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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第34页 > NTA4001NT1
NTA4001N
小信号MOSFET
20 V 238 mA时，单N通道，门
ESD保护， SC- 75
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
20 V
R
DS （ ON）
典型值@ V
GS
1.5
W
@ 4.5 V
2.2
W
@ 2.5 V
3
I
D
最大
（注1 ）
238毫安
低门电荷的快速切换
小型1.6 ×1.6 mm占位面积的
ESD保护门
无铅封装的“绿色制造”合规性
应用
电源管理负载开关
电平转换
便携式应用如手机，媒体播放器，
数码相机，掌上电脑，游戏机，手提电脑等
1
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
功耗
（注1 ）
漏电流脉冲
稳态= 25°C
稳态= 25°C
t
P
v
10
ms
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
SD
T
L
价值
20
±10
238
300
714
-55
150
238
260
单位
V
V
mA
mW
mA
°C
mA
°C
顶视图
3
2
N沟道
SC- 75 （ 3 -信息）
门
1
工作结温和存储温度
连续源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
3
漏
来源
2
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
符号
R
qJA
最大
416
单位
° C / W
标记图
3
2
1
1.表面安装上使用1平方垫尺寸（铜区FR4板=在平方1.127 。
[ 1盎司]包括痕迹） 。
SC - 75 / SOT- 416
CASE 463
风格5
TF
1
2
TF =具体设备守则
D =日期代码
订购信息
设备
NTA4001NT1
NTA4001NT1G
包
SC75
SC75
无铅
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年9月 - 修订版0
出版订单号：
NTA4001N/D
NTA4001N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
( )
V
DS
= 3 V，I
D
= 100
mA
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10毫安
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 10毫安
正向跨导
电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
= 10毫安
0.66
0.8
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V,
I
D
= 10毫安，R
G
= 10
W
13
15
98
60
ns
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 5 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0 V
11.5
10
3.5
pF
g
FS
V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安
0.5
1.0
1.5
2.2
80
1.5
3.0
3.5
V
W
mS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 100
mA
V
GS
= 0 V, V
DS
= 20 V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±10
V
20
1.0
±100
V
mA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTA4001N
0.2
0.18
I
D
，漏电流（ A）
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
VDS ，漏极至源极电压（V ）
2
V
GS
= 1.2 V
0
0.6
T
J
= 55°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
2
.
V
GS
= 1.4 V
V
GS
= 2.4 V
T
J
= 25°C
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
V
GS
= 2.8 V
V
GS
= 2 V
I
D
，漏电流（ A）
0.16
0.2
VDS = 5 V
0.12
0.08
T
J
= 125°C
0.04
T
J
= 25°C
图1.区域特征
图2.传输特性
2.5
RDS
（上）
，漏 - 源
电阻（ W）
RDS
（上）
，漏 - 源
电阻（ W）
V
GS
= 4.5 V
2
T
J
= 125°C
2.5
T
J
= 25°C
V
GS
= 2.5 V
2
1.5
T
J
= 25°C
1.5
V
GS
= 4.5 V
1
T
J
= 55°C
1
0.5
0
0.05
0.1
0.15
I
D
，漏电流（ A）
0.2
0.5
0
0.05
0.1
0.15
I
D
，漏电流（ A）
0.2
图3.导通电阻与漏电流
和温度
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
2
RDS
（上）
，漏 - 源
电阻（标准化）
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
I
D
= 0.01 A
V
GS
= 4.5 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
V
GS
= 0 V
100
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
10
1
25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
0
5
10
15
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
20
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTA4001N
25
西塞
C，电容（pF ）
20
CRSS
100
15
西塞
科斯
5
CRSS
0
10
VDS = 0 V
5
V
GS
0
VDS
V
GS
= 0 V
5
10
15
20
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
T， TIME （ NS ）
T
J
= 25°C
1000
V
DD
= 5 V
I
D
= 10毫安
V
GS
= 4.5 V
t
D（关闭）
t
f
t
r
t
D（上）
10
10
栅极 - 源极或漏极至源极
电压（V）的
图8.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图7.电容变化
0.1
V
GS
= 0 V
I
S
，源电流（ A）
0.08
T
J
= 25°C
0.06
0.04
0.02
0
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.二极管的正向电压
与当前
http://onsemi.com
4
NTA4001N
包装尺寸
SC - 75 / SOT- 416
CASE 463-01
版本C
A
S
2
3
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
MILLIMETERS
民
最大
0.70
0.90
1.40
1.80
0.60
0.90
0.15
0.30
1.00 BSC
0.10
0.10
0.25
1.45
1.75
0.10
0.20
0.50 BSC
英寸
民
最大
0.028 0.035
0.055 0.071
0.024 0.035
0.006 0.012
0.039 BSC
0.004
0.004 0.010
0.057 0.069
0.004 0.008
0.020 BSC
摹-B-
1
D
3 PL
0.20 (0.008)
M
B
K
0.20 (0.008) A
J
C
L
H
风格5 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
http://onsemi.com
5
NTA4001N
小信号MOSFET
20 V 238 mA时，单N通道，门
ESD保护， SC- 75
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
20 V
R
DS （ ON）
典型值@ V
GS
1.5
W
@ 4.5 V
2.2
W
@ 2.5 V
3
I
D
最大
