NT5117405J
4,194,304字×4位
动态RAM ：与EDO快速页面模式
目录
1 。 Description.............................................................................................3
2 。 Features.................................................................................................3
3.产品系列.............................................. .......................................... 3
4.引脚配置.............................................. ...................................... 4
5.框图.............................................. .......................................... 5
6，电气特性.............................................. ......................... 6
7.直流特性.............................................. ................................... 7
8.交流特性.............................................. ................................... 8 11
9. DRAM AC时序波形............................................ .................. 12 18
2
南亚科技股份有限公司。
保留更改产品规格，恕不另行通知。
南亚科技股份有限公司
NT5117405J
4,194,304字×4位
动态RAM ：与EDO快速页面模式
1.
描述
该NT511740C5J是4,194,304字×4位动态RAM制造的NTC的CMOS芯片
门技术。该NT511740C5J实现高集成，高速运行，和低
功耗是由于四重多晶硅双金属CMOS 。该NT511740C5J是
提供26 / 24-引脚塑料SOJ 。
2.特点
l
l
l
l
l
l
l
l
l
4,194,304字×4位配置
单5V电源供电， + / - 10 ％容差
输入： TTL兼容，低输入电容
输出： TTL兼容，三态
刷新： 2048次/ 32毫秒
快页模式与EDO ，读 - 修改 - 写功能
/ CAS前/ RAS刷新，刷新隐藏， / RAS只刷新功能
多比特测试模式能力
封装选项：
24分之26引脚300密耳的塑料SOJ （ SOJ26 / 24 - P300 ）
3. PRO UCT FAM ILY
访问蒂姆· ê （M AX 。 ）
随手秘境
NT511740C5J-50
NT511740C5J-60
NT511740C5J-70
t
RA
t
A A
为50ns 25ns的
60纳秒30纳秒
70纳秒35纳秒
t
CA
13ns
15纳秒
20纳秒
t
EA
13ns
15纳秒
20纳秒
（M in。）的
84ns
104纳秒
124纳秒
操作（M AX 。 ）待机（M AX 。 ）
660米W
605米W
5.5米W
550米W
ycle时间
功耗
（产品： NT511740C5J -XX ）
xx表示速度等级。
3
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NT5117405J
4,194,304字×4位
动态RAM ：与EDO快速页面模式
4.引脚配置（ TOPVIEW ）
VCC
DQ1
DQ2
WE
RAS
NC
1
2
3
4
5
6
26
25
24
23
22
21
VSS
DQ4
DQ3
CAS
OE
A9
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
8
9
10
11
12
13
19
18
17
16
15
14
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
24分之26引脚塑料SOJ
引脚名称
A0-A10
RAS
CAS
DQ1-DQ4
OE
WE
VCC
VSS
NC
功能
联系地址输入
行联系地址选通
列联系地址选通
数据输入/输出的数据
OUTPUT ENABLE
写使能
电源（5V）
Ground(0V)
无连接
注意：相同的电源电压必须提供给每Vcc管脚，并且在同一接地电压
电平必须被设置到每一个VSS引脚。
4
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4,194,304字×4位
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2 。 Features.................................................................................................3
3.产品系列.............................................. .......................................... 3
4.引脚配置.............................................. ...................................... 4
5.框图.............................................. .......................................... 5
6，电气特性.............................................. ......................... 6
7.直流特性.............................................. ................................... 7
8.交流特性.............................................. ................................... 8 11
9. DRAM AC时序波形............................................ .................. 12 18
2
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4,194,304字×4位
动态RAM ：与EDO快速页面模式
1.
描述
该NT511740C5J是4,194,304字×4位动态RAM制造的NTC的CMOS芯片
门技术。该NT511740C5J实现高集成，高速运行，和低
功耗是由于四重多晶硅双金属CMOS 。该NT511740C5J是
提供26 / 24-引脚塑料SOJ 。
2.特点
l
l
l
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l
4,194,304字×4位配置
单5V电源供电， + / - 10 ％容差
输入： TTL兼容，低输入电容
输出： TTL兼容，三态
刷新： 2048次/ 32毫秒
快页模式与EDO ，读 - 修改 - 写功能
/ CAS前/ RAS刷新，刷新隐藏， / RAS只刷新功能
多比特测试模式能力
封装选项：
24分之26引脚300密耳的塑料SOJ （ SOJ26 / 24 - P300 ）
3. PRO UCT FAM ILY
访问蒂姆· ê （M AX 。 ）
随手秘境
NT511740C5J-50
NT511740C5J-60
NT511740C5J-70
t
RA
t
A A
为50ns 25ns的
60纳秒30纳秒
70纳秒35纳秒
t
CA
13ns
15纳秒
20纳秒
t
EA
13ns
15纳秒
20纳秒
（M in。）的
84ns
104纳秒
124纳秒
操作（M AX 。 ）待机（M AX 。 ）
660米W
605米W
5.5米W
550米W
ycle时间
功耗
（产品： NT511740C5J -XX ）
xx表示速度等级。
3
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4,194,304字×4位
动态RAM ：与EDO快速页面模式
4.引脚配置（ TOPVIEW ）
VCC
DQ1
DQ2
WE
RAS
NC
1
2
3
4
5
6
26
25
24
23
22
21
VSS
DQ4
DQ3
CAS
OE
A9
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
8
9
10
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19
18
17
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15
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A8
A7
A6
A5
A4
VSS
24分之26引脚塑料SOJ
引脚名称
A0-A10
RAS
CAS
DQ1-DQ4
OE
WE
VCC
VSS
NC
功能
联系地址输入
行联系地址选通
列联系地址选通
数据输入/输出的数据
OUTPUT ENABLE
写使能
电源（5V）
Ground(0V)
无连接
注意：相同的电源电压必须提供给每Vcc管脚，并且在同一接地电压
电平必须被设置到每一个VSS引脚。
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QQ：2880707522 复制
