NSTB1005DXV5T1,
NSTB1005DXV5T5
首选设备
双共
基座集电极偏置
电阻晶体管
NPN和PNP硅表面贴装
晶体管与单片偏置
电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。该NSTB1005DXV5T1
包含两个互补的BRT装置被收容在SOT -553
封装，非常适用于低功率表面贴装应用
电路板空间非常珍贵。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7英寸的磁带和卷轴
无铅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
- 减号为Q
1
（PNP）中省略）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
UC
VDC
VDC
MADC
1
UC =具体设备守则
D =日期代码
http://onsemi.com
3
R1
2
R2
1
Q2
R2
Q1
R1
4
5
5
1
SOT553
CASE 463B
标记图
5
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
结温和存储温度
1. FR-4 @最低垫
符号
P
D
357 （注1 ）
2.9 （注1 ）
R
qJA
350 （注1 ）
mW
毫瓦/°C的
° C / W
NSTB1005DXV5T5 SOT- 553
符号
P
D
500 （注1 ）
4.0 （注1 ）
R
qJA
T
J
, T
英镑
250 （注1 ）
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
最大
单位
订购信息
设备
包
航运
4毫米间距
4000 /磁带&卷轴
2毫米间距
8000 /磁带&卷轴
NSTB1005DXV5T1 SOT- 553
最大
单位
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 修订版0
出版订单号：
NSTB1005DXV5/D
NSTB1005DXV5T1 ， NSTB1005DXV5T5
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
Q1三极管： PNP - 开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
E
= 0.3 mA）的
输出电压（上） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
Q2三极管： NPN - 开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CB
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
基本特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
R1
R1/R2
250
PD ，功耗（毫瓦）
200
50
50
80
4.9
33
0.8
140
47
1.0
0.25
0.2
61
1.2
VDC
VDC
VDC
kW
VDC
VDC
(V
EB
= 6.0, I
C
= 5.0 mA）的
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
100
500
0.1
NADC
NADC
MADC
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
R1
R
1
/R
2
80
4.9
32.9
0.8
140
47
1.0
0.25
0.2
61.1
1.2
VDC
VDC
VDC
kW
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
0.1
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输出电压（上） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
150
100
50
0
50
R
qJA
= 833 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
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2
NSTB1005DXV5T1 ， NSTB1005DXV5T5
典型电气特性 - PNP晶体管
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
1000
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
0.1
75°C
25°C
T
A
= 75°C
100
25°C
25°C
0.01
0
20
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
图3.直流电流增益
4
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
75°C
25°C
T
A
= 25°C
COB，电容（pF ）
3
IC ，集电极电流（毫安）
10
1
2
0.1
1
0.01
0.001
0
1
2
V
O
= 5 V
6
7
3
4
5
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
100
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
10
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图6.输入电压与输出电流
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3
NSTB1005DXV5T1 ， NSTB1005DXV5T5
典型电气特性 - NPN晶体管
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
10
I
C
/I
B
= 10
1000
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
25°C
25°C
1
T
A
= 25°C
0.1
25°C
75°C
的hFE ， DC电流增益
100
0.01
0
20
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图7. V
CE （ SAT ）
与我
C
图8.直流电流增益
1
0.8
COB，电容（pF ）
0.6
0.4
0.2
0
IC ，集电极电流（毫安）
F = 1 MHz的
I
E
= 0毫安
T
A
= 25°C
100
75°C
10
1
0.1
0.01
25°C
T
A
= 25°C
V
O
= 5 V
0
2
4
6
V
in
，输入电压（伏）
8
10
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
0.001
图9.输出电容
图10.输出电流与输入电压
100
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
T
A
= 25°C
10
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.输入电压与输出电流
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4
NSTB1005DXV5T1 ， NSTB1005DXV5T5
包装尺寸
SOT553
XV5后缀
5引脚封装
CASE 463B -01
发出
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
MILLIMETERS
民
最大
1.50
1.70
1.10
1.30
0.50
0.60
0.17
0.27
0.50 BSC
0.08
0.18
0.10
0.30
1.50
1.70
英寸
民
最大
0.059
0.067
0.043
0.051
0.020
0.024
0.007
0.011
0.020 BSC
0.003
0.007
0.004
0.012
0.059
0.067
A
X
C
K
4
5
1
2
3
B
Y
S
D
G
5 PL
M
J
X Y
0.08 (0.003)
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
S
焊接足迹*
0.3
0.0118
0.45
0.0177
1.0
0.0394
1.35
0.0531
0.5
0.5
0.0197 0.0197
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
QQ：2881677436 复制
