添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第246页 > NTB60N06G
NTP60N06 ， NTB60N06
功率MOSFET
60 V ， 60 A ， N沟道
的TO-220和D
2
PAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
典型应用
60伏， 60安培
R
DS （ ON）
= 14毫瓦
N沟道
D
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
G
S
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 10毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 100°C
- 单脉冲（T
p
v10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 75 VDC ，V
GS
= 10 VDC ， L = 0.3 mH的
I
L（ PK）
= 55 A，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
60
60
"20
"30
60
42.3
180
150
1.0
2.4
-55
+175
454
ADC
APK
W
W / ℃，
W
°C
mJ
4
单位
VDC
VDC
VDC
TO220
CASE 221A
风格5
4
记号
图表
4
漏
NTx60N06
AYWW
1
2
3
1
门
2
漏
4
漏
D
2
PAK
CASE 418B
方式2
3
来源
T
J
, T
英镑
E
AS
2
NTx60N06
AYWW
° C / W
R
QJC
R
qJA
T
L
1.0
62.5
260
°C
3
2
1
3
漏
门
来源
NTx60N06
x
A
Y
WW
=器件代码
= P或B
=大会地点
=年
=工作周
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.表面贴装的FR4板采用最小建议垫
大小（铜面积在0.412
2
).
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年10月 - 第3版
出版订单号：
NTP60N06/D
NTP60N06 ， NTB60N06
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注2 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
20伏直流电，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压（注2 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注2 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 30 ADC）
静态漏 - 源极导通电压（注2 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 60 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 30 ADC ，T
J
= 150°C)
正向跨导（注2 ） （V
DS
= 8.0伏，我
D
= 12 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
DS
= 48伏直流，我
D
= 60 ADC ，
Vd
Ad
V
GS
= 10 VDC ） （注2 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
反向恢复时间
(I
S
= 60 ADC ，V
GS
= 0伏，
Ad
Vd
dI
S
/ DT = 100 A / MS） （注2 ）
反向恢复电荷存储
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
(I
S
= 60 ADC ，V
GS
= 0伏） （注2 ）
(I
S
= 45 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
0.99
0.87
64.9
44.1
20.8
0.146
1.05
mC
VDC
ns
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 60 ADC ，
V
GS
= 10伏，R
G
= 9.1
W)
（注2 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
25.5
180.7
94.5
142.5
62
10.8
29.4
50
360
200
300
81
nC
ns
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0伏，
Vd
Vd
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
2300
660
144
3220
925
300
pF
V
GS （ TH）
2.0
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
0.715
1.43
35
1.01
姆欧
11.5
14
VDC
2.85
8.0
4.0
VDC
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
60
I
DSS
I
GSS
1.0
10
±100
NADC
72.3
69.8
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NTP60N06 ， NTB60N06
120
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
100
80
60
40
20
0
V
GS
= 10 V
9V
8V
6V
120
7V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
100
80
60
40
T
J
= 25°C
20
0
T
J
= 100°C
T
J
= 55°C
3
7
4
5
6
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
8
V
DS
≥
10 V
5.5 V
5V
4.5 V
0
1
2
3
4
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
5
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.026
V
DS
= 10 V
0.022
T
J
= 100°C
0.018
0.026
V
GS
= 15 V
0.022
0.018
T
J
= 100°C
0.014
T
J
= 25°C
0.014
T
J
= 25°C
0.01
T
J
= 55°C
0.006
0
20
40
60
80
100
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
120
0.01
T
J
= 55°C
0.006
0
20
40
60
80
100
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
120
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（标准化）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
10,000
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
T
J
= 125°C
100
T
J
= 100°C
10
25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTP60N06 ， NTB60N06
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
6400
V
DS
= 0 V
5600
C，电容（pF ）
4800
4000
3200
C
RSS
2400
1600
800
0
10
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
C
OSS
C
国际空间站
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
4
NTP60N06 ， NTB60N06
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
12
10
8
Q
1
6
4
2
0
0
Q
2
Q
T
V
GS
T， TIME （ NS ）
1000
V
DS
= 30 V
I
D
= 60 A
V
GS
= 10 V
t
r
100
t
f
t
D（关闭）
I
D
= 60 A
T
J
= 25°C
10
20
30
40
50
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
60
70
10
1
t
D（上）
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
60
I
S
，源电流（安培）
50
40
T
J
= 150°C
30
20
10
0
0.4
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
0.48
0.56
0.64
0.72
0.8
0.88
0.96
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图10.二极管的正向电压与电流
安全工作区
正向偏置安全工作区曲线定义
的最大同时漏极 - 源极电压和
漏电流的晶体管可以处理安全时，它是
正向偏置。曲线是基于最大峰值
结温度和壳体温度（T
C
） 25℃ 。
重复峰值脉冲功率限制使用确定
在与程序一起使用时的热响应数据
讨论
in
AN569,
“瞬间
热
电阻一般数据和它的使用。 “
关断状态，导通状态可能会之间的切换
遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流
(I
DM
），也不额定电压（V
DSS
）的上限和
过渡时间（t
r
,t
f
）不超过10
女士。
此外，该总
功率平均一个完整的开关周期不得
超过（T
J（下最大）
T
C
)/(R
QJC
).
