【NTB5605P功率MOSFET-60 V， -18.5 A， P沟道，D2PAK特点专为低RDS 】,IC型号NTB5605P,NTB5605P PDF资料,NTB5605P经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTB5605P

功率MOSFET

-60 V， -18.5 A， P沟道，D

2

PAK

特点

专为低R

DS （ ON）

可承受高能量的雪崩和减刑模式

应用

V

（ BR ） DSS

60 V

http://onsemi.com

R

DS （ ON）

典型值

120毫瓦@ -5.0 V

I

D

最大

18.5 A

电源

PWM电机控制

转换器

电源管理

P- CHANNEL

D

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

电流（注1 ）

功耗

（注1 ）

漏电流脉冲

稳定

状态

稳定

状态

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

符号

V

DSS

V

GS

I

D

P

D

I

DM

T

J

,

T

英镑

E

AS

价值

60

$20

18.5

88

55

-55

175

338

单位

V

A

W

A

°C

mJ

2

3

4

D

2

PAK

CASE 418B

方式2

G

S

t

p

= 10

ms

1

工作结温和存储温度

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（V

DD

= 25 V, V

GS

= 5.0 V，I

PK

= 15 A,

L = 3.0 mH的，R

G

= 25

W)

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

标记图

＆放大器;引脚分配

漏

T

L

260

°C

热电阻额定值

参数

结至外壳（漏） - 稳态

符号

R

QJC

最大

1.7

单位

° C / W

NTB5605P

YWW

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.当表面安装用1 “的焊盘尺寸（铜面积1.127在FR4板

2

).

2.表面安装用最小的FR4板推荐

焊盘尺寸（铜区0.41

2

).

漏

门

来源

NTB5605P =器件代码

Y

=年

WW

=工作周

订购信息

设备

NTB5605P

NTB5605PT4

包

D

2

PAK

D

2

PAK

航运

50单位/铁

800 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年8月 - 第1版

出版订单号：

NTB5605P/D

NTB5605P

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

I

DSS

V

GS

= 0 V

V

DS

= 60 V

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注3）

栅极阈值电压

漏极至源极导通电阻

正向跨导

漏极至源极导通电压

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

V

DS （ ON）

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

mA

V

GS

= -5.0 V，I

D

= 8.5 A

V

GS

= -5.0 V，I

D

= 17 A

V

DS

= -10 V，I

D

= 8.5 A

V

GS

= -5.0 V，I

D

= 8.5 A

1.0

1.5

120

140

12

1.3

2.0

140

V

mW

S

V

I

GSS

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

60

64

1.0

10

"100

nA

V

毫伏/°C的

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

V

DS

= 0 V, V

GS

=

"20

V

收费，电容和栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

V

SD

V

GS

= 0 V

I

S

= 17 A

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

1.55

1.4

60

V

GS

= 0 V ，二

S

/ DT = 100 A / MS ，

I

S

= 17 A

39

21

0.14

nC

ns

2.5

V

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

= 5.0 V, V

DD

= 30 V,

I

D

= -17 A，R

G

= 9.1

W

12.5

122

29

75

25

183

58

150

ns

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

GS

Q

GD

V

GS

= 5.0 V, V

DS

= 48 V,

I

D

= 17 A

V

GS

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

V

DS

= 25 V

730

211

67

13

4.0

7.0

1190

300

120

22

nC

pF

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

t

rr

t

a

t

b

Q

RR

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NTB5605P

40

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

35

30

25

20

15

10

5

0

8

1

3

5

7

9

2

4

6

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

10

V

GS

= 3.5 V

V

GS

= 3 V

0

1

2

3

5

7

6

4

8

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

9

V

GS

= 10 V

V

GS

= 9 V

V

GS

= 8 V

V

GS

= 7 V

T

J

= 25°C

40

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 6 V

V

GS

= 5.5 V

V

GS

= 5 V

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 4 V

V

DS

= 10 V

T

J

= 55°C

30

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

20

10

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ Ω ）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ Ω ）

