该NST847BDP6T5G设备是一个剥离我们的流行
SOT -23 / SOT - 323 / SOT- 563三含铅器件。它被设计为
通用放大器的应用程序和被收纳在SOT -963
6引线表面贴装封装。通过将两个分立器件
一个封装，该器件非常适用于低功率表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
特点
NST847BDP6T5G
双路通用
晶体管
http://onsemi.com
(3)
(2)
(1)
h
FE
, 200450
低V
CE （ SAT ）
,
≤
0.25 V
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
这是一个Pb - Free设备
等级
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
HBM
MM
ESD
类
价值
45
50
6.0
100
2
B
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
Q
1
Q
2
(4)
(5)
NST847BDP6T5G
(6)
最大额定值
集热器
：辐射源
电压
集热器
： BASE
电压
辐射源
： BASE
电压
集电极电流
连续
静电放电
6
5
4
1
2
3
SOT963
CASE 527AD
塑料
热特性
特性（单加热）
器件总耗散T
A
= 25°C
减免上述25° C（注1 ）
热阻，结到环境
（注1 ）
器件总耗散T
A
= 25°C
减免上述25° C（注2 ）
热阻，结到环境
（注2 ）
特性（双加热） （注3 ）
器件总耗散T
A
= 25°C
减免上述25° C（注1 ）
热阻，结到环境
（注1 ）
器件总耗散T
A
= 25°C
减免上述25° C（注2 ）
热阻，结到环境
（注2 ）
结温和存储温度范围
符号
P
D
R
qJA
P
D
R
qJA
符号
P
D
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
240
1.9
520
280
2.2
446
最大
350
2.8
357
420
3.4
297
55
to
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
J
M
G
1
JM
G
G
标记图
=器件代码
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NST847BDP6T5G
包
SOT963
（无铅）
航运
8000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
2. FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
3.双热值，假设总功率是两个同样动力的通道总和。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
2008年4月，
第0版
1
出版订单号：
NST847BDP6/D
NST847BDP6T5G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压（I
C
= 10 mA）的
集热器
：辐射源
击穿电压（I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压（I
C
= 10
毫安）
辐射源
： BASE
击穿电压（I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
集热器
：辐射源
饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
BASE
：辐射源
饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
BASE
：辐射源
电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
BASE
：辐射源
电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
输入电容（V
EB
= 0.5 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= 0.2毫安， V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
0.18
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
h
FE
，直流电流增益（ V）
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.0001
55°C
0.001
0.01
I
C
，集电极电流（ A）
0.1
0
0.0001
0.001
0.01
I
C
，集电极电流（ A）
0.1
25°C
V
CE （ SAT ）
= 150°C
I
C
/I
B
= 10
600
150 ° C（ 5.0 V）
500
400
25 ° C（ 5.0 V）
300
25 ° C（ 1.0 V）
150 ° C（ 1.0 V）
f
T
C
敖包
C
IBO
NF
10
100
4.5
10
兆赫
pF
pF
dB
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
200
580
290
0.7
0.9
660
450
0.25
0.6
700
770
V
V
mV
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
45
50
50
6.0
15
5.0
V
V
V
V
nA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
200
55°C
(5.0 V)
100
55°C
(1.0 V)
图1.集电极发射极饱和电压与
集电极电流
图2.直流电流增益与集电极电流
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2
NST847BDP6T5G
包装尺寸
SOT963
CASE 527AD -01
问题B
C
L
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
IS基础材料的最小厚度。
暗淡
A
b
C
D
E
e
L
H
E
MILLIMETERS
民
喃
最大
0.34
0.37
0.40
0.10
0.15
0.20
0.07
0.12
0.17
0.95
1.00
1.05
0.75
0.80
0.85
0.35 BSC
0.05
0.10
0.15
0.95
1.00
1.05
民
0.004
0.003
0.037
0.03
英寸
喃
最大
D
A
B
4
E
3
C
0.08 C A
B
A
6
5
1 2
e
H
E
6X
b
0.006 0.008
0.005 0.007
0.039 0.041
0.032 0.034
0.014 BSC
0.002 0.004 0.006
0.037 0.039 0.041
焊接足迹*
0.35
0.014
0.35
0.014
0.90
0.0354
0.20
0.08
0.20
0.08
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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4
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