ T
C
= 25°C,
不限按包
- 单脉冲
热阻，结到环境
（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
热阻，结到环境
（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
QJC
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
T
J
, T
英镑
T
L
价值
25
±20
5.6
22.3
23
17.1
40
76
1.64
4.5
110
1.14
3.8
-55
150
260
单位
VDC
VDC
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
° C / W
W
A
°C
°C
1
4
DPAK3
CASE 369D
（直引线）
方式2
1 2
3
4
DPAK
CASE 369AA
（表面贴装）
方式2
G
S
记号
图表
4
漏
AYWW
T23
N03
4
漏
AYWW
T23
N03
1 2 3
门漏源
T23N03
A
Y
WW
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
2
1
3
漏
门
来源
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.当表面安装用0.5平方垫尺寸为FR4板。
2.表面安装的FR4板采用最小建议垫
尺寸。
2
3
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 第4版
出版订单号：
NTD23N03R/D
NTD23N03R
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 20伏，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 20伏，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流
(V
GS
=
±20
VDC ，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 4.5伏，我
D
= 6 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 6 ADC）
正向跨导（注3 ）
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 6 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
GS
= 4.5伏，我
D
= 6 ADC ，
V
DS
= 10 VDC ）（注3 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 6 ADC ，V
GS
= 0伏） （注3）
(I
S
= 6 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
V
SD
t
rr
(I
S
= 6 ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / MS）（注3 ）
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
t
a
t
b
Q
RR
0.87
0 87
0.74
8.7
5.2
3.5
0.003
1.2
12
mC
ns
VDC
(V
GS
= 10 VDC ，V
DD
= 10 VDC ，
I
D
= 6 ADC ，R
G
= 3
W)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
2.0
14.9
9.9
2.0
3.76
1.7
1.6
nC
ns
(
(V
DS
= 20伏，V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫）
,
,
)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
225
108
48
pF
V
GS （ TH）
1.0
R
DS （ ON）
g
FS
13
50.3
32.3
60
45
姆欧
1.8
2.0
VDC
毫伏/°C的
mW
V（ BR ）
DSS
25
I
DSS
I
GSS
1.0
10
±100
NADC
28
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
http://onsemi.com
2
NTD23N03R
20
10 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
16
4.5 V
8V
6V
5V
12
20
4V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
DS
≥
10 V
16
3.5 V
12
8
3V
4
V
GS
= 2.5 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
8
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
1
2
3
T
J
= 55°C
4
5
6
4
0
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.20
V
GS
= 10 V
0.16
0.20
V
GS
= 4.5 V
0.16
0.12
0.12
T
J
= 125°C
0.08
T
J
= 25°C
0.04
0
0
4
8
12
16
20
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
J
= 55°C
0.08
T
J
= 125°C
0.04
0
0
4
8
12
16
20
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
图3.导通电阻与漏电流
和温度
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50
10
25
0
25
50
75
100
125
150
0
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
10,000
图4.导通电阻与漏电流
和温度
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
100
T
J
= 125°C
5
10
15
20
25
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTD23N03R
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
400
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
C
国际空间站
C，电容（pF ）
300
C
RSS
200
T
J
= 25°C
8
V
GS
6
Q
T
4
Q
2
C
国际空间站
Q
1
C
OSS
100
C
RSS
0
10
5
V
GS
0 V
DS
5
10
15
20
栅极 - 源极或漏极至源极电压
（伏）
2
I
D
= 6 A
T
J
= 25°C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
10
I
S
，源电流（安培）
100
V
DS
= 10 V
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
V
GS
= 0 V
8
t
r
t
D（关闭）
10
6
4
T
J
= 150°C
2
T
J
= 25°C
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
t
D（上）
t
f
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
100
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
10
10
ms
100
ms
1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
1毫秒
10毫秒
dc
100
0.1
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
http://onsemi.com
4
NTD23N03R
10
R（T ） ，规范有效
短暂
热阻
D = 0.5
0.2
1
0.1
0.05
0.01
单脉冲
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T，时间（S ）
0.1
1
10
P
（ PK）
t
2
占空比D = T
1
/t
2
t
1
图12.热响应
订购信息
设备
NTD23N03R
NTD23N03RG
NTD23N03R1
NTD23N03R1G
NTD23N03RT4
NTD23N03RT4G
包
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK3
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
5
NTD23N03R
功率MOSFET
23安培， 25伏， N沟道DPAK
特点
无铅包可用
平面HD3e工艺的快速开关性能
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低C
国际空间站
以最小化驱动程序丢失
低栅电荷
优化的高边开关要求
高效率DC -DC转换器
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
25 V
R
DS （ ON）
典型值
32毫瓦
I
D
最大
23 A
N沟道
D
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热阻，结到外壳