指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用
与松开感性负载的开关电路。为
可靠的操作，所存储的能量从电路电感
耗散在晶体管，而在雪崩必须小于
超过额定界限和调节操作条件
从这些规定不同。虽然行业惯例是
以速度在能源方面，雪崩能量能力不
一个常数。能量等级降低非线性地与
峰值电流的增加，雪崩和峰值结
温度。
虽然许多E-场效应管能承受的压力
漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲
电流（I
DM
） ，能量等级在额定指定
连续电流（I
D
） ，按照行业惯例。
能量等级必须降低温度，如图
在所附的图中（图12） 。在最大能量
低于额定连续电流我
D
可以安全地假定为
等于指定的值。
http://onsemi.com
5
NTP60N06 ， NTB60N06
功率MOSFET
60 V ， 60 A ， N沟道
的TO-220和D
2
PAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
典型应用
60伏， 60安培
R
DS （ ON）
= 14毫瓦
N沟道
D
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
G
S
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 10毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 100°C
- 单脉冲（T
p
v10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 75 VDC ，V
GS
= 10 VDC ， L = 0.3 mH的
I
L（ PK）
= 55 A，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
60
60
"20
"30
60
42.3
180
150
1.0
2.4
-55
+175
454
ADC
APK
W
W / ℃，
W
°C
mJ
4
单位
VDC
VDC
VDC
TO220
CASE 221A
风格5
4
记号
图表
4
漏
NTx60N06
AYWW
1
2
3
1
门
2
漏
4
漏
D
2
PAK
CASE 418B
方式2
3
来源
T
J
, T
英镑
E
AS
2
NTx60N06
AYWW
° C / W
R
QJC
R
qJA
T
L
1.0
62.5
260
°C
3
2
1
3
漏
门
来源
NTx60N06
x
A
Y
WW
=器件代码
= P或B
=大会地点
=年
=工作周
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.表面贴装的FR4板采用最小建议垫
大小（铜面积在0.412
2
).
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年10月 - 第3版
出版订单号：
NTP60N06/D
NTP60N06 ， NTB60N06
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注2 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
20伏直流电，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压（注2 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注2 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 30 ADC）
静态漏 - 源极导通电压（注2 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 60 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 30 ADC ，T
J
= 150°C)
正向跨导（注2 ） （V
DS
= 8.0伏，我
D
= 12 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
DS
= 48伏直流，我
D
= 60 ADC ，
Vd
Ad
V
GS
= 10 VDC ） （注2 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
反向恢复时间
(I
S
= 60 ADC ，V
GS
= 0伏，
Ad
Vd
dI
S
/ DT = 100 A / MS） （注2 ）
反向恢复电荷存储
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
(I
S
= 60 ADC ，V
GS
= 0伏） （注2 ）
(I
S
= 45 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
0.99
0.87
64.9
44.1
20.8
0.146
1.05
mC
VDC
ns
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 60 ADC ，
V
GS
= 10伏，R
G
= 9.1
W)
（注2 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
25.5
180.7
94.5
142.5
62
10.8
29.4
50
360
200
300
81
nC
ns
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0伏，
Vd
Vd
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
2300
660
144
3220
925
300
pF
V
GS （ TH）
2.0
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
0.715
1.43
35
1.01
姆欧
11.5
14
VDC
2.85
8.0
4.0
VDC
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
60
I
DSS
I
GSS
1.0
10
±100
NADC
72.3
69.8
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NTP60N06 ， NTB60N06
120
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
100
80
60
40
20
0
V
GS
= 10 V
9V
8V
6V
120
7V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
100
80
60
40
T
J
= 25°C
20
0
T
J
= 100°C
T
J
= 55°C
3
7
4
5
6
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
8
V
DS
≥
10 V
5.5 V
5V
4.5 V
0
1
2
3
4
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
5
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.026
V
DS
= 10 V
0.022
T
J
= 100°C
0.018
0.026
V
GS
= 15 V
0.022
0.018
T
J
= 100°C
0.014
T
J
= 25°C
0.014
T
J
= 25°C
0.01
T
J
= 55°C
0.006
0
20
40
60
80
100
