NST3946DXV6T1G,
NST3946DXV6T5G
一般互补
目的晶体管
该NST3946DXV6T1设备是一个剥离我们的流行
SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般
目的放大器的应用程序和被收纳在SOT -563
6引线表面贴装封装。通过将两个分立器件
一个封装，该器件非常适用于低功率表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
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h
FE
, 100300
低V
CE （ SAT ）
,
≤
0.4 V
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
SOT563
CASE 463A
(3)
(2)
(1)
Q
1
Q
2
(4)
(5)
NST3946DXV6T1*
(6)
表1.最大额定值
等级
集热器
：辐射源
电压
（ NPN ）
（ PNP）
集热器
： BASE
电压
（ NPN ）
（ PNP）
辐射源
： BASE
电压
（ NPN ）
（ PNP）
集电极电流
连续
（ NPN ）
（ PNP）
静电放电
符号
V
首席执行官
价值
40
40
VDC
60
40
VDC
6.0
5.0
MADC
200
200
HBM>16000,
MM>2000
V
单位
VDC
* Q1 PNP
Q2 NPN
V
CBO
标记图
V
EBO
46 MG
G
I
C
46 =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
ESD
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
包
航运
4000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
NST3946DXV6T1G SOT- 563
（无铅）
NST3946DXV6T5G SOT- 563
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
， 2012年7月
第2版
1
出版订单号：
NST3946DXV6T1/D
NST3946DXV6T1G ， NST3946DXV6T5G
表2.热特性
特点（一路口加热）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻
结到环境
特性（两个路口加热）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
1. FR-4 @最低垫
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
A
= 25°C
R
qJA
符号
P
D
T
A
= 25°C
符号
P
D
最大
357
（注1 ）
2.9
（注1 ）
350
（注1 ）
最大
500
（注1 ）
4.0
（注1 ）
250
（注1 ）
55 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压（注2 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
(I
C
=
1.0
MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
(I
C
=
10
MADC ，
I
E
= 0)
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
(I
E
=
10
MADC ，
I
C
= 0)
基地截止电流
(V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
(V
CE
=
30
VDC ，V
EB
=
3.0
VDC ）
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
(V
CE
=
30
VDC ，V
EB
=
3.0
VDC ）
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
=
0.1
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
(I
C
=
1.0
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
(I
C
=
10
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
(I
C
=
50
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
(I
C
=
100
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
=
10
MADC ，我
B
=
1.0
MADC ）
(I
C
=
50
MADC ，我
B
=
5.0
MADC ）
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
=
10
MADC ，我
B
=
1.0
MADC ）
(I
C
=
50
MADC ，我
B
=
5.0
MADC ）
（ NPN ）
h
FE
40
70
100
60
30
60
80
100
60
30
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
0.65
0.65
300
300
0.2
0.3
0.25
0.4
0.85
0.95
0.85
0.95
VDC
VDC
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
V
（ BR ） CEO
40
40
60
40
6.0
5.0
50
50
50
50
VDC
符号
民
最大
单位
V
（ BR ） CBO
VDC
V
（ BR ） EBO
VDC
I
BL
NADC
I
CEX
NADC
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
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2
NST3946DXV6T1G ， NST3946DXV6T5G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
(I
C
=
10
MADC ，V
CE
=
20
VDC ， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(V
CB
=
5.0
VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(V
EB
=
0.5
VDC ，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入阻抗
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
=
10
VDC ，我
C
=
1.0
MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
=
10
VDC ，我
C
=
1.0
MADC ， F = 1.0千赫）
小
“信号
电流增益
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
=
10
VDC ，我
C
=
1.0
MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
=
10
VDC ，我
C
=
1.0
MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
= 5.0伏，我
C
= 100
MADC ，
R
S
= 1.0 k
Ω,
F = 1.0千赫）
(V
CE
=
5.0
VDC ，我
C
=
100
MADC ，
R
S
= 1.0 k
Ω,
F = 1.0千赫）
开关特性
延迟时间
(V
CC
= 3.0伏，V
BE
=
0.5伏）
(V
CC
=
3.0
VDC ，V
BE
= 0.5伏）
上升时间
(I
C
= 10 MADC ，我
B1
= 1.0 MADC ）
(I
C
=
10
MADC ，我
B1
=
1.0
MADC ）
贮存时间
(V
CC
= 3.0伏，我
C
= 10 MADC ）
(V
CC
=
3.0
VDC ，我
C
=
10
MADC ）
下降时间
(I
B1
= I
B2
= 1.0 MADC ）
(I
B1
= I
B2
=
1.0
MADC ）
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
μs;
占空比
≤
2.0%.
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
t
d
35
35
35
35
200
225
50
75
ns
ns
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
f
T
300
250
1.0
2.0
0.5
0.1
100
100
1.0
3.0
4.0
4.5
8.0
10.0
10
12
8.0
10
400
400
40
60
5.0
4.0
兆赫
符号
民
最大
单位
C
敖包
pF
C
IBO
pF
h
ie
k
Ω
h
re
X 10
4
h
fe
h
oe
毫姆欧
NF
dB
t
r
t
s
t
f
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3
NST3946DXV6T1G ， NST3946DXV6T5G
（ NPN ）
+3 V
+10.9 V
10 k
0
- 0.5 V
＆ LT ; 1纳秒
C
s
< 4 PF *
- 9.1 V′
＆ LT ; 1纳秒
1N916
C
s
< 4 PF *
275
+3 V
+10.9 V
275
10 k
占空比= 2 ％
300纳秒
10 <吨
1
＆ LT ; 500
ms
占空比= 2 ％
t
1
*测试夹具和连接器共有并联电容
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
典型的瞬态特性
10
7.0
电容（pF）
5.0
C
IBO
3.0
2.0
C
敖包
（ NPN ）
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
反向偏置电压（伏）
图3.电容
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4
NST3946DXV6T1G ， NST3946DXV6T5G
（ NPN ）
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
（ NPN ）
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
40 V
15 V
10
2.0 V
50 70 100
200
7
5
（ NPN ）
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
吨R，上升时间（ NS ）
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
时间（纳秒）
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.开启时间
500
300
200
吨S，存储时间（纳秒）
′
100
70
50
30
20
10
7
5
（ NPN ）
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
t′
s
= t
s
-
1
/
8
t
f
I
B1
= I
B2
五六，下降时间（ NS ）
500
300
200
图5.上升时间
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
100
70
50
30
20
10
7
5
（ NPN ）
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图6.储存时间
图7.下降时间
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
12
10
NF ，噪声系数（dB ）
8
6
4
2
0
0.1
源电阻= 500
W
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 1.0
I
C
= 50
mA
14
F = 1.0千赫
12
10
8
6
4
2
20
40
100
0
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
（ NPN
)
10
20
40
100
R
S
，源电阻（千欧）
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 50
mA
（ NPN ）
10
男，频率（KHz ）
图8.噪声系数
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5
图9.噪声系数
QQ：2880707522 复制
