【NTP22N06 ， NTB22N06功率MOSFET22安培， 60伏N沟道TO- 220和D2P】,IC型号NTB22N06,NTB22N06 PDF资料,NTB22N06经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NTP22N06 ， NTB22N06

功率MOSFET

22安培， 60伏

N沟道TO- 220和D

2

PAK

在专为低电压，高速开关应用

电源，转换器和功率电机控制和桥

电路。

典型应用

http://onsemi.com

电源

转换器

电源电机控制

桥电路

22安培

60伏特

R

DS （ ON）

= 60 m

N沟道

D

价值

60

60

"20

"30

22

10

66

60

0.4

-55

+175

72

ADC

APK

W

W / ℃，

°C

mJ

TO–220AB

CASE 221A

风格5

2

3

单位

VDC

VDC

VDC

V

GS

V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

D

T

J

, T

英镑

E

AS

G

4

S

1

2

3

D

2

PAK

CASE 418B

方式2

4

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

漏极至栅极电压（R

GS

= 10 M)

栅极 - 源极电压

- 连续

- 不重复（T

p

v10

女士）

漏电流

- 连续@ T

A

= 25°C

- 连续@ T

A

= 100°C

- 单脉冲（T

p

v10

s)

总功率耗散@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

J

= 25°C

(V

DD

= 50伏，V

GS

= 10 VDC ， L = 1.0 mH的，

V

DS

= 60 VDC ，我

L（ PK）

= 12 A， RG = 25

)

热阻

- 结到外壳

- 结到环境

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

V

DSS

V

DGR

1

标记DIAGRAMS

＆放大器;引脚分配

4

漏

4

漏

° C / W

R

θJC

R

θJA

T

L

2.5

62.5

260

°C

NTx22N06

LLYWW

1

门

2

漏

3

来源

1

门

NTx22N06

LLYWW

2

漏

3

来源

NTx22N06

x

LL

Y

WW

=器件代码

= P或B

=地点代码

=年

=工作周

订购信息

设备

NTP22N06

NTB22N06

NTB22N06T4

包

TO–220AB

D

2

PAK

D

2

PAK

航运

50单位/铁

50单位/铁

800 /磁带&卷轴

半导体元件工业有限责任公司， 2001年

1

2001年8月 - 第1版

出版订单号：

NTP22N06/D

NTP22N06 ， NTB22N06

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注1 ）

(V

GS

= 0伏，我

D

= 250

μAdc ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 60 VDC ，V

GS

= 0伏）

(V

DS

= 60 VDC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 150°C)

门体漏电流（Ⅴ

GS

=

±20

VDC ，V

DS

= 0伏）

基本特征

（注1 ）

栅极阈值电压（注1 ）

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μAdc ）

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注1 ）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 11 ADC）

静态漏 - 源极导通电压（注1 ）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 22 ADC）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 11 ADC ，T

J

= 150°C)

正向跨导（注1 ）（V

DS

= 7.0伏，我

D

= 11 ADC）

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注2 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

(V

DS

= 48伏直流，我

D

= 22 ADC ，

Vd

Ad

V

GS

= 10 VDC ）（注1 ）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

反向恢复时间

(I

S

= 22 ADC ，V

GS

= 0伏，

Ad

Vd

dI

S

/ DT = 100 A / μs）内（注1 ）

反向恢复电荷存储

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2%.

2.开关特性是独立的工作结点温度。

(I

S

= 22 ADC ，V

GS

= 0伏）（注1 ）

(I

S

= 22 ADC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 150°C)

V

SD

t

rr

t

a

t

b

Q

RR

–

–

–

–

–

–

1.07

1.0

43

32

11

0.071

1.15

–

–

–

–

–

C

VDC

ns

(V

DD

= 30伏直流电，我

D

= 22 ADC ，

V

GS

= 10伏，R

G

= 9.1

)

（注1 ）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

Q

1

Q

2

–

–

–

–

–

–

–

12

39

18

34

15.5

3.4

7.7

25

80

40

70

32

–

–

nC

ns

(V

DS

= 25伏，V

GS

= 0伏，

Vd

Vd

F = 1.0兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

–

–

–

502

160

46

700

225

65

pF

V

GS （ TH）

2.0

–

R

DS （ ON）

–

V

DS （ ON）

–

–

g

FS

–

1.2

1.11

12

1.6

–

–

姆欧

52

60

VDC

3.09

7.0

4.0

–

VDC

毫伏/°C的

m

V

（ BR ） DSS

60

–

I

DSS

–

–

I

GSS

–

–

–

–

1.0

10

±100

NADC

71

71

–

–

VDC

毫伏/°C的

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

2

NTP22N06 ， NTB22N06

50

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 10 V

40

9V

8V

7.5 V

7V

6.5 V

20

6V

5.5 V

10

5V

40

V

DS

≥

10 V

30

30

20

10

T

J

= 25°C

T

J

= 100°C

T

J

= –55°C

10

0

0

4

5

6

7

2

3

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

1

8

0

2

3

4

5

6

7

8

9

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ Ω ）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ Ω ）

图2.传输特性

0.16

0.14

0.12

T

J

= 100°C

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

0

0

10

T

J

= –55°C

T

J

= 25°C

V

GS

= 10 V

0.16

0.14

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

0

0

10

T

J

= –55°C

20

30

40

50

T

J

= 25°C

T

J

= 100°C

V

GS

= 15 V

20

30

40

50

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与

栅极 - 源极电压

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

–50 –25

1

0

25

50

75

100

125

150

175

0

I

D

= 11 A

V

GS

= 10 V

10000

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

V

GS

= 0 V

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

T

J

= 150°C

100

T

J

= 100°C

10

10

20

30

40

50

60

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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3

NTP22N06 ， NTB22N06

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

1600

1400

C，电容（pF ）

1200

1000

800

600

400

200

0

10

V

DS

= 0 V

C

国际空间站

V

GS

= 0 V

12

10

8

Q

1

6

4

2

0

0

I

D

= 22 A

T

J

= 25°C

4

8

12

16

20

Q

2

Q

T

V

GS

T

J

= 25°C

C

RSS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

5 V

GS

0 V

DS

5

10

15

20

25

栅极 - 源极或漏极至源极电压

（伏）

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

1000

I

S

，源电流（安培）

V

DS

= 30 V

I

D

= 22 A

V

GS

= 10 V

T， TIME （ NS ）

100

t

f

t

D（关闭）

10

t

D（上）

t

r

24

20

16

12

8

4

0

0.6

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

1

1

10

R

G

，栅极电阻（ Ω ）

100

0.68

0.76

0.84

0.92

1

1.08

1.16

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

100

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

dc

10

10毫秒

1毫秒

1

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

0.1

1

10

100

100

s

10

s

E

AS

，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

80

图10.二极管的正向电压与

当前

I

D

= 12 A

60

40

20

0

25

50

75

100

125

150

175

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

T

J

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量对比

开始结温

http://onsemi.com

4

NTP22N06 ， NTB22N06

R（T ）。有效瞬态热阻

（归一化）

1.0

D = 0.5

0.2

0.1

0.1

0.05

P

（ PK）

R

θJC

（吨）= R（T ）R

θJC

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

– T

C

= P

（ PK）

R

θJC

(t)

0.01

0.02

t

1

t

2

占空比D = T

1

/t

2

0.001

0.01

T，时间（μs ）

0.1

单脉冲

0.01

0.00001

0.0001

1

10

图13.热响应

的di / dt

I

S

t

rr

t

a

t

b

时间

t

p

I

S

0.25 I

S

图14.二极管的反向恢复波形

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5

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