【NTB125N02R ， NTP125N02R功率MOSFET125 A， 24 V的N沟道的TO-】,IC型号NTB125N02R_06,NTB125N02R_06 PDF资料,NTB125N02R

NTB125N02R ， NTP125N02R

功率MOSFET

125 A， 24 V的N沟道

的TO-220 ，D

2

PAK

特点

平面HD3e工艺的快速开关性能

体二极管的低吨

rr

和Q

rr

并优化同步

手术

低C

国际空间站

以最小化驱动程序丢失

优化Q

gd

和R

DS （ ON）

为贯通保护

低栅电荷

无铅包可用

http://onsemi.com

125安培， 24伏

R

DS （ ON）

= 3.7毫瓦（典型值）

D

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

热电阻 - 结到外壳

总功率耗散@ T

C

= 25°C

漏电流 -

连续@ T

C

= 25 ℃，芯片

连续@ T

C

= 25 ℃，包装有限公司

连续@ T

A

= 25 ℃，电线有限公司

单脉冲（T

p

= 10

女士）

热电阻 -

结到环境（注1 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

A

= 25°C

热电阻 -

结到环境（注2 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

A

= 25°C

工作和存储温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

J

= 25°C

(V

DD

= 50 V

dc

, V

GS

= 10 V

dc

, I

L

= 15.5 A

pk

,

L = 1 mH的，R

G

= 25

W)

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

V

DSS

V

GS

R

QJC

P

D

I

D

I

D

I

D

I

D

R

qJA

P

D

I

D

R

qJA

P

D

I

D

T

J

, T

英镑

E

AS

价值

24

±20

1.1

113.6

125

120.5

95

250

46

2.72

18.6

63

1.98

15.9

-55

150

120

单位

V

dc

V

dc

° C / W

W

A

° C / W

W

A

° C / W

W

A

°C

4

mJ

1

°C

125N2x

x

A

Y

WW

G

=器件代码

=R

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

2

3

T

L

260

D

2

PAK

CASE 418AA

方式2

125N2G

AYWW

1

2

4

S

G

记号

图表

TO220AB

CASE 221A

风格5

125N2RG

AYWW

3

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.当表面安装用1英寸的焊盘尺寸的FR4板，

在（铜面积1.127

2

).

2.表面安装的FR4板采用最小建议垫

大小（铜面积在0.412

2

).

引脚分配

针

1

2

3

4

功能

门

漏

来源

漏

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

1

2006年4月 - 启示录7

出版订单号：

NTB125N02R/D

NTB125N02R ， NTP125N02R

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

(V

GS

= 0 V

dc

, I

D

= 250

mA

dc

)

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 20 V

dc

, V

GS

= 0 V

dc

)

(V

DS

= 20 V

dc

, V

GS

= 0 V

dc

, T

J

= 125°C)

门体漏电流

(V

GS

=

±20

V

dc

, V

DS

= 0 V

dc

)

基本特征

（注3）

栅极阈值电压（注3 ）

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

mA

dc

)

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）

(V

GS

= 10 V

dc

, I

D

= 110 A

dc

)

(V

GS

= 4.5 V

dc

, I

D

= 55 A

dc

)

(V

GS

= 10 V

dc

, I

D

= 20 A

dc

)

(V

GS

= 4.5 V

dc

, I

D

= 20 A

dc

)

正向跨导（注3 ）

(V

DS

= 10 V

dc

, I

D

= 15 A

dc

)

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

(V

GS

= 4.5 V

dc

, I

D

= 40 A

dc

,

V

DS

= 10 V

dc

）（注3）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

(I

S

= 20 A

dc

, V

GS

= 0 V

dc

）（注3）

(I

S

= 55 A

dc

, V

GS

= 0 V

dc

)

(I

S

= 20 A

dc

, V

GS

= 0 V

dc

, T

J

= 125°C)

V

SD

0.82

0.99

0.65

36.5

17.7

18.8

0.024

1.2

mC

V

dc

(V

GS

= 10 V

dc

, V

DD

= 10 V

dc

,

I

D

= 40 A

dc

, R

G

= 3

W)

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

tf

Q

T

Q

1

Q

2

11

39

27

21

23.6

5.1

11

22

80

40

28

nC

ns

(V

DS

= 20 V

dc

, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

2710

1105

227

3440

1670

640

pF

V

GS （ TH）

1.0

R

DS （ ON）

g

FS

44

3.7

4.9

3.7

4.7

4.6

6.2

姆欧

1.5

5.0

2.0

V

dc

毫伏/°C的

mW

V

（ BR ） DSS

25

I

DSS

I

GSS

1.5

10

±100

28

15

V

dc

毫伏/°C的

mA

dc

符号

民

典型值

最大

单位

nA

dc

反向恢复时间

(I

S

= 30 A

dc

, V

GS

= 0 V

dc

,

dI

S

/ DT = 100 A / MS）（注3 ）

反向恢复电荷存储

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

t

rr

t

a

t

b

Q

RR

ns

订购信息

设备

NTP125N02R

NTP125N02RG

NTB125N02R

NTB125N02RG

NTB125N02RT4

NTB125N02RT4G

包

TO220AB

（无铅）

D

2

PAK

D

2

PAK

（无铅）

D

2

PAK

D

2

PAK

（无铅）

航运

50单位/铁

800单位/磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

2

NTB125N02R ， NTP125N02R

200

4.0 V

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

160

4.5 V

5.0 V

6.0 V

8.0 V

10 V

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

3.5 V

200

V

DS

≥

10 V

160

120

3.0 V

120

80

V

GS

= 2.5 V

40

0

2

4

6

8

10

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

80

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

40

0

0.8

T

J

= 55°C

1.6

2.4

3.2

4.0

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.01

V

GS

= 10 V

0.008

T

J

= 125°C

0.006

T

J

= 25°C

0.004

T

J

= 55°C

0.002

0

40

80

120

160

200

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

0.01

V

GS

= 4.5 V

0.008

T

J

= 125°C

0.006

T

J

= 25°C

0.004

T

J

= 55°C

0.002

0

40

80

120

160

200

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与漏电流

和温度

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

50

10

25

0

25

50

75

100

125

150

0

I

D

= 55 A

V

GS

= 4.5 V

I

DSS

，漏电（ NA）

10,000

100,000

图4.导通电阻与漏电流

和温度

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

T

J

= 125°C

1000

T

J

= 100°C

100

4.0

8.0

12

16

20

24

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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3

NTB125N02R ， NTP125N02R

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

7000

6000

C，电容（pF ）

5000

4000

3000

2000

C

RSS

C

国际空间站

V

DS

= 0 V V

GS

= 0 V

10

8.0

V

GS

6.0

Q

T

Q

1

Q

2

I

D

= 40 A

T

J

= 25°C

0

8

16

24

32

40

48

C

国际空间站

4.0

C

OSS

1000

0

10

T

J

= 25°C

5

V

GS

0

V

DS

5

10

15

C

RSS

20

2.0

0

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）

图7.电容变化

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

60

I

S

，源电流（安培）

1000

V

DS

= 10 V

I

D

= 40 A

V

GS

= 10 V

T， TIME （ NS ）

50

40

30

20

10

0

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

100

t

r

t

D（关闭）

t

f

10

1

t

D（上）

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

1000

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

100

图10.二极管的正向电压与

当前

100

ms

1毫秒

10

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

1.0

10

10毫秒

dc

1.0

100

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

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4

NTB125N02R ， NTP125N02R

1

有效瞬态热响应（标准化）

归至R

QJC

在稳定状态

0.1

R（T），

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

T，时间（S ）

0.1

1

10

图12.热响应

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5