NTB65N02R ， NTP65N02R
功率MOSFET
65 A， 24 V的N沟道
的TO-220 ，D
2
PAK
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
24 V
R
DS （ ON）
典型值
8.4毫瓦@ 10 V
I
D
最大
65 A
平面HD3e工艺的快速开关性能
低R
DSON
为最大限度地减少传导损耗
低C
国际空间站
以最小化驱动程序丢失
低栅电荷
无铅包可用*
D
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热电阻 - 结到外壳
总功率耗散@ T
C
= 25°C
漏电流 -
连续@ T
C
= 25 ℃，芯片
连续@ T
C
= 25 ℃，包装有限公司
单脉冲（T
p
= 10
女士）
热电阻 -
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
热电阻 -
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 50 V
dc
, V
GS
= 10 V
dc
, I
L
= 11 A
pk
,
L = 1 mH的，R
G
= 25
W)
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
QJC
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
T
J
和
T
英镑
E
AS
价值
25
±20
2.0
62.5
65
58
160
67
1.86
10
120
1.04
7.6
-55
150
60
单位
V
dc
V
dc
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
1
° C / W
W
A
°C
mJ
2
1 3
2
3
G
S
记号
图表
4
TO220AB
CASE 221A
风格5
P65N02RG
AYWW
4
D
2
PAK
CASE 418AA
方式2
65N02RG
AYWW
T
L
260
°C
65N02R =具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.当表面安装用1英寸焊盘尺寸， （铜面积1.127在FR4板
2
).
2.表面安装的FR4板采用最小建议垫
大小（铜面积在0.412
2
).
引脚分配
针
1
2
3
4
功能
门
漏
来源
漏
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
1
2005年5月 - 修订版6
出版订单号：
NTB65N02R/D
NTB65N02R ， NTP65N02R
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
单脉冲
0.001
0.01
T，时间（S ）
0.1
1
10
0.1
0.0001
图12.热响应
订购信息
设备
NTB65N02R
NTB65N02RG
NTB65N02RT4
NTB65N02RT4G
NTP65N02R
NTP65N02RG
包
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
50单位/铁
50单位/铁
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
5
NTB65N02R ， NTP65N02R
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注4 ）
(V
GS
= 0 V
dc
, I
D
= 250
mA
dc
)
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 20 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
)
(V
DS
= 20 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, T
J
= 150°C)
门体漏电流
(V
GS
=
±20
V
dc
, V
DS
= 0 V
dc
)
基本特征
（注4 ）
栅极阈值电压（注4 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
dc
)
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）
(V
GS
= 4.5 V
dc
, I
D
= 15 A
dc
)
(V
GS
= 10 V
dc
, I
D
= 20 A
dc
)
(V
GS
= 10 V
dc
, I
D
= 30 A
dc
)
正向跨导（注4 ）
(V
DS
= 10 V
dc
, I
D
= 15 A
dc
)
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注5 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
GS
= 4.5 V
dc
, I
D
= 30 A
dc
,
V
DS
= 10 V
dc
） （注4 ）
源极 - 漏极二极管的特性
正向电压上
导通电压
(I
S
= 20 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
） （注4 ）
(
(I
S
= 30 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
)
(I
S
= 20 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, T
J
= 125°C)
V
SD
–
–
–
–
–
–
–
0.88
1.10
0.80
0 80
15.5
12.6
2.6
0.005
1.2
–
–
–
–
–
–
mC
V
dc
(V
GS
= 5 V
dc
, V
DD
= 10 V
dc
,
I
D
= 30 A
dc
, R
G
= 3
W)
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
tf
Q
T
Q
1
Q
2
–
–
–
–
–
–
–
11.2
52
10
4
8.4
3.7
4.04
20
100
20
10
12
–
–
nC
ns
(
(V
DS
= 24 V
dc
, V
GS
= 0 V F = 1 MHz）的
)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
–
–
–
1050
394
88
1470
550
120
pF
V
GS
（ TH ）
1.0
–
R
DS
（上）
–
–
–
g
FS
–
20
–
10.5
8.3
9.5
12.5
10.5
–
姆欧
1.5
–4.1
2.0
–
V
dc
毫伏/°C的
mW
V（ BR ）
DSS
24
–
I
DSS
–
–
I
GSS
–
–
–
–
1.5
15
±100
nA
dc
27.5
25.5
–
–
V
dc
毫伏/°C的
mA
dc
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
(I
S
= 20 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
,
dI
S
/ DT = 100 A / MS ） （注4 ）
反向恢复电荷存储
4.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
5.开关特性是独立的工作结点温度。
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
http://onsemi.com
2
NTB65N02R ， NTP65N02R
包装尺寸
TO–220AB
CASE 221A -09
ISSUE AA
–T–
B
4
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
---
---
0.080
门
漏
来源
漏
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
---
---
2.04
F
T
S
C
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格5 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
D
2
PAK
CASE 418B -04
ISSUE摹
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 418B -01 THRU 418B -03过时了，新
标准418B -04 。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
S
V
英寸
民
最大
0.340
0.380
0.380
0.405
0.160
0.190
0.020
0.035
0.045
0.055
0.310
0.350
0.100 BSC
0.080
0.110
0.018
0.025
0.090
0.110
0.052
0.072
0.280
0.320
0.197 REF
0.079 REF
0.039 REF
0.575
0.625
0.045
0.055
门
漏
来源
漏
MILLIMETERS
