NTP18N06L ， NTB18N06L
功率MOSFET开关
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
对应于关断状态的条件时的电压
控制。各种开关间隔的长度（申）
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
由如何快速FET输入电容可确定
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
从发电机通过电流进行充电。
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
已发布的电容数据是难以用于
源引，内包装，在电路布线
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
变化很大随施加电压。因此，门
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
是漏极电流的函数，在数学溶液
驱动电路，使得基本的分析
复杂的。 MOSFET的输出电容也
T = Q / I
G（ AV ）
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
在上升和下降时间间隔切换时，
所述驱动源的电阻，但内阻
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
难以测量，因此，没有被指定。
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
电阻开关时间变化与门
时间可近似由下：
电阻（图9）显示了如何典型开关
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
性能由寄生电路元件的影响。如果
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
哪里
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
在漏极和栅极电路环路共同电感和
R
G
=栅极驱动电阻
被认为是很容易达到的板装
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
近似的最佳冷落感性负载。动力
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
然而，不压井作业减少了开关损耗。
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
1200
1000
C，电容（pF ）
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
800
600
400
200
0
10
5
V
GS
0
V
DS
C
RSS
5
10
15
20
25
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
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4
NTP18N06L ， NTB18N06L
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注1 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0伏，V
DS
= 60 VDC ）
(V
GS
= 0伏，V
DS
= 60 VDC ，T
J
= 150°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
15 VDC ，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压（注1 ）
(V
DS
= V
GS ，
I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注1 ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 7.5 ADC）
静态漏 - 源极导通电压（注1 ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 15 ADC）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 7.5 ADC ，T
J
= 150°C)
正向跨导（注1 ） （V
DS
= 7.0伏，我
D
= 6.0 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 15 ADC ，
V
GS
= 5.0伏，
R
G
= 9.1
W)
（注1 ）
(V
DS
= 48伏直流，我
D
= 15 ADC ，
V
GS
= 5.0伏）（注1 ）
源极 - 漏极二极管的特性
二极管正向导通电压
反向恢复时间
(I
S
= 15 ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / MS） （注1 ）
(I
S
= 15 ADC ，V
GS
= 0伏） （注1 ）
(I
S
= 15 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
0.96
0.83
35
23
12
0.043
1.2
mC
VDC
ns
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
t
Q
1
Q
2
11
121
11
42
7.3
1.9
4.3
20
210
40
80
20
nC
ns
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0伏，
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
310
106
37
440
150
70
pF
V
GS （ TH）
1.0
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
1.46
1.2
9.4
1.8
姆欧
85
100
VDC
1.6
4.2
2.0
VDC
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
60
I
DSS
I
GSS
1.0
10
±
100
NADC
70
63.2
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复存储
收费
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
2.开关特性是独立的工作结温。
订购信息
设备
NTP18N06L
NTP18N06LG
NTB18N06L
NTB18N06LG
NTB18N06LT4
NTB18N06LT4G
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
1200
1000
C，电容（pF ）
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
C
国际空间站
T
J
= 25°C
800
600
400
200
0
10
5
V
GS
0
V
DS
C
RSS
5
10
15
20
25
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
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