NTD18N06L
功率MOSFET
18安培， 60伏特，逻辑电平
N沟道DPAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
V
（ BR ） DSS
60 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
典型值
54 mW@5.0 V
I
D
最大
18 A
（注1 ）
无铅包可用
典型应用
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
G
N沟道
D
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 10毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 100°C
- 单脉冲（T
p
v10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 50伏，V
GS
= 5.0伏，
L = 1.0 mH的，我
L
（PK ）= 12 A，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
60
60
"15
"20
4
18
10
54
55
0.36
2.1
-55
+175
72
ADC
APK
W
W / ℃，
W
°C
mJ
4
DPAK3
CASE 369D
方式2
° C / W
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
2.73
100
71.4
260
°C
18N6L
A
Y
WW
1
2
3
1 2 3
门漏源
器件代码
=大会地点
=年
=工作周
AYWW
18N6L
1 2
3
2
1
3
漏
门
来源
4
漏
DPAK
CASE 369C
方式2
单位
VDC
VDC
VDC
S
记号
图表
4
漏
AYWW
18N6L
T
J
, T
英镑
E
AS
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.当表面安装到FR-4板使用最小推荐
焊盘尺寸。
2.当表面安装到FR-4板用0.5平方在漏极焊盘尺寸。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 第3版
出版订单号：
NTD18N06L/D
NTD18N06L
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
15 VDC ，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 9.0 ADC）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 18 ADC）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 9.0 ADC ，T
J
= 150°C)
正向跨导（注3 ）（V
DS
= 7.0伏，我
D
= 9.0 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
嘎式C一戈
(V
DS
= 48伏直流，我
D
= 18 ADC ，
VDC
ADC
V
GS
= 5.0伏） （注3）
50
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
反向恢复时间
E E SE生态E Y
e
(I
S
= 18 ADC ，V
GS
= 0伏，
ADC
VDC
dI
S
/ DT = 100 A / MS）（注3 ）
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
(I
S
= 18 ADC ，V
GS
= 0伏） （注3）
(I
S
= 18 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
0.94
0.83
41
26
15
0.057
1.15
mC
VDC
ns
s
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 18 ADC ，
Vd
Ad
V
GS
= 5.0伏，
5 0伏
R
G
= 9.1
W)
（注3）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
9.9
79
19
38
11
3.2
6.5
20
160
40
80
22
nC
ns
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0伏，
VDC
VDC
1.0
F = 1 0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
482
166
56
675
230
80
pF
V
GS （ TH）
1.0
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
1.0
0.86
13.5
1.3
姆欧
54
65
VDC
1.8
5.2
2.0
VDC
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
60
I
DSS
I
GSS
1.0
10
±100
NADC
70
57.6
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
订购信息
设备
NTD18N06L
NTD18N06LG
NTD18N06L1
NTD18N06L1G
NTD18N06LT4
NTD18N06LT4G
包
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
NTD18N06L
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
1400
C
国际空间站
1200
C，电容（pF ）
1000
800
600
400
200
0
10
5
V
GS
0
V
DS
5
C
RSS
10
15
20
25
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
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4
NTD18N06L
功率MOSFET
18安培， 60伏特，逻辑电平
N沟道DPAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
V
（ BR ） DSS
60 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
典型值
54 mW@5.0 V
I
D
最大
18 A
（注1 ）
无铅包可用
典型应用
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
G
N沟道
D
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 10毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 100°C
- 单脉冲（T
p
v10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 50伏，V
GS
= 5.0伏，
L = 1.0 mH的，我
L
（PK ）= 12 A，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
60
60
"15
"20
4
18
10
54
55
0.36
2.1
-55
+175
72
ADC
APK
W
W / ℃，
W
°C
mJ
4
DPAK3
CASE 369D
方式2
° C / W
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
2.73
