添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第271页 > NTA4151P
NTA4151P , NTE4151P
小信号MOSFET
-20 V, -760毫安,单P沟道,
门齐, SC- 75 , SC- 89
特点
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
R
DS ( ON)
典型值
0.26
W
@ 4.5 V
20 V
0.35
W
@ 2.5 V
0.49
W
@ 1.8 V
-760毫安
I
D
最大
低R
DS ( ON)
对于更高的效率和更长的电池寿命
小外形封装( 1.6× 1.6毫米)
SC- 75标准的鸥翼式封装
ESD保护门
无铅包可用
应用
高侧负载开关
DC- DC转换器
小的驱动电路
电池供电系统,如手机, PDA,数码
照相机等。
P沟道MOSFET
D
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
(注1 )
功率耗散(注1 )
SC75
SC89
漏电流脉冲
稳定状态
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
稳定状态
TP = 10
ms
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
ESD
301
313
±1000
-55
150
250
260
1800
mA
价值
20
±6.0
760
单位
V
V
mA
mW
G
S
标记图
&放大器;引脚分配
3
2
1
工作结温和存储温度
连续源电流(体二极管)
无铅焊接温度的目的
(从1/8的情况下为10秒)
栅 - 源ESD额定值 -
(人体模型,方法3015 )
°
C
mA
°C
V
SC - 75 / SOT- 416
CASE 463
风格5
3
2
1
3
XX M
G
G
1
2
来源
热电阻额定值
结 - 环境 - 稳态(注1 )
SC75
SC89
R
qJA
415
400
° C / W
SC89
CASE 463C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸(铜面积为1.127平方英寸
[ 1盎司]包括痕迹) 。
xx
M
G
=器件代码
=日期代码*
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年9月 - 修订版5
出版订单号:
NTA4151P/D
NTA4151P , NTE4151P
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注2 )
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= -4.5 V,I
D
= -350毫安
V
GS
= -2.5 V,I
D
= -300毫安
V
GS
= -1.8 V,I
D
= ± 150毫安
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
(注3)
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V,I
S
= -250毫安
0.72
1.1
V
td
(上)
t
r
td
(关闭)
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 10 V,
I
D
= -200毫安,R
G
= 10
W
8.0
8.2
29
20.4
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 10 V,
I
D
= 0.3 A
V
GS
= 0 V , F = 1.0 MHz时,
V
DS
= 5.0 V
156
28
18
2.1
0.125
0.325
0.5
nC
pF
g
FS
V
DS
= -10 V,I
D
= -250毫安
0.45
0.26
0.35
0.49
0.4
0.36
0.45
1.0
S
V
W
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
V
GS
= 0 V, V
DS
= 16 V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±4.5
V
20
1.0
$1.0
100
$10
V
nA
mA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
订购信息
设备
NTA4151PT1
NTA4151PT1G
NTE4151PT1G
记号
TN
TN
TM
SC75
SC75
(无铅)
SC89
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
NTA4151P , NTE4151P
典型电气特性
0.7
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流(安培)
I
D,
漏电流(安培)
0.6
1.5 V
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
1.0 V
2.5
3.0
V
GS
= -1.75 V至-4.5 V
1.25 V
0.5
0.4
0.3
0.2
T
J
= 125°C
0.1
T
J
= 55°C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
J
= 25°C
0.6
V
DS
w
10 V
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图1.区域特征
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
0.6
V
GS
= 4.5 V
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
0.6
图2.传输特性
V
GS
= 2.5 V
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
I
D,
漏电流(安培)
I
D,
漏电流(安培)
图3.导通电阻与漏电流和
温度
1.6
R
DS (ON ) ,
漏极 - 源极
电阻(标准化)
I
D
= 0.35 A
V
GS
= 4.5 V
C,电容(pF )
图4.导通电阻与漏电流和
温度
250
T
J
= 25°C
200
C
国际空间站
150
1.4
1.2
1.0
100
C
OSS
C
RSS
0
4
8
12
16
20
0.8
50
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
T
J
,结温( ° C)
漏 - 源电压(伏)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.电容变化
http://onsemi.com
3
NTA4151P , NTE4151P
典型电气特性
V
GS ,
栅 - 源电压(伏)
5
I
S
,源电流(安培)
Q
T
4
0.7
V
GS
= 0 V
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
T
J
= 25°C
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
J
= 125°C
3
Q
GS
Q
GD
2
1
0
0
0.4
V
DS
= 10 V
I
D
= 0.3 A
T
A
= 25°C
2.0
0.8
1.2
1.6
Q
G
,总栅极电荷( NC)
2.4
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图7.栅极 - 源极电压与总
栅极电荷
图8.二极管的正向电压与电流
R(T ) ,归一化瞬态热阻
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T,时间(S )
1.0
10
100
1000
图9.归热响应
http://onsemi.com
4
NTA4151P , NTE4151P
包装尺寸
SC75/SOT416
CASE 463-01
本期
E
2
3
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
MILLIMETERS
喃最大
0.70
0.80
0.90
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.30
0.10
0.15
0.25
1.55
1.60
1.65
0.70
0.80
0.90
1.00 BSC
0.10
0.15
0.20
1.50
1.60
1.70
英寸
0.031
0.002
0.008
0.006
0.063
0.031
0.04 BSC
0.004 0.006
0.061 0.063
0.027
0.000
0.006
0.004
0.059
0.027
e
1
D
b
3 PL
0.20 (0.008)
M
D
H
E
0.20 (0.008) E
暗淡
A
A1
b
C
D
E
e
L
H
E
最大
0.035
0.004
0.012
0.010
0.067
0.035
0.008
0.065
C
A
L
A1
风格5 :
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.356
0.014
1.803
0.071
0.787
0.031
0.508
0.020
1.000
0.039
SCALE 10 : 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
查看更多NTA4151PPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTA4151P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
NTA4151P
ON
15+
99000
SC75
产品优势可售样板
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
NTA4151P
ON/安森美
2443+
23000
SC-89-3
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
NTA4151P
汽车ON
21+22+
19200
SC-75-3
原装正品,欢迎你来询价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制

电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
NTA4151P
ONS
24+
11880
sc75
优势现货,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ:1245773710 复制

电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
NTA4151P
ONS
25+
4500
sc75
全新原装现货特价销售!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:247773782 复制

电话:755-83252273
联系人:郑
地址:中航路新亚洲二期N3D039
NTA4151P
ON/安森美
18+
16238
SC-89-3
房间现货原装低价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1274131982 复制 点击这里给我发消息 QQ:3470449835 复制

电话:0755-23306107
联系人:业务员
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园4栋
NTA4151P
汽车ON
21+
12800
SC-75-3
原装正品,欢迎你来询价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NTA4151P
ON
21+
18000
SC-75-3
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
NTA4151P
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10343
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
NTA4151P
ON/安森美
21+
11362
SOT-523
全新原装正品/质量有保证
查询更多NTA4151P供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!