【NTB5412N ， NTP5412N功率MOSFET60安培， 60伏N沟2PAK ， TO- 2】,IC型号NTB5412NT4G,NTB5412NT4G PDF资料,NTB5412NT4G经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NTB5412N ， NTP5412N

功率MOSFET

60安培， 60伏

N沟

2

PAK ， TO- 220

特点

低R

DS （ ON）

高电流能力

较高的雪崩能量

这些无铅器件

LED照明和LED背光驱动器

DC-DC转换器

DC电机驱动器

电源二次侧同步整流

参数

符号

V

DSS

V

GS

V

GS

I

D

价值

60

$20

$30

60

44

P

D

I

DM

T

J

, T

英镑

I

S

E

AS

125

155

55

to

175

60

180

W

A

°C

A

mJ

单位

V

V

V

A

http://onsemi.com

I

D

最大

（注1 ）

60 A

V

（ BR ） DSS

60 V

R

DS （ ON）

最大

14毫瓦@ 10 V

应用

N沟道

D

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

G

S

4

4

1

TO220AB

CASE 221A

风格5

2

3

D

2

PAK

CASE 418B

方式2

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续

栅极 - 源极电压

不重复

(T

P

＆ LT ; 10

女士）

连续漏极

当前

QJC

（注1 ）

功耗

R

QJC

（注1 ）

漏电流脉冲

稳定

状态

稳定

状态

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

T

C

= 25°C

t

p

= 10

ms

工作和存储温度范围

源电流（体二极管）

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源

起始物为

J

= 25°C

(V

DD

= 50 V

dc

, V

GS

= 10 V

dc

, I

L（ PK）

= 60 A,

L = 0.1 mH的，R

G

= 25

W)

无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

1

2

3

标记图

＆放大器;引脚分配

4

漏

4

漏

T

L

260

°C

NTP

5412NG

AYWW

1

门

2

漏

3

来源

G

A

Y

WW

1

门

热电阻额定值

参数

结至外壳（漏）稳态

（注1 ）

符号

R

QJC

R

qJA

最大

1.2

43.2

单位

° C / W

NTB

5412NG

AYWW

2

漏

3

来源

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表面安装用1平方英寸焊盘尺寸FR4板，

（铜面积1.127平方[ 1盎司]包括痕迹）。

=无铅器件

=大会地点

=年

=工作周

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

半导体元件工业有限责任公司， 2008年

2008年11月

第1版

1

出版订单号：

NTB5412N/D

NTB5412N ， NTP5412N

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

漏极至源极击穿电压Temper-

ATURE系数

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

V

DS （ ON）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

t

rr

t

a

t

b

Q

RR

V

GS

= 0 V

I

S

= 60 A

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 10 V, V

DD

= 48 V,

I

D

= 60 A，R

G

= 2.5

W

V

GS

= 0 V, V

DS

= 48 V,

I

D

= 60 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 60 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 30 A， 150℃

静态漏 - 源极导通电阻

正向跨导

收费，电容&栅极电阻

输入电容

输出电容

传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1 MHz的

2325

440

170

66

2.8

13.4

31

85

nC

3220

pF

V

GS

= 10 V，I

D

= 30 A

V

GS

= 15 V，I

D

= 30 A

V

GS

= 0 V

V

DS

= 60 V

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

V

DS

= 0 V，I

D

= 250

mA

60

54.6

1.0

100

$100

nA

V

毫伏/°C的

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

门体漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

负阈值温度系数

漏极至源极导通电压

V

DS

= 0 V, V

GS

=

$20

V

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

mA

2.0

3.3

6.4

0.7

0.75

11.1

58

4.0

V

毫伏/°C的

1.2

V

14

mW

S

开关特性，V

GS

= 10 V

（注3）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

1.0

0.9

75

54

21

96

nC

ns

1.2

V

dc

14

115

41

89

ns

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷存储

I

S

= 60 A

dc

, V

GS

= 0 V

dc

,

dI

S

/ DT = 100 A / MS

2.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

3.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NTB5412N ， NTP5412N

典型性能曲线

100

I

D

，漏电流（ A）

80

60

40

20

0

10 V

T

J

= 25°C

6V

I

D

，漏电流（ A）

100 V

DS

≥

10 V

80

60

40

20

0

3

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

=

55°C

4

5

6

7

8

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

5.6 V

5.3 V

5.0 V

V

GS

= 4.5 V

0

1

2

3

4

5

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.050

0.045

0.040

0.035

0.030

0.025

0.020

0.015

0.010

0.005

5

6

7

8

I

D

= 30 A

T

J

= 25°C

0.015

0.014

0.013

0.012

0.011

0.010

0.009

0.008

0.007

0.006

0.005

10

20

30

40

50

60

V

GS

= 10 V

T

J

= 25°C

9

10

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

I

D

，漏电流（ A）

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2.4

2.2

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

50

25

0

25

50

75

100

125

150

175

10

I

D

= 60 A

V

GS

= 10 V

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

100

T

J

= 125°C

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55 60

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NTB5412N ， NTP5412N

典型性能曲线

5000

4500

C，电容（pF ）

4000

3500

3000

2500

2000

1500

1000

500

0

0

C

RSS

10

20

30

40

C

OSS

50

60

C

国际空间站

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

10

8

6

4

2

0

V

DS

= 48 V

I

D

= 60 A

T

J

= 25°C

0

10

20

30

40

50

60

70

Q

1

Q

2

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

Q

T

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

1000

I

S

，源电流（ A）

V

DD

= 48 V

I

D

= 60 A

V

GS

= 10 V

100

T， TIME （ NS ）

t

f

t

D（关闭）

10

t

D（上）

60

50

40

30

20

10

0

0.4

图8.栅极 - 源极电压与总

收费

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

t

r

1

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

1000

雪崩能量（兆焦耳）

1毫秒

100

ms

10

ms

200

图10.二极管的正向电压与电流

I

D

= 60 A

150

I

D

，漏电流（ A）

100

10毫秒

dc

10

0 V

≤

V

GS

≤

10 V

单脉冲

T

C

= 25°C

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

100

1

50

0.1

0

25

50

75

100

125

150

175

T

J

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

http://onsemi.com

4

NTB5412N ， NTP5412N

典型性能曲线

100

D = 0.5

10

1

0.1

0.01

单脉冲

0.001

0.000001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

表面安装用1平方英寸的焊盘尺寸，在FR4板1盎司铜

0.1

1

10

100

1000

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

R（T ），（ ℃/ W）的

T，脉冲时间（s ）

图13.热响应

订购信息

设备

NTP5412NG

NTB5412NT4G

包

TO220AB

（无铅）

D

2

PAK

（无铅）

航运

50单位/铁

800 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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5

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联系人：朱先生

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联系人：陈泽强

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联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

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