图2.传输特性

0.5

0.45

0.4

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0

5

10

T

J

= 55°C

15

20

25

30

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 5.0 V

0.25

0.225

0.2

0.175

0.15

0.125

0.1

0.075

0.05

0.025

0

T

J

= 25°C

V

GS

= 5.0 V

V

GS

= 10 V

3

6

9

12

15

18

21

24

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与漏电流和

温度

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

50

1

25

0

25

50

75

100

125

150

5

I

D

= 8.5 A

V

GS

= 5.0 V

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

10000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

T

J

= 125°C

100

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NTB5605P

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

2400

2200

2000

1800

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

0

10

C

RSS

5 V

GS

0 V

DS

5

10

15

20

C

OSS

8

7

6

5

4

Q

GS

3

2

1

0

4

8

12

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

I

D

= 17 A

T

J

= 25°C

0

16

Q

DS

Q

T

V

GS

V

DS

60

V

DS

= 0 V

C

国际空间站

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

C，电容（pF ）

45

C

RSS

C

国际空间站

30

15

25

栅极 - 源极或漏极至源极电压

（伏）

图7.电容变化

1000

I

S

，源电流（安培）

20

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

15

T， TIME （ NS ）

100

t

r

t

f

t

D（关闭）

10

t

D（上）

V

DD

= 30 V

I

D

= 17 A

V

GS

= 5.0 V

5

1

10

R

G

，栅极电阻（ Ω ）

100

0

0.25

0.5

0.75

1

1.25

1.5

1.75

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

1000

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

100

E

AS

，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

400

图10.二极管的正向电压与电流

I

D

= 15 A

350

300

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

125

150

10

dc

10毫秒

1毫秒

100

s

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

1

10

s

100

1

0.1

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

T

J

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

http://onsemi.com

4

NTB5605P

R（T ），有效瞬态热

电阻（标准化）

1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.01

单脉冲

0.001

0.01

T，时间（S ）

0.1

1

10

0.1

0.0001

图13.热响应

的di / dt

I

S

t

rr

t

a

t

b

时间

t

p

I

S

0.25 I

S

图14.二极管的反向恢复波形

http://onsemi.com

5

NTB5605P

功率MOSFET

-60 V， -18.5 A， P沟道，D

2

PAK

特点

专为低R

DS （ ON）

可承受高能量的雪崩和减刑模式

应用

V

（ BR ） DSS

60 V

http://onsemi.com

R

DS （ ON）

典型值

120毫瓦@ -5.0 V

I

D

最大

18.5 A

电源

PWM电机控制

转换器

电源管理

P- CHANNEL

D

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

电流（注1 ）

功耗

（注1 ）

漏电流脉冲

稳定

状态

稳定

状态

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

符号

V

DSS

V

GS

I

D

P

D

I

DM

T

J

,

T

英镑

E

AS

价值

60

$20

18.5

88

55

-55

175

338

单位

V

A

W

A

°C

mJ

2

3

4

D

2

PAK

CASE 418B

方式2

G

S

t

p

= 10

ms

1

工作结温和存储温度

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（V

DD

= 25 V, V

GS

= 5.0 V，I

PK

= 15 A,

L = 3.0 mH的，R

G

= 25

W)

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

标记图

＆放大器;引脚分配

漏

T

L

260

°C

热电阻额定值

参数

结至外壳（漏） - 稳态

符号

R

QJC

最大

1.7

单位

° C / W

NTB5605P

YWW

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.当表面安装用1 “的焊盘尺寸（铜面积1.127在FR4板

2

).

2.表面安装用最小的FR4板推荐

焊盘尺寸（铜区0.41

2

).

