【NTB5405N功率MOSFET特点40 V ， 116 A单N沟道，D2PAK低RDS （ ON）】,IC型号NTB5405N,NTB5405N PDF资料,NTB5405N经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NTB5405N

功率MOSFET

特点

40 V ， 116 A单N沟道，D

2

PAK

低R

DS （ ON）

高电流能力

低栅电荷

这些无铅器件

V

（ BR ） DSS

40 V

http://onsemi.com

I

D

最大

（注1 ）

116 A

应用

R

DS （ ON）

典型值

4.9毫欧@ 10 V

电子制动系统

电子助力转向

桥电路

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

当前

R

QJC

（注1 ）

功耗

R

QJC

（注1 ）

漏电流脉冲

稳定

状态

稳定

状态

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

T

C

= 25°C

P

D

I

DM

T

J

,

T

英镑

I

S

EAS

符号

V

DSS

V

GS

I

D

价值

40

±20

116

82

150

280

55

to

175

75

800

W

A

单位

V

V

A

N沟道

D

G

S

t

p

= 10

ms

记号

图

1

2

3

D

2

PAK

CASE 418B

方式2

1

NTB5405N

G

A

Y

WW

=具体设备守则

=无铅器件

=大会地点

=年

=工作周

NTB5405NG

AYWW

工作结温和存储温度

源电流（体二极管）脉冲

单脉冲漏到源雪崩

能源

(V

DD

= 50 V, V

GS

= 10 V，I

PK

= 40 A,

L = 1 mH的，R

G

= 25

W)

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

°

C

A

mJ

T

L

260

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

热电阻额定值

参数

结至外壳（漏）（注1 ）

结到环境（注2 ）

结到环境（注3 ）

符号

R

θJC

R

θJA

R

θJA

最大

1.0

45

62.5

单位

° C / W

° C / W

° C / W

订购信息

设备

NTB5405NG

NTB5405NT4G

包

D

2

PAK

（无铅）

D

2

PAK

（无铅）

航运

50单位/铁

800 /磁带&卷轴

1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸

（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ）。

2.表面安装用1英寸的焊盘尺寸的FR4板，

在（铜面积1.127

2

).

3.表面贴装的FR4板采用最小建议垫

大小（铜面积在0.412

2

).

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2008年

2008年11月

第2版

1

出版订单号：

NTB5405N/D

NTB5405N

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

t

RR

t

a

t

b

Q

RR

V

GS

= 0 V ，二

SD

/ DT = 100 A / MS ，

I

S

= 20 A

T

J

= 25°C

T

J

= 100°C

V

GS

= 5 V, V

DD

= 20 V,

I

D

= 20 A，R

G

= 2.5

W

V

GS

= 10 V, V

DD

= 32 V,

I

D

= 40 A，R

G

= 2.5

W

V

GS

= 10 V, V

DS

= 32 V,

I

D

= 40 A

V

GS

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

V

DS

= 32 V

V

GS

= 10 V，I

D

= 40 A

V

GS

= 5.0 V，I

D

= 15 A

正向跨导

收费和电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

2700

700

300

88

3.25

9.5

37

4000

1400

600

nC

pF

V

GS

= 10 V，I

D

= 15 A

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 40 V

T

J

= 25°C

T

J

= 100°C

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

40

39

1.0

10

±100

nA

V

毫伏/°C的

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注4 ）

栅极阈值电压

栅极阈值温度

系数

漏极至源极导通电阻

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±30

V

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

mA

1.5

7.0

4.9

7.0

32

3.5

V

毫伏/°C的

5.8

8.0

mW

S

开关特性，V

GS

= 10 V

（注5 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

8.5

52

55

70

ns

开关特性，V

GS

= 5 V

（注5 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

19

153

32

42

ns

漏源二极管特性

正向二极管电压

V

GS

= 0 V,

I

S

= 20 A

0.82

待定

66

35

31

113

nC

ns

1.1

V

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

5.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NTB5405N

典型性能曲线

200

I

D,

漏电流（安培）

175

150

125

100

75

50

25

0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

4V

3.5 V

4.5 V

V

GS

= 6 V至10 V

T

J

= 25°C

5.5 V

5V

I

D,

漏电流（安培）

125

V

DS

≥

10 V

100

75

50

25

0

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

=

55°C

0

3

4

5

1

2

6

7

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

8

图1.区域特征

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.01

I

D

= 40 A

T

J

= 25°C

0.01

0.009

0.008

0.007

0.006

0.005

0.004

0.003

0.002

15

25

图2.传输特性

T

J

= 25°C

0.009

0.008

0.007

V

GS

= 5 V

0.006

0.005

V

GS

= 10 V

0.004

0.003

3

4

5

6

7

8

9

10

35

45

55

65

75

85

95

105 115

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

I

D,

漏电流（安培）

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

2

R

DS （ON ），

漏极 - 源极

电阻（标准化）

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

50

25

0

25

50

75

100

125

150

175

100000

I

D

= 40 A

V

GS

= 10 V

I

DSS

，漏电（ NA）

10000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

V

GS

= 0 V

T

J

= 175°C

1000

T

J

= 100°C

100

10

10

15

20

25

30

35

40

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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3

NTB5405N

典型性能曲线

8000

7000

C，电容（pF ）

6000

5000

4000

3000

2000

1000

0

10

C

RSS

V

GS

0

V

DS

10

20

30

40

C

OSS

C

RSS

C

国际空间站

VGS ，栅极至源极电压（伏）

V

DS

= 0 V V

GS

= 0 V

C

国际空间站

T

J

= 25°C

12

10

8

6

Q

GS

4

2

0

0

10

I

D

= 40 A

T

J

= 25°C

50

70

20

30

40

60

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

80

Q

GD

V

DS

QT

V

GS

36

30

V DS ，漏极至源极电压（伏）

24

18

12

6

0

90

栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）

图7.电容变化

1000

I

S

，源电流（安培）

V

DS

= 32 V

I

D

= 40 A

V

GS

= 10 V

T， TIME （ NS ）

100

t

f

t

D（关闭）

t

r

t

D（上）

40

35

30

25

20

15

10

5

0

0.4

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

10

1

1

10

R

G

，栅极电阻（欧姆）

100

0.5

0.7

0.6

0.8

0.9

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

1

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

1000

1毫秒

I

D

，漏电流（ A）

100

10毫秒

dc

10

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

100

ms

10

ms

雪崩能量（兆焦耳）

800

700

600

500

400

300

200

100

图10.二极管的正向电压与电流

I

D

= 40 A

1

0.1

0

25

50

75

100

125

150

175

T

J

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

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4

NTB5405N

典型性能曲线

100

D = 0.5

10

1

0.1

0.01

单脉冲

0.001

0.000001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

表面安装用1平方英寸的焊盘尺寸，在FR4板1盎司铜

0.1

1

10

100

1000

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

R（T ），（ ℃/ W）的

T，脉冲时间（s ）

图13.热响应

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5

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