（注1 ）
238毫安
低门电荷的快速切换
小型1.6 ×1.6 mm占位面积的
ESD保护门
无铅封装的“绿色制造”合规性
应用
电源管理负载开关
电平转换
便携式应用如手机，媒体播放器，
数码相机，掌上电脑，游戏机，手提电脑等
1
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
功耗
（注1 ）
漏电流脉冲
稳态= 25°C
稳态= 25°C
t
P
v
10
ms
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
SD
T
L
价值
20
±10
238
300
714
-55
150
238
260
单位
V
V
mA
mW
mA
°C
mA
°C
顶视图
3
2
N沟道
SC- 75 （ 3 -信息）
门
1
工作结温和存储温度
连续源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
3
漏
来源
2
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
符号
R
qJA
最大
416
单位
° C / W
标记图
3
2
1
1.表面安装上使用1平方垫尺寸（铜区FR4板=在平方1.127 。
[ 1盎司]包括痕迹） 。
SC - 75 / SOT- 416
CASE 463
风格5
TF
1
2
TF =具体设备守则
D =日期代码
订购信息
设备
NTA4001NT1
NTA4001NT1G
包
SC75
SC75
无铅
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年9月 - 修订版0
出版订单号：
NTA4001N/D
NTA4001N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
( )
V
DS
= 3 V，I
D
= 100
mA
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10毫安
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 10毫安
正向跨导
电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
= 10毫安
0.66
0.8
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V,
I
D
= 10毫安，R
G
= 10
W
13
15
98
60
ns
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 5 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0 V
11.5
10
3.5
pF
g
FS
V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安
0.5
1.0
1.5
2.2
80
1.5
3.0
3.5
V
W
mS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 100
mA
V
GS
= 0 V, V
DS
= 20 V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±10
V
20
1.0
±100
V
mA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTA4001N
0.2
0.18
I
D
，漏电流（ A）
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
VDS ，漏极至源极电压（V ）
2
V
GS
= 1.2 V
0
0.6
T
J
= 55°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
2
.
V
GS
= 1.4 V
V
GS
= 2.4 V
T
J
= 25°C
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
V
GS
= 2.8 V
V
GS
= 2 V
I
D
，漏电流（ A）
0.16
0.2
VDS = 5 V
0.12
0.08
T
J
= 125°C
0.04
T
J
= 25°C
图1.区域特征
图2.传输特性
2.5
RDS
（上）
，漏 - 源
电阻（ W）
RDS
（上）
，漏 - 源
电阻（ W）
V
GS
= 4.5 V
2
T
J
= 125°C
2.5
T
J
= 25°C
V
GS
= 2.5 V
2
1.5
T
J
= 25°C
1.5
V
GS
= 4.5 V
1
T
J
= 55°C
1
0.5
0
0.05
0.1
0.15
I
D
，漏电流（ A）
0.2
0.5
0
0.05
0.1
0.15
I
D
，漏电流（ A）
0.2
图3.导通电阻与漏电流
和温度
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
2
RDS
（上）
，漏 - 源
电阻（标准化）
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
I
D
= 0.01 A
V
GS
= 4.5 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
V
GS
= 0 V
100
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
10
1
25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
0
5
10
15
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
20
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTA4001N
25
西塞
C，电容（pF ）
20
CRSS
100
15
西塞
科斯
5
CRSS
0
10
VDS = 0 V
5
V
GS
0
VDS
V
GS
= 0 V
5
10
15
20
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
T， TIME （ NS ）
T
J
= 25°C
1000
V
DD
= 5 V
I
D
= 10毫安
V
GS
= 4.5 V
t
D（关闭）
t
f
t
r
t
D（上）
10
10
栅极 - 源极或漏极至源极
电压（V）的
图8.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图7.电容变化
0.1
V
GS
= 0 V
I
S
，源电流（ A）
0.08
T
J
= 25°C
0.06
0.04
0.02
0
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.二极管的正向电压
与当前
http://onsemi.com
4
NTA4001N
包装尺寸
SC - 75 / SOT- 416
CASE 463-01
版本C
A
S
2
3
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
MILLIMETERS
民
最大
0.70
0.90
1.40
1.80
0.60
0.90
0.15
0.30
1.00 BSC
0.10
0.10
0.25
1.45
1.75
0.10
0.20
0.50 BSC
英寸
民
最大
0.028 0.035
0.055 0.071
0.024 0.035
0.006 0.012
0.039 BSC
0.004
0.004 0.010
0.057 0.069
0.004 0.008
0.020 BSC
摹-B-
1
D
3 PL
0.20 (0.008)
M
B
K
0.20 (0.008) A
J
C
L
H
风格5 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
http://onsemi.com
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NJVMJD45H11T4G
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NR-4018T470M-K
NP80N03DLE-S12-AY
NTA2410
NE5181A
NPH10S4805EIC
NPI15B353SH
NT358
NTE3010
NB2760ASNR2G
供货商
型号
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批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTA4001NT1
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    -
    -
    -
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