漏

门

来源

NTB5605P =器件代码

Y

=年

WW

=工作周

订购信息

设备

NTB5605P

NTB5605PT4

包

D

2

PAK

D

2

PAK

航运

50单位/铁

800 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年8月 - 第1版

出版订单号：

NTB5605P/D

NTB5605P

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

I

DSS

V

GS

= 0 V

V

DS

= 60 V

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注3）

栅极阈值电压

漏极至源极导通电阻

正向跨导

漏极至源极导通电压

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

V

DS （ ON）

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

mA

V

GS

= -5.0 V，I

D

= 8.5 A

V

GS

= -5.0 V，I

D

= 17 A

V

DS

= -10 V，I

D

= 8.5 A

V

GS

= -5.0 V，I

D

= 8.5 A

1.0

1.5

120

140

12

1.3

2.0

140

V

mW

S

V

I

GSS

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

60

64

1.0

10

"100

nA

V

毫伏/°C的

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

V

DS

= 0 V, V

GS

=

"20

V

收费，电容和栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

V

SD

V

GS

= 0 V

I

S

= 17 A

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

1.55

1.4

60

V

GS

= 0 V ，二

S

/ DT = 100 A / MS ，

I

S

= 17 A

39

21

0.14

nC

ns

2.5

V

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

= 5.0 V, V

DD

= 30 V,

I

D

= -17 A，R

G

= 9.1

W

12.5

122

29

75

25

183

58

150

ns

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

GS

Q

GD

V

GS

= 5.0 V, V

DS

= 48 V,

I

D

= 17 A

V

GS

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

V

DS

= 25 V

730

211

67

13

4.0

7.0

1190

300

120

22

nC

pF

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

t

rr

t

a

t

b

Q

RR

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NTB5605P

40

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

35

30

25

20

15

10

5

0

8

1

3

5

7

9

2

4

6

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

10

V

GS

= 3.5 V

V

GS

= 3 V

0

1

2

3

5

7

6

4

8

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

9

V

GS

= 10 V

V

GS

= 9 V

V

GS

= 8 V

V

GS

= 7 V

T

J

= 25°C

40

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 6 V

V

GS

= 5.5 V

V

GS

= 5 V

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 4 V

V

DS

= 10 V

T

J

= 55°C

30

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

20

10

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ Ω ）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ Ω ）

图2.传输特性

0.5

0.45

0.4

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0

5

10

T

J

= 55°C

15

20

25

30

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 5.0 V

0.25

0.225

0.2

0.175

0.15

0.125

0.1

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0.05

0.025

0

T

J

= 25°C

V

GS

= 5.0 V

V

GS

= 10 V

3

6

9

12

15

18

21

24

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与漏电流和

温度

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

50

1

25

0

25

50

75

100

125

150

5

I

D

= 8.5 A

V

GS

= 5.0 V

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

10000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

T

J

= 125°C

100

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NTB5605P

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

2400

2200

2000

1800

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

0

10

C

RSS

5 V

GS

0 V

DS

5

10

15

20

C

OSS

8

7

6

5

4

Q

GS

3

2

1

0

4

8

12

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

I

D

= 17 A

T

J

= 25°C

0

16

Q

DS

Q

T

V

GS

V

DS

60

V

DS

= 0 V

C

国际空间站

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

C，电容（pF ）

45

C

RSS

C

国际空间站

30

15

25

栅极 - 源极或漏极至源极电压

（伏）

图7.电容变化

1000

I

S

，源电流（安培）

20

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

15

T， TIME （ NS ）

100

t

r

t

f

t

D（关闭）

10

t

D（上）

V

DD

= 30 V

I

D

= 17 A

V

GS

= 5.0 V

5

1

10

R

G

，栅极电阻（ Ω ）

100

0

0.25

0.5

0.75

1

1.25

1.5

1.75

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

1000

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

100

E

AS

，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

400

图10.二极管的正向电压与电流

I

D

= 15 A

350

300

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

125

150

10

dc

10毫秒

1毫秒

100

s

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

1

10

s

100

1

0.1

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

T

J

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

http://onsemi.com

4

NTB5605P

R（T ），有效瞬态热

电阻（标准化）

1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.01

单脉冲

0.001

0.01

T，时间（S ）

0.1

1

10

0.1

0.0001

图13.热响应

的di / dt

I

S

t

rr

t

a

t

b

时间

t

p

I

S

0.25 I

S

图14.二极管的反向恢复波形

http://onsemi.com

5

NTB5605P

功率MOSFET

-60伏， -18.5放大器

P沟道，D

2

PAK

特点

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

60 V

R

DS （ ON）

典型值

120毫瓦@ -5.0 V

P- CHANNEL

D

I

D

最大

18.5 A

专为低R

DS （ ON）

可承受高能量的雪崩和减刑模式

无铅包可用

应用

电源

PWM电机控制

转换器

电源管理

G

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

电流（注1 ）

功耗

（注1 ）

漏电流脉冲

稳定

状态

稳定

状态

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

符号

V

DSS

V

GS

I

D

P

D

I

DM

T

J

,

T

英镑

E

AS

价值

60

$20

18.5

88

55

-55

175

338

单位

V

A

W

1

A

°C

mJ

2

3

D

2

PAK

CASE 418B

方式2

4

S

标记图

＆放大器;引脚分配

4

漏

t

p

= 10

ms

NTB5605PG

AYWW

工作结温和存储温度

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（V

DD

= 25 V, V

GS

= 5.0 V，I

PK

= 15 A,

L = 3.0 mH的，R

G

= 25

W)

无铅焊接温度的目的

（从1/8的情况下为10秒）

1

门

2

漏

3

来源

T

L

260

°C

热电阻额定值

参数

结至外壳（漏） - 稳态

符号

R

QJC

最大

1.7

单位

° C / W

NTB5605P

A

Y

WW

G

=器件代码

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.当表面安装用1 “的焊盘尺寸（铜面积1.127在FR4板

2

).

