【NTB65N02R ， NTP65N02R功率MOSFET65 A， 24 V的N沟道的TO-220】,IC型号NTB65N02RT4G,NTB65N02RT4G PDF资料,NTB65N02RT4G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTB65N02R ， NTP65N02R

功率MOSFET

65 A， 24 V的N沟道

的TO-220 ，D

2

PAK

特点

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

24 V

R

DS （ ON）

典型值

8.4毫瓦@ 10 V

I

D

最大

65 A

平面HD3e工艺的快速开关性能

低R

DSON

为最大限度地减少传导损耗

低C

国际空间站

以最小化驱动程序丢失

低栅电荷

无铅包可用*

D

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

热电阻 - 结到外壳

总功率耗散@ T

C

= 25°C

漏电流 -

连续@ T

C

= 25 ℃，芯片

连续@ T

C

= 25 ℃，包装有限公司

单脉冲（T

p

= 10

女士）

热电阻 -

结到环境（注1 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

A

= 25°C

热电阻 -

结到环境（注2 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

A

= 25°C

工作和存储温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

J

= 25°C

(V

DD

= 50 V

dc

, V

GS

= 10 V

dc

, I

L

= 11 A

pk

,

L = 1 mH的，R

G

= 25

W)

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

V

DSS

V

GS

R

QJC

P

D

I

D

I

D

I

DM

R

qJA

P

D

I

D

R

qJA

P

D

I

D

T

J

和

T

英镑

E

AS

价值

25

±20

2.0

62.5

65

58

160

67

1.86

10

120

1.04

7.6

-55

150

60

单位

V

dc

V

dc

° C / W

W

A

° C / W

W

A

1

° C / W

W

A

°C

mJ

2

1 3

2

3

G

S

记号

图表

4

TO220AB

CASE 221A

风格5

P65N02RG

AYWW

4

D

2

PAK

CASE 418AA

方式2

65N02RG

AYWW

T

L

260

°C

65N02R =具体设备守则

A

=大会地点

Y

=年

WW

=工作周

G

= Pb-Free包装

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.当表面安装用1英寸焊盘尺寸，（铜面积1.127在FR4板

2

).

2.表面安装的FR4板采用最小建议垫

大小（铜面积在0.412

2

).

引脚分配

针

1

2

3

4

功能

门

漏

来源

漏

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

1

2005年5月 - 修订版6

出版订单号：

NTB65N02R/D

NTB65N02R ， NTP65N02R

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

(V

GS

= 0 V

dc

, I

D

= 250

mA

dc

)

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 20 V

dc

, V

GS

= 0 V

dc

)

(V

DS

= 20 V

dc

, V

GS

= 0 V

dc

, T

J

= 150°C)

门体漏电流

(V

GS

=

±20

V

dc

, V

DS

= 0 V

dc

)

基本特征

（注3）

栅极阈值电压（注3 ）

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

dc

)

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）

(V

GS

= 4.5 V

dc

, I

D

= 15 A

dc

)

(V

GS

= 10 V

dc

, I

D

= 20 A

dc

)

(V

GS

= 10 V

dc

, I

D

= 30 A

dc

)

正向跨导（注3 ）

(V

DS

= 10 V

dc

, I

D

= 15 A

dc

)

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

(V

GS

= 4.5 V

dc

, I

D

= 30 A

dc

,

V

DS

= 10 V

dc

）（注3）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

(I

S

= 20 A

dc

, V

GS

= 0 V

dc

）（注3）

(

(I

S

= 30 A

dc

, V

GS

= 0 V

dc

)

(I

S

= 15 A

dc

, V

GS

= 0 V

dc

, T

J

= 125°C)

V

SD

0.88

1.10

0.80

0 80

29.1

13.6

15.5

0.02

1.2

mC

V

dc

(V

GS

= 10 V

dc

, V

DD

= 10 V

dc

,

I

D

= 30 A

dc

, R

G

= 3

W)

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

tf

Q

T

Q

1

Q

2

7.0

53

14

10

9.5

3.0

4.4

nC

ns

(

(V

DS

= 20 V

dc

, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

,

)

