NTD12N10
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0伏，V
DS
= 100伏，T
J
= 25°C)
(V
GS
= 0伏，V
DS
= 100伏，T
J
= 125°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
20伏直流电，V
DS
= 0)
基本特征
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS ，
I
D
= 250
MADC ）
温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 6.0 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 6.0 ADC ，T
J
= 125°C)
漏极 - 源极导通电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 12 ADC）
正向跨导（V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 6.0 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注4 & 5 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
体漏二极管额定值
（注4 ）
二极管正向导通电压
反向恢复时间
(I
S
= 12 ADC ，V
GS
= 0伏，
Ad
Vd
dI
S
/ DT = 100 A / MS）
反向恢复电荷存储
4.指示脉冲测试： P.W. = 300
ms
最大值，占空比= 2 ％ 。
5.开关特性是独立的工作结温。
(I
S
= 12 ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
= 12 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
0.95
0.80
85
60
28
0.3
1.0
mC
VDC
ns
(V
DS
= 80伏直流，我
D
= 12 ADC ，
Vd
Ad
V
GS
= 10 VDC ）
(V
DD
= 80伏直流，我
D
= 12 ADC ，
V
GS
= 10伏，R
G
= 9.1
W)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
合计
Q
gs
Q
gd
11
30
22
32
14
3.0
7.0
20
60
40
60
20
nC
ns
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0伏，
Vd
Vd
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
390
115
35
550
160
70
pF
V
GS （ TH）
2.0
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
1.62
7.0
2.16
姆欧
0.130
0.250
0.165
0.400
VDC
3.1
7.5
4.0
VDC
毫伏/°C的
W
V
（ BR ） DSS
100
I
DSS
I
GSS
5.0
50
±
100
NADC
135
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
订购信息
设备
NTD12N10
NTD12N101
NTD12N10T4
NTD12N10T4G
包
DPAK
DPAK3
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
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规范手册， BRD8011 / D 。
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2
NTD12N10
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
的平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程从电容曲线值
在一个RC网络的电压变化。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
1000
800
C，电容（pF ）
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
600
C
RSS
400
C
OSS
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
C
国际空间站
200
0
10
栅极 - 源极或漏极至源极电压
（伏）
图7.电容变化
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4
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