【NTB6411AN ， NTP6411ANN沟道功率MOSFET100 V， 72 A， 14毫瓦特】,IC型号NTB6411ANT4G,NTB6411ANT4G PDF资料,NTB6411ANT4G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTB6411AN ， NTP6411AN

N沟道功率MOSFET

100 V， 72 A， 14毫瓦

特点

低R

DS （ ON）

高电流能力

100％的雪崩测试

这些无铅器件

（ BR ） DSS

单位

100 V

http://onsemi.com

最大

（注1 ）

72 A

最大额定值

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续

连续漏极

当前

QJC

功耗

QJC

漏电流脉冲

稳定

状态

稳定

状态

= 25°C

= 100°C

= 25°C

, T

英镑

符号

DSS

价值

100

$20

188

285

+175

470

°C

DS （ ON）

最大

14毫瓦@ 10 V

N沟道

TO220AB

CASE 221A

风格5

PAK

CASE 418B

方式2

= 10

工作结温和存储温度

范围

源电流（体二极管）

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（V

= 50伏，V

= 10 VDC ，我

L（ PK）

56 A，L = 0.3 mH的，R

= 25

无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

260

°C

热电阻额定值

参数

结至外壳（漏）稳态

结到环境（注1 ）

符号

QJC

qJA

最大

0.8

单位

° C / W

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表面安装用1平方英寸焊盘尺寸FR4板，

（铜面积1.127平方[ 2盎司]包括痕迹）。

漏

标记图

＆放大器;引脚分配

漏

NTP

6411ANG

AYWW

门

漏

来源

门

NTB

6411ANG

AYWW

漏

来源

6411AN =具体设备守则

=无铅器件

=大会地点

=年

WW =工作周

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

半导体元件工业有限责任公司， 2009年

2009年10月

第0版

出版订单号：

NTB6411AN/D

NTB6411AN ， NTP6411AN

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

漏极至源极击穿电压Temper-

ATURE系数

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

G（ TH ）

D（上）

D（关闭）

= 0 V，I

= 72 A,

/ DT = 100 A / MS

= 72 A

= 25°C

= 125°C

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

= 10 V, V

= 80 V,

= 72 A，R

= 6.2

= 10 V, V

= 80 V,

= 72 A

= 25 V, V

= 0 V,

F = 1 MHz的

= 10 V，I

= 72 A

= 5 V，I

= 10 A

= 0 V,

= 100 V

= 25°C

= 125°C

= 0 V，I

= 250

100

113

1.0

100

$100

毫伏/°C的

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

负阈值温度系数

漏极 - 源极导通电阻

正向跨导

收费，电容&栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

高原电压

栅极电阻

= 0 V, V

$20

= V

, I

= 250

2.0

8.6

12.7

4.0

毫伏/°C的

3700

550

200

100

4.0

5.2

3.1

开关特性，V

= 10 V

（注3）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

0.92

0.86

330

1.3

144

107

157

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

3.开关特性是独立的工作结点温度。

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160

140

，漏电流（ A）

120

100

5.0 V

= 4.4 V

6.0 V

5.6 V

= 25°C

160

10 V

7.5 V

6.5 V

，漏电流（ A）

140

120

100

= 125°C

55°C

，栅 - 源极电压（ V）

= 25°C

10 V

，漏极至源极电压（ V）

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.04

图2.传输特性

0.035

= 72 A

= 25°C

= 10 V

0.03

DS （ ON）

= 175°C

= 125°C

0.025

0.02

= 25°C

0.01

55°C

0.015

0.005

，栅 - 源极电压（ V）

，漏电流（ A）

图3.在区域与栅极电压

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2.5

1.5

0.5

1000

100000

图4.导通电阻与漏电流

和温度

= 0 V

= 72 A

= 10 V

DSS

，漏电（ NA）

10000

= 150°C

= 125°C

100 125

，结温（ ° C）

150

175

90 100

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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，栅 - 源极电压（ V）

= 25°C

= 0 V

，漏极至源极电压（ V）

8000

7000

C，电容（pF ）

6000

5000

4000

3000

2000

1000

RSS

OSS

10 20 30 40 50 60 70 80 90

，漏极至源极电压（ V）

国际空间站

100

= 80 V

= 72 A

= 25°C

，总栅极电荷（ NC）

100

图7.电容变化

1000

= 80 V

= 72 A

= 10 V

图8.栅极 - 源极电压和

漏极至源极电压与总充电

，源电流（ A）

= 25°C

= 0 V

D（关闭）

D（上）

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

，源极到漏极电压（V ）

1.0

T， TIME （ NS ）

100

，栅极电阻（ W）

100

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

1000

雪崩能量（兆焦耳）

500

图10.二极管的正向电压与

当前

= 56 A

，漏电流（ A）

100

400

300

200

100

1毫秒

10毫秒

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

= 10 V

单脉冲

= 25°C

0.1

100

，漏极至源极电压（ V）

1000

100

125

150

，起动结温

175

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量对比

开始结温

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D = 0.5

0.2

0.1

R（ T）（ ° C / W）

0.1

0.05

0.02

0.01 0.01

单脉冲

0.001

0.000001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T，脉冲时间（s ）

100

1000

图13.热响应

订购信息

设备

NTB6411ANG

NTB6411ANT4G

NTP6411ANG

包

PAK

（无铅）

PAK

（无铅）

TO220

（无铅）

航运

50单位/铁

800 /磁带&卷轴

50单位/铁

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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