NSTB1005DXV5T1G
双共
基座集电极偏置
电阻晶体管
NPN和PNP硅表面贴装
晶体管与单片偏置
电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。该NSTB1005DXV5T1
包含两个互补的BRT装置被收容在SOT -553
封装，非常适用于低功率表面贴装应用
电路板空间非常珍贵。
特点
http://onsemi.com
3
R1
2
R2
Q2
1
R2
Q1
4
R1
5
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7英寸的磁带和卷轴
这是一个Pb - Free设备
5
1
SOT553
CASE 463B
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（PNP）中省略）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
标记图
5
UC米
G
G
1
UC =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25 ° C（注1 ）
减免上述25° C（注1 ）
热阻
结到环境（注1 ）
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25 ° C（注1 ）
减免上述25° C（注1 ）
热阻
结到环境（注1 ）
结温和存储温度
1. FR-4 @最低垫
符号
P
D
最大
357
2.9
350
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
订购信息
设备
NSTB1005DXV5T1G
包
SOT553
（无铅）
航运
4000 /磁带&
REEL
R
qJA
符号
P
D
最大
500
4.0
250
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
R
qJA
T
J
, T
英镑
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年10月
第1版
1
出版订单号：
NSTB1005DXV5/D
NSTB1005DXV5T1G
包装尺寸
SOT553
XV5后缀
CASE 463B -01
问题B
D
X
5
4
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米
3.最大引线厚度INCLUDES
铅涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。作者：
暗淡
A
b
c
D
E
e
L
H
E
MILLIMETERS
喃
最大
0.55
0.60
0.22
0.27
0.13
0.18
1.60
1.70
1.20
1.30
0.50 BSC
0.10
0.20
0.30
1.50
1.60
1.70
民
0.50
0.17
0.08
1.50
1.10
英寸
喃
0.022
0.009
0.005
0.063
0.047
0.020 BSC
0.004
0.008
0.059
0.063
民
0.020
0.007
0.003
0.059
0.043
最大
0.024
0.011
0.007
0.067
0.051
0.012
0.067
A
L
1
2
3
E
Y
b
H
E
e
5 PL
M
c
X Y
0.08 (0.003)
焊接足迹*
0.3
0.0118
0.45
0.0177
1.35
0.0531
1.0
0.0394
0.5
0.5
0.0197 0.0197
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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5
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