NST847BPDP6T5G
双路互补
通用晶体管
该NST847BPDP6T5G设备是一个剥离我们的流行
SOT -23 / SOT - 323 / SOT- 563三含铅器件。它被设计为
通用放大器的应用程序和被收纳在SOT -963
6引线表面贴装封装。通过将两个分立器件
一个封装，该器件非常适用于低功率表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
特点
http://onsemi.com
(3)
(2)
(1)
h
FE
, 200450
低V
CE （ SAT ）
,
≤
0.3 V
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
这是一个Pb - Free设备
等级
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
HBM
MM
ESD
类
价值
45
50
6.0
100
2
B
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
Q
1
Q
2
(4)
(5)
NST847BPDP6T5G*
* Q1 PNP
Q2 NPN
(6)
最大额定值
集热器
：辐射源
电压
集热器
： BASE
电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
静电放电
6
5
4
1
2
3
热特性
特性（单加热）
器件总耗散T
A
= 25°C
减免上述25° C（注1 ）
热阻，结到环境
（注1 ）
器件总耗散T
A
= 25°C
减免上述25° C（注2 ）
热阻，结到环境
（注2 ）
特性（双加热）
（注3）
器件总耗散T
A
= 25°C
减免上述25° C（注1 ）
热阻，结到环境
（注1 ）
器件总耗散T
A
= 25°C
减免上述25° C（注2 ）
热阻，结到环境
（注2 ）
结温和存储温度范围
符号
P
D
R
qJA
P
D
R
qJA
符号
P
D
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
240
1.9
520
280
2.2
446
最大
350
2.8
357
420
3.4
297
55
to
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
A
M
G
SOT963
CASE 527AD
塑料
标记图
AM
G
G
1
=器件代码
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
包
航运
NST847BPDP6T5G SOT- 963 8000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
2. FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
3.双热值，假设总功率是两个同样动力的通道总和
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年5月
第0版
1
出版订单号：
NST847BPDP6/D
NST847BPDP6T5G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0)
(I
C
=
1.0
妈，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
(I
C
=
10
毫安，
I
E
= 0)
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
(I
C
=
10
毫安）
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安，
I
C
= 0)
(I
E
=
1.0
毫安，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
(V
CB
=
30
V)
(V
CB
=
30
V，T
A
= 150°C)
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ NPN ）
（ PNP）
（ PNP）
V
（ BR ） CEO
V
45
45
50
50
50
50
6.0
5.0
V
V
V
15
5.0
15
4.0
nA
mA
nA
mA
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） EBO
I
CBO
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
(I
C
=
2.0
毫安，V
CE
=
5.0
V)
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
(I
C
=
10
妈，我
B
=
0.5
毫安）
(I
C
=
100
妈，我
B
=
5.0
毫安）
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
(I
C
=
10
妈，我
B
=
0.5
毫安）
(I
C
=
100
妈，我
B
=
5.0
毫安）
BASE
：辐射源
ON电压
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
(I
C
=
2.0
毫安，V
CE
=
5.0
V)
(I
C
=
10
毫安，V
CE
=
5.0
V)
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
V
CE （ SAT ）
h
FE
200
220
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
0.58
0.60
290
290
0.70
0.90
0.70
0.90
0.66
450
475
V
0.25
0.60
0.30
0.70
V
V
0.70
0.77
0.75
0.82
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
小信号特性
电流增益
带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V ， F = 100兆赫）
(I
C
=
10
毫安，V
CE
=
5.0
V，F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
(V
CB
=
10
V，F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= 0.2毫安， V
CE
= 5.0 V ，R
S
= 2千瓦， F = 1 kHz时， BW = 200赫兹）
(I
C
=
0.2
毫安，V
CE
=
5.0
V ，R
S
= 2千瓦， F = 1 kHz时， BW = 200赫兹）
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
μs;
占空比
≤
2.0%.
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
NF
（ NPN ）
（ PNP）
10
10
C
ob
f
T
兆赫
100
100
pF
4.5
4.5
dB
http://onsemi.com
2
QQ：2880707522 复制