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
120
0.01
T
J
= 55°C
0.006
0
20
40
60
80
100
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
120
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（标准化）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
10,000
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
T
J
= 125°C
100
T
J
= 100°C
10
25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTP60N06 ， NTB60N06
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
6400
V
DS
= 0 V
5600
C，电容（pF ）
4800
4000
3200
C
RSS
2400
1600
800
0
10
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
C
OSS
C
国际空间站
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
4
NTP60N06 ， NTB60N06
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
12
10
8
Q
1
6
4
2
0
0
Q
2
Q
T
V
GS
T， TIME （ NS ）
1000
V
DS
= 30 V
I
D
= 60 A
V
GS
= 10 V
t
r
100
t
f
t
D（关闭）
I
D
= 60 A
T
J
= 25°C
10
20
30
40
50
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
60
70
10
1
t
D（上）
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
60
I
S
，源电流（安培）
50
40
T
J
= 150°C
30
20
10
0
0.4
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
0.48
0.56
0.64
0.72
0.8
0.88
0.96
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图10.二极管的正向电压与电流
安全工作区
正向偏置安全工作区曲线定义
的最大同时漏极 - 源极电压和
漏电流的晶体管可以处理安全时，它是
正向偏置。曲线是基于最大峰值
结温度和壳体温度（T
C
） 25℃ 。
重复峰值脉冲功率限制使用确定
在与程序一起使用时的热响应数据
讨论
in
AN569,
“瞬间
热
电阻一般数据和它的使用。 “
关断状态，导通状态可能会之间的切换
遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流
(I
DM
），也不额定电压（V
DSS
）的上限和
过渡时间（t
r
,t
f
）不超过10
女士。
此外，该总
功率平均一个完整的开关周期不得
超过（T
J（下最大）
T
C
)/(R
QJC
).
指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用
与松开感性负载的开关电路。为
可靠的操作，所存储的能量从电路电感
耗散在晶体管，而在雪崩必须小于
超过额定界限和调节操作条件
从这些规定不同。虽然行业惯例是
以速度在能源方面，雪崩能量能力不
一个常数。能量等级降低非线性地与
峰值电流的增加，雪崩和峰值结
温度。
虽然许多E-场效应管能承受的压力
漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲
电流（I
DM
） ，能量等级在额定指定
连续电流（I
D
） ，按照行业惯例。
能量等级必须降低温度，如图
在所附的图中（图12） 。在最大能量
低于额定连续电流我
D
可以安全地假定为
等于指定的值。
http://onsemi.com
5
查看更多NTB60N06GPDF信息
推荐型号
NM93C06LZN
NTE1898
N2160Y1EN1S
NPe405H-3BA133CZ
NSD15-12D5
NM24W16ULZEM8
NCP1596A
NTE8556
NFR25H-22R-5
NX8571SC553-BA
NJW1191V
N87C54
NTGS3130N
NTE1245
NAND01GR3A0AZA1E
NJM4558L
ND3FR10B
NMC27C128BN150
NON-150
NJM2102
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTB60N06G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
NTB60N06G
ONS
2413+
12000
D2PAK
原装正品假一罚百/门市现货一只起售
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1184826453 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
NTB60N06G
ON
20+
6000
TO263
百分之百原装进口现货
深圳市鑫远鹏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885742022 复制
电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
NTB60N06G
ON/安森美
18+
15600
D2PAK
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NTB60N06G
onsemi
24+
10000
D2PAK
原厂一级代理，原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
NTB60N06G
ON/安森美
2443+
23000
TO-263
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NTB60N06G
VBSEMI/台湾微碧
24+
8640
TO263
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
NTB60N06G
ON
25+23+
25500
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!
深圳市华胜英科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2273544375 复制 点击这里给我发消息 QQ：1402770874 复制

电话：13711580601
联系人：郭
地址：深圳市福田区华强北华强广场B座
NTB60N06G
VBsemi
21+
10000
TO263
原装正品 力挺实单
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
NTB60N06G
VBsemi
21+22+
62710
TO263
原装正品
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
NTB60N06G
VBsemi
21+
10065
TO263
原装正品，支持实单
查询更多NTB60N06G供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！