2.表面安装用最小的FR4板推荐

焊盘尺寸（铜区0.41

2

).

订购信息

设备

NTB5605P

NTB5605PG

NTB5605PT4

NTB5605PT4G

包

D

2

PAK

D

2

PAK

（无铅）

D

2

PAK

D

2

PAK

（无铅）

航运

50单位/铁

800磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年8月 - 第2版

出版订单号：

NTB5605P/D

NTB5605P

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

I

DSS

V

GS

= 0 V

V

DS

= 60 V

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注3）

栅极阈值电压

漏极至源极导通电阻

正向跨导

漏极至源极导通电压

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

V

DS （ ON）

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

mA

V

GS

= -5.0 V，I

D

= 8.5 A

V

GS

= -5.0 V，I

D

= 17 A

V

DS

= -10 V，I

D

= 8.5 A

V

GS

= -5.0 V，I

D

= 8.5 A

1.0

1.5

120

140

12

1.3

2.0

140

V

mW

S

V

I

GSS

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

60

64

1.0

10

"100

nA

V

毫伏/°C的

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

V

DS

= 0 V, V

GS

=

"20

V

收费，电容和栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

V

SD

V

GS

= 0 V

I

S

= 17 A

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

1.55

1.4

60

V

GS

= 0 V ，二

S

/ DT = 100 A / MS ，

I

S

= 17 A

39

21

0.14

nC

ns

2.5

V

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

= 5.0 V, V

DD

= 30 V,

I

D

= -17 A，R

G

= 9.1

W

12.5

122

29

75

25

183

58

150

ns

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

GS

Q

GD

V

GS

= 5.0 V, V

DS

= 48 V,

I

D

= 17 A

V

GS

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

V

DS

= 25 V

730

211

67

13

4.0

7.0

1190

300

120

22

nC

pF

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

t

rr

t

a

t

b

Q

RR

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NTB5605P

40

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

35

30

25

20

15

10

5

0

2

4

6

8

1

3

5

7

9

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

10

V

GS

= 3.5 V

V

GS

= 3 V

0

4

6

8

1

2

3

5

7

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

9

V

GS

= 10 V

V

GS

= 9 V

V

GS

= 8 V

V

GS

= 7 V

T

J

= 25°C

40

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 6 V

V

GS

= 5.5 V

V

GS

= 5 V

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 4 V

V

DS

= 10 V

T

J

= 55°C

30

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

20

10

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.5

0.45

0.4

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0

5

10

T

J

= 55°C

15

20

25

30

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 5.0 V

0.25

0.225

0.2

0.175

0.15

0.125

0.1

0.075

0.05

0.025

0

T

J

= 25°C

V

GS

= 5.0 V

V

GS

= 10 V

3

6

9

12

15

18

21

24

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与漏电流和

温度

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

50

1

25

0

25

50

75

100

125

150

5

I

D

= 8.5 A

V

GS

= 5.0 V

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

10000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

T

J

= 125°C

100

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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3

NTB5605P

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

2400

2200

2000

1800

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

0

10

C

RSS

5 V

GS

0 V

DS

5

10

15

20

C

OSS

8

7

6

5

4

Q

GS

3

2

1

0

4

8

12

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

I

D

= 17 A

T

J

= 25°C

0

16

Q

DS

Q

T

V

GS

V

DS

60

V

DS

= 0 V

C

国际空间站

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

C，电容（pF ）

45

C

RSS

C

国际空间站

30

15

25

栅极 - 源极或漏极至源极电压

（伏）

图7.电容变化

1000

I

S

，源电流（安培）

20

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

15

T， TIME （ NS ）

100

t

r

t

f

t

D（关闭）

10

t

D（上）

V

DD

= 30 V

I

D

= 17 A

V

GS

= 5.0 V

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

5

1

0

0.25

0.5

0.75

1

1.25

1.5

1.75

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

1000

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

100

E

AS

，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

400

图10.二极管的正向电压与电流

I

D

= 15 A

350

300

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

125

150

10

dc

10毫秒

1毫秒

100

ms

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

1

10

ms

100

1

0.1

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

T

J

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

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4

NTB5605P

R（T ），有效瞬态热

电阻（标准化）

1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.01

单脉冲

0.001

0.01

T，时间（S ）

0.1

1

10

0.1

0.0001

图13.热响应

的di / dt

I

S

t

rr

t

a

t

b

时间

t

p

I

S

0.25 I

S

图14.二极管的反向恢复波形

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