总功率耗散@ T
C
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
C
= 25 ℃，芯片
- 连续@ T
C
= 25°C,
不限按包
- 单脉冲
热阻，结到环境
（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
热阻，结到环境
（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
QJC
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
T
J
, T
英镑
T
L
价值
25
±20
5.6
22.3
23
17.1
40
76
1.64
4.5
110
1.14
3.8
-55
150
260
单位
VDC
VDC
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
° C / W
W
A
°C
°C
1
4
DPAK3
CASE 369D
（直引线）
方式2
1 2
3
4
DPAK
CASE 369AA
（表面贴装）
方式2
G
S
记号
图表
4
漏
AYWW
T23
N03
4
漏
AYWW
T23
N03
1 2 3
门漏源
T23N03
A
Y
WW
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
2
1
3
漏
门
来源
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.当表面安装用0.5平方垫尺寸为FR4板。
2.表面安装的FR4板采用最小建议垫
尺寸。
2
3
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 第4版
出版订单号：
NTD23N03R/D
NTD23N03R
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 20伏，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 20伏，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流
(V
GS
=
±20
VDC ，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 4.5伏，我
D
= 6 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 6 ADC）
正向跨导（注3 ）
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 6 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
GS
= 4.5伏，我
D
= 6 ADC ，
V
DS
= 10 VDC ）（注3 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 6 ADC ，V
GS
= 0伏） （注3）
(I
S
= 6 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
V
SD
t
rr
(I
S
= 6 ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / MS）（注3 ）
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
t
a
t
b
Q
RR
0.87
0 87
0.74
8.7
5.2
3.5
0.003
1.2
12
mC
ns
VDC
(V
GS
= 10 VDC ，V
DD
= 10 VDC ，
I
D
= 6 ADC ，R
G
= 3
W)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
2.0
14.9
9.9
2.0
3.76
1.7
1.6
nC
ns
(
(V
DS
= 20伏，V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫）
,
,
)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
225
108
48
pF
V
GS （ TH）
1.0
R
DS （ ON）
g
FS
13
50.3
32.3
60
45
姆欧
1.8
2.0
VDC
毫伏/°C的
mW
V（ BR ）
DSS
25
I
DSS
I
GSS
1.0
10
±100
NADC
28
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
http://onsemi.com
2
NTD23N03R
20
10 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
16
4.5 V
8V
6V
5V
12
20
4V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
DS
≥
10 V
16
3.5 V
12
8
3V
4
V
GS
= 2.5 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
8
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
1
2
3
T
J
= 55°C
4
5
6
4
0
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.20
V
GS
= 10 V
0.16
0.20
V
GS
= 4.5 V
0.16
0.12
0.12
T
J
= 125°C
0.08
T
J
= 25°C
0.04
0
0
4
8
12
16
20
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
J
= 55°C
0.08
T
J
= 125°C
0.04
0
0
4
8
12
16
20
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
图3.导通电阻与漏电流
和温度
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50
10
25
0
25
50
75
100
125
150
0
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
10,000
图4.导通电阻与漏电流
和温度
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
100
T
J
= 125°C
5
10
15
20
25
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTD23N03R
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
400
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
C
国际空间站
C，电容（pF ）
300
C
RSS
200
T
J
= 25°C
8
V
GS
6
Q
T
4
Q
2
C
国际空间站
Q
1
C
OSS
100
C
RSS
0
10
5
V
GS
0 V
DS
5
10
15
20
栅极 - 源极或漏极至源极电压
（伏）
2
I
D
= 6 A
T
J
= 25°C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
10
I
S
，源电流（安培）
100
V
DS
= 10 V
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
V
GS
= 0 V
8
t
r
t
D（关闭）
10
6
4
T
J
= 150°C
2
T
J
= 25°C
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
t
D（上）
t
f
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
100
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
10
10
ms
100
ms
1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
1毫秒
10毫秒
dc
100
0.1
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
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4
NTD23N03R
10
R（T ） ，规范有效
短暂
热阻
D = 0.5
0.2
1
0.1
0.05
0.01
单脉冲
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T，时间（S ）
0.1
1
10
P
（ PK）
t
2
占空比D = T
1
/t
2
t
1
图12.热响应
订购信息
设备
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NTD23N03RG
NTD23N03R1
NTD23N03R1G
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包
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（无铅）
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DPAK
（无铅）
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航运
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