100
71.4
260
°C
18N6L
A
Y
WW
1
2
3
1 2 3
门漏源
器件代码
=大会地点
=年
=工作周
AYWW
18N6L
1 2
3
2
1
3
漏
门
来源
4
漏
DPAK
CASE 369C
方式2
单位
VDC
VDC
VDC
S
记号
图表
4
漏
AYWW
18N6L
T
J
, T
英镑
E
AS
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.当表面安装到FR-4板使用最小推荐
焊盘尺寸。
2.当表面安装到FR-4板用0.5平方在漏极焊盘尺寸。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 第3版
出版订单号：
NTD18N06L/D
NTD18N06L
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
15 VDC ，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 9.0 ADC）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 18 ADC）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 9.0 ADC ，T
J
= 150°C)
正向跨导（注3 ）（V
DS
= 7.0伏，我
D
= 9.0 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
嘎式C一戈
(V
DS
= 48伏直流，我
D
= 18 ADC ，
VDC
ADC
V
GS
= 5.0伏） （注3）
50
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
反向恢复时间
E E SE生态E Y
e
(I
S
= 18 ADC ，V
GS
= 0伏，
ADC
VDC
dI
S
/ DT = 100 A / MS）（注3 ）
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
(I
S
= 18 ADC ，V
GS
= 0伏） （注3）
(I
S
= 18 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
0.94
0.83
41
26
15
0.057
1.15
mC
VDC
ns
s
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 18 ADC ，
Vd
Ad
V
GS
= 5.0伏，
5 0伏
R
G
= 9.1
W)
（注3）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
9.9
79
19
38
11
3.2
6.5
20
160
40
80
22
nC
ns
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0伏，
VDC
VDC
1.0
F = 1 0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
482
166
56
675
230
80
pF
V
GS （ TH）
1.0
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
1.0
0.86
13.5
1.3
姆欧
54
65
VDC
1.8
5.2
2.0
VDC
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
60
I
DSS
I
GSS
1.0
10
±100
NADC
70
57.6
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
订购信息
设备
NTD18N06L
NTD18N06LG
NTD18N06L1
NTD18N06L1G
NTD18N06LT4
NTD18N06LT4G
包
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
NTD18N06L
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
1400
C
国际空间站
1200
C，电容（pF ）
1000
800
600
400
200
0
10
5
V
GS
0
V
DS
5
C
RSS
10
15
20
25
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
4
NTD18N06
功率MOSFET
18安培， 60伏
N沟道DPAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60 V
R
DS （ ON）
典型值
51毫瓦
N沟道
D
I
D
最大
18 A
无铅包可用
典型应用
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
G
S
价值
60
60
"20
"30
18
10
54
55
0.36
2.1
55
to
+175
72
ADC
APK
W
W / ℃，
W
°C
mJ
4
DPAK3
CASE 369D
方式2
单位
VDC
VDC
VDC
V
GS
V
GS
I
D
I
D
4
1 2
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 10毫瓦）
栅极 - 源极电压
连续
不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
连续@ T
A
= 25°C
连续@ T
A
= 100°C
单脉冲（T
p
v10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 50伏，V
GS
= 5.0伏，
L = 1.0 mH的，我
L
（PK ）= 12 A，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
结到外壳
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
记号
图表
4
漏
DPAK
CASE 369C
方式2
YWW
18
N06G
2
1
3
漏
门
来源
4
漏
YWW
18
N06G
1 2 3
门漏源
18N06
Y
WW
G
=器件代码
=年
=工作周
=无铅器件
I
DM
P
D
3
T
J
, T
英镑
E
AS
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
2.73
100
71.4
260
° C / W
1
2
3
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。上方时建议功能操作
谁料工作条件是不是暗示。长期暴露在压力
以上推荐工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.当表面安装到FR-4板使用最小推荐
焊盘尺寸。
2.当表面安装到FR-4板用0.5平方在漏极焊盘尺寸。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第2版
1
出版订单号：
NTD18N06/D
NTD18N06
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
1400
1200
C，电容（pF ）
1000
800
600
400
200
0
C
RSS
10
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
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4
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