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

948

456

160

1330

640

225

pF

V

GS （ TH）

1.0

R

DS （ ON）

g

FS

27

11.2

8.4

8.2

12.5

10.5

姆欧

1.5

4.1

2.0

V

dc

毫伏/°C的

mW

V

（ BR ） DSS

24

I

DSS

I

GSS

1.5

10

±100

nA

dc

27.5

25.5

V

dc

毫伏/°C的

mA

dc

符号

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

(I

S

= 30 A

d

, V

GS

= 0 V

d

,

dc

dI

S

/ DT = 100 A / MS）（注3 ）

m

)(

)

反向恢复存储

收费

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

t

rr

t

a

t

b

Q

RR

ns

http://onsemi.com

2

NTB65N02R ， NTP65N02R

120

100

80

60

40

V

GS

= 3.0 V

20

0

2

4

6

V

GS

= 2.5 V

8

10

V

GS

= 10 V

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

= 8.0 V

V

GS

= 6.0 V

V

GS

= 5.5 V

V

GS

= 5.0 V

V

GS

= 3.5 V

V

GS

= 4.5 V

120

V

DS

w

10 V

100

80

60

40

T

J

= 25°C

20

0

1

2

3

5

6

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T

J

= 150°C

T

J

= 55°C

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

= 4.0 V

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.区域特征

图2.传输特性

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.028

V

GS

= 10 V

0.024

0.02

0.016

0.012

T

J

= 125°C

0.008

0.004

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100 110 120

I

D

，漏电流（ A）

T

J

= 55°C

T

J

= 25°C

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.028

V

GS

= 4.5 V

0.024

0.02

0.016

T

J

= 25°C

0.012

0.008

0.004

10

T

J

= 55°C

T

J

= 150°C

T

J

= 125°C

T

J

= 150°C

20

30

40

50

60

70

80

90 100 110 120

I

D

，漏电流（ A）

图3.导通电阻与漏电流

和温度

图4.导通电阻与漏电流

和温度

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

50

I

D

= 30 A

V

GS

= 4.5 V和10 V

10000

T

J

= 150°C

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

T

J

= 125°C

100

T

J

= 100°C

10

25

0

25

50

75

100

125

150

0

5

10

15

20

25

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NTB65N02R ， NTP65N02R

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

2000

C

国际空间站

1600

C，电容（pF ）

V

DS

= 0 V

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

5

Q

T

4

V

DS

Q

GS

3

Q

GD

V

GS

8

6

2

4

1

I

D

= 30 A

T

J

= 25°C

0

2

4

6

8

10

12

2

0

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

10

1200

C

国际空间站

800

C

RSS

C

OSS

400

C

RSS

0

10

5

V

GS

0

V

DS

5

10

15

20

0

栅极 - 源极或漏极至源极电压

(V)

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

图8.栅极至源极和漏极 - 源

电压与总充电

1000

I

S

，源电流（ A）

V

DS

= 10 V

I

D

= 30 A

V

GS

= 10 V

T， TIME （ NS ）

100

t

r

t

D（关闭）

10

t

f

t

D（上）

60

50

40

30

20

T

J

= 150°C

10

0

T

J

= 25°C

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图10.二极管的正向电压与

当前

1000

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

I

D

，漏电流（ A）

100

10

ms

100

ms

10

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

1

10

1毫秒

10毫秒

dc

100

1

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图11.最大额定正向偏置安全工作区

http://onsemi.com

4

NTB65N02R ， NTP65N02R

R（T ），有效瞬态热

电阻（标准化）

1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.01

单脉冲

0.001

0.01

T，时间（S ）

0.1

1

10

0.1

0.0001

图12.热响应

订购信息

设备

NTB65N02R

NTB65N02RG

NTB65N02RT4

NTB65N02RT4G

NTP65N02R

NTP65N02RG

包

D

2

PAK

D

2

PAK

（无铅）

D

2

PAK

D

2

PAK

（无铅）

TO220AB

（无铅）

航运

50单位/铁

800 /磁带&卷轴

50单位/铁

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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5