NTB30N20
功率MOSFET
30安培， 200伏
N沟道增强模式
2
PAK
特点
http://onsemi.com
源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散
快恢复二极管
较高的雪崩能量
I
DSS
和R
DS （ ON）
指定高温
本发明提供用于D安装信息
2
PAK封装
无铅包可用
V
DSS
200 V
R
DS （ ON）
典型值
68毫瓦@ V
GS
= 10 V
I
D
最大
30 A
N沟道
D
典型应用
PWM电机控制
电源
转换器
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至源极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
- 连续@ T
A
25°C
- 连续@ T
A
100°C
- 脉冲（注2）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
D
I
DM
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
450
° C / W
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
0.7
62.5
50
260
°C
价值
200
200
"30
"40
30
22
90
214
1.43
2.0
-55
+175
ADC
单位
VDC
VDC
VDC
1
2
3
G
S
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
4
30N20G
AYWW
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
工作和存储温度范围
单漏 - 源雪崩能量，
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 100伏，V
GS
= 10 VDC ，
I
L
（PK ）= 20 A，L = 3.0 mH的，R
G
= 25
W)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
- 结到环境（注1 ）
最大无铅焊接温度的
宗旨为10秒
W
W / ℃，
W
°C
mJ
D
2
PAK
CASE 418B
方式2
1
门
2
漏
3
来源
30N20
A
Y
WW
G
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NTB30N20
NTB30N20G
NTB30N20T4
NTB30N20T4G
包
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
800磁带&卷轴
800磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.当表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸， （以铜面积0.412
2
).
2.脉冲测试：脉冲宽度= 10
女士，
占空比= 2 ％ 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年8月 - 第4版
出版订单号：
NTB30N20/D
NTB30N20
60
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
50
40
7V
30
5V
20
10
4V
0
0
8
2
4
6
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
10
0
0
V
GS
= 10 V
9V
T
J
= 25°C
8V
60
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
6V
50
40
30
20
T
J
= 25°C
10
T
J
= 100°C
T
J
= 55°C
10
V
DS
≥
10 V
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.2
V
GS
= 10 V
0.15
T
J
= 100°C
0.1
T
J
= 25°C
0.09
V
GS
= 10 V
V
GS
= 15 V
0.07
0.08
0.1
T
J
= 25°C
0.05
T
J
= 55°C
0.06
0.05
0
5
15
25
35
45
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
55
5
15
25
35
45
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
55
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（标准化）
图3.导通电阻与漏电流
和温度
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
50 25
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
100000
V
GS
= 0 V
T
J
= 175°C
I
DSS
，漏电（ NA）
10000
1000
T
J
= 100°C
100
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
175
10
20
60
80 100 120 140 160 180 200
40
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTB30N20
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
6000
5000
C，电容（pF ）
4000
3000
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
C
RSS
2000
1000
C
RSS
0
0
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
C
国际空间站
C
OSS
20
25
栅极 - 源极或漏极至源极电压
（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