民
最大
8.64
9.65
9.65
10.29
4.06
4.83
0.51
0.89
1.14
1.40
7.87
8.89
2.54 BSC
2.03
2.79
0.46
0.64
2.29
2.79
1.32
1.83
7.11
8.13
5.00 REF
2.00 REF
0.99 REF
14.60
15.88
1.14
1.40
C
E
–B–
4
V
W
A
1
2
3
S
–T–
座位
飞机
K
G
D
H
3 PL
M
W
J
0.13 (0.005)
T B
M
方式2 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
http://onsemi.com
3
NTB65N02R ， NTP65N02R
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留做出正确的
更改，恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证，声明或担保
特定用途，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何和所有
赔偿责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
SCILLC是疏忽就部分的设计和制造。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
81–3–5773–3850
电子邮件：
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
NTB65N02R/D
NTB65N02R ， NTP65N02R
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注4 ）
(V
GS
= 0 V
dc
, I
D
= 250
mA
dc
)
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 20 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
)
(V
DS
= 20 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, T
J
= 150°C)
门体漏电流
(V
GS
=
±20
V
dc
, V
DS
= 0 V
dc
)
基本特征
（注4 ）
栅极阈值电压（注4 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
dc
)
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）
(V
GS
= 4.5 V
dc
, I
D
= 15 A
dc
)
(V
GS
= 10 V
dc
, I
D
= 20 A
dc
)
(V
GS
= 10 V
dc
, I
D
= 30 A
dc
)
正向跨导（注4 ）
(V
DS
= 10 V
dc
, I
D
= 15 A
dc
)
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注5 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
GS
= 4.5 V
dc
, I
D
= 30 A
dc
,
V
DS
= 10 V
dc
） （注4 ）
源极 - 漏极二极管的特性
正向电压上
导通电压
(I
S
= 20 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
） （注4 ）
(
(I
S
= 30 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
)
(I
S
= 20 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, T
J
= 125°C)
V
SD
–
–
–
–
–
–
–
0.88
1.10
0.80
0 80
15.5
12.6
2.6
0.005
1.2
–
–
–
–
–
–
mC
V
dc
(V
GS
= 5 V
dc
, V
DD
= 10 V
dc
,
I
D
= 30 A
dc
, R
G
= 3
W)
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
tf
Q
T
Q
1
Q
2
–
–
–
–
–
–
–
11.2
52
10
4
8.4
3.7
4.04
20
100
20
10
12
–
–
nC
ns
(
(V
DS
= 24 V
dc
, V
GS
= 0 V F = 1 MHz）的
)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
–
–
–
1050
394
88
1470
550
120
pF
V
GS
（ TH ）
1.0
–
R
DS
（上）
–
–
–
g
FS
–
20
–
10.5
8.3
9.5
12.5
10.5
–
姆欧
1.5
–4.1
2.0
–
V
dc
毫伏/°C的
mW
V（ BR ）
DSS
24
–
I
DSS
–
–
I
GSS
–
–
–
–
1.5
15
±100
nA
dc
27.5
25.5
–
–
V
dc
毫伏/°C的
mA
dc
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
(I
S
= 20 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
,
dI
S
/ DT = 100 A / MS ） （注4 ）
反向恢复电荷存储
4.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
5.开关特性是独立的工作结点温度。
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
http://onsemi.com
2
NTB65N02R ， NTP65N02R
包装尺寸
TO–220AB
CASE 221A -09
ISSUE AA
–T–
B
4
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
---
---
0.080
门
漏
来源
漏
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
---
---
2.04
F
T
S
C
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格5 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
D
2
PAK
CASE 418B -04
ISSUE摹
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 418B -01 THRU 418B -03过时了，新
标准418B -04 。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
S
V
英寸
民
最大
0.340
0.380
0.380
0.405
0.160
0.190
0.020
0.035
0.045
0.055
0.310
0.350
0.100 BSC
0.080
0.110
0.018
0.025
0.090
0.110
0.052
0.072
0.280
0.320
0.197 REF
0.079 REF
0.039 REF
0.575
0.625
0.045
0.055
门
漏
来源
漏
MILLIMETERS
民
最大
8.64
9.65
9.65
10.29
4.06
4.83
0.51
0.89
1.14
1.40
7.87
8.89
2.54 BSC
2.03
2.79
0.46
0.64
2.29
2.79
1.32
1.83
7.11
8.13
5.00 REF
2.00 REF
0.99 REF
14.60
15.88
1.14
1.40
C
E
–B–
4
V
W
A
1
2
3
S
–T–
座位
飞机
K
G
D
H
3 PL
M
W
J
0.13 (0.005)
T B
M
方式2 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
http://onsemi.com
3
NTB65N02R ， NTP65N02R
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留做出正确的
更改，恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证，声明或担保
特定用途，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何和所有
赔偿责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
SCILLC是疏忽就部分的设计和制造。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
81–3–5773–3850
电子邮件：
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
NTB65N02R/D
QQ：2881677436 复制
