NTP75N06L ， NTB75N06L
功率MOSFET
75安培， 60伏特，逻辑电平
N沟道TO- 220和D2PAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
典型应用
http://onsemi.com
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
75安培
60伏特
RDS （ ON） = 11毫欧
N沟道
D
价值
60
60
"20
"15
75
50
225
214
1.4
2.4
-55
+175
844
ADC
APK
W
W / ℃，
W
°C
mJ
TO–220AB
CASE 221A
风格5
2
3
单位
VDC
VDC
VDC
VGS
VGS
ID
ID
IDM
PD
G
4
S
1
2
3
D2PAK
CASE 418B
方式2
4
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 10 MΩ ）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（ TP
v10
女士）
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 连续@ TA = 100℃
- 单脉冲（ TP
v10
s)
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
总功率耗散@ TA = 25 ° C（注1 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 启动TJ = 25°C
（ VDD = 50伏直流电， VGS = 5.0伏， L = 0.3 mH的
IL （ PK ） = 75 A， VDS = 60 VDC ）
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
VDSS
VDGR
1
TJ ， TSTG
EAS
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
4
漏
° C / W
R
θJC
R
θJA
TL
0.7
62.5
260
°C
NTP75N06L
LLYWW
1
门
2
漏
3
来源
1
门
NTB75N06L
LLYWW
1.表面贴装的FR4板采用最小建议垫
大小（铜区0.412平方英寸） 。
2
漏
3
来源
NTx75N06L
LL
Y
WW
=器件代码
=地点代码
=年
=工作周
订购信息
设备
NTP75N06L
NTB75N06L
NTB75N06LT4
包
TO–220AB
D2PAK
D2PAK
航运
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年4月 - 修订版0
出版订单号：
NTP75N06L/D
NTP75N06L ， NTB75N06L
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注2 ）
（ VGS = 0伏， ID = 250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏）
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
门体漏电流（ VGS =
±15
VDC ， VDS = 0伏）
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压（注2 ）
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注2 ）
（ VGS = 5.0伏， ID = 37.5 ADC ）
静态漏 - 源极导通电压（注2 ）
（ VGS = 5.0伏， ID = 75 ADC ）
（ VGS = 5.0伏， ID = 37.5 ADC ， TJ = 150 ° C）
正向跨导（注2 ） （ VDS = 15 VDC ， ID = 37.5 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注3 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（ VDS = 48伏直流电， ID = 75的ADC ，
Vd
Ad
VGS = 5.0伏） （注2 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
反向恢复时间
（ IS = 75 ADC ， VGS = 0伏，
Ad
Vd
DIS / DT = 100 A / μs）内（注2 ）
反向恢复电荷存储
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
（ IS = 75 ADC ， VGS = 0伏） （注2 ）
（ IS = 75 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
VSD
TRR
ta
tb
QRR
–
–
–
–
–
–
1.0
0.9
70
43
27
0.16
1.15
–
–
–
–
–
C
VDC
ns
（ VDD = 30 V直流， ID = 75的ADC ，
VGS = 5.0伏， RG = 9.1
)
（注2 ）
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
–
–
–
–
–
–
–
22
265
113
170
66
9.0
47
32
370
160
240
92
–
–
nC
ns
（ VDS = 25 Vd的VGS = 0伏，
VDC ，
Vd
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
3122
1029
276
4370
1440
390
pF
VGS （ TH）
1.0
–
RDS （ ON）
–
VDS （上）
–
–
政府飞行服务队
–
0.75
0.61
55
0.99
–
–
姆欧
9.0
11
VDC
1.58
6.0
2.0
–
VDC
毫伏/°C的
毫欧
V（ BR ） DSS
60
–
IDSS
–
–
IGSS
–
–
–
–
10
100
±100
NADC
72
74
–
–
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NTP75N06L ， NTB75N06L
R（T ），有效瞬态热阻
（归一化）
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
t2
占空比D = T1 / T2
0.01
T，时间（μs ）
0.1
t1
P（ PK）
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
1.0
10
图13.热响应
http://onsemi.com
5
NTP75N06L ， NTB75N06L
功率MOSFET
75安培， 60伏特，逻辑电平
N沟道TO- 220和D2PAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
典型应用
http://onsemi.com
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
75安培
60伏特
RDS （ ON） = 11毫欧
N沟道
D
价值
60
60
"20
"15
75
50
225
214
1.4
2.4
-55
+175
844
ADC
APK
W
W / ℃，
W
°C
mJ
TO–220AB
CASE 221A
风格5
2
3
单位
VDC
VDC
VDC
VGS
VGS
ID
ID
IDM
PD
G
4
S
1
2
3
D2PAK
CASE 418B
方式2
4
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 10 MΩ ）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（ TP
v10
女士）
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 连续@ TA = 100℃
- 单脉冲（ TP
v10
s)
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
总功率耗散@ TA = 25 ° C（注1 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 启动TJ = 25°C
（ VDD = 50伏直流电， VGS = 5.0伏， L = 0.3 mH的
IL （ PK ） = 75 A， VDS = 60 VDC ）
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
VDSS
VDGR
1
TJ ， TSTG
EAS
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
4
漏
° C / W
R
θJC
R
θJA
TL
0.7
62.5
260
°C
NTP75N06L
LLYWW
1
门
2
漏
3
来源
1
门
NTB75N06L
LLYWW
1.表面贴装的FR4板采用最小建议垫
大小（铜区0.412平方英寸） 。
2
漏
3
来源
NTx75N06L
LL
Y
WW
=器件代码
=地点代码
=年
=工作周
订购信息
设备
NTP75N06L
NTB75N06L
NTB75N06LT4
包
TO–220AB
D2PAK
D2PAK
航运
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年4月 - 修订版0
出版订单号：
NTP75N06L/D
NTP75N06L ， NTB75N06L
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注2 ）
（ VGS = 0伏， ID = 250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏）
（ VDS = 60 V ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
门体漏电流（ VGS =
±15
VDC ， VDS = 0伏）
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压（注2 ）
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注2 ）
（ VGS = 5.0伏， ID = 37.5 ADC ）
静态漏 - 源极导通电压（注2 ）
（ VGS = 5.0伏， ID = 75 ADC ）
（ VGS = 5.0伏， ID = 37.5 ADC ， TJ = 150 ° C）
正向跨导（注2 ） （ VDS = 15 VDC ， ID = 37.5 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注3 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（ VDS = 48伏直流电， ID = 75的ADC ，
Vd
Ad
VGS = 5.0伏） （注2 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
反向恢复时间
（ IS = 75 ADC ， VGS = 0伏，
Ad
Vd
DIS / DT = 100 A / μs）内（注2 ）
反向恢复电荷存储
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
（ IS = 75 ADC ， VGS = 0伏） （注2 ）
（ IS = 75 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 150 ° C）
VSD
TRR
ta
tb
QRR
–
–
–
–
–
–
1.0
0.9
70
43
27
0.16
1.15
–
–
–
–
–
C
VDC
ns
（ VDD = 30 V直流， ID = 75的ADC ，
VGS = 5.0伏， RG = 9.1
)
（注2 ）
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
–
–
–
–
–
–
–
22
265
113
170
66
9.0
47
32
370
160
240
92
–
–
nC
ns
（ VDS = 25 Vd的VGS = 0伏，
VDC ，
Vd
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
3122
1029
276
4370
1440
390
pF
VGS （ TH）
1.0
–
RDS （ ON）
–
VDS （上）
–
–
政府飞行服务队
–
0.75
0.61
55
0.99
–
–
姆欧
9.0
11
VDC
1.58
6.0
2.0
–
VDC
毫伏/°C的
毫欧
V（ BR ） DSS
60
–
IDSS
–
–
IGSS
–
–
–
–
10
100
±100
NADC
72
74
–
–
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NTP75N06L ， NTB75N06L
R（T ），有效瞬态热阻
（归一化）
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
t2
占空比D = T1 / T2
0.01
T，时间（μs ）
0.1
t1
P（ PK）
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
1.0
10
图13.热响应
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
