NST3946DXV6T1,
NST3946DXV6T5
双路通用
晶体管
该NST3946DXV6T1设备是分拆我国流行
SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般
目的放大器的应用程序和被容纳在SOT- 563
6引线表面贴装封装。通过将两个分立器件
一个封装，该器件非常适用于低功率表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
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(3)
(2)
(1)
h
FE
, 100-300
低V
CE （ SAT ）
,
≤
0.4 V
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
无铅焊料电镀
Q
1
Q
2
(4)
(5)
NST3946DXV6T1*
* Q1 PNP
Q2 NPN
(6)
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
（ NPN ）
（ PNP）
集电极 - 基极电压
（ NPN ）
（ PNP）
发射极 - 基极电压
（ NPN ）
（ PNP）
连续集电极电流 -
（ NPN ）
（ PNP）
静电放电
符号
V
首席执行官
40
-40
V
CBO
60
-40
V
EBO
6.0
-5.0
I
C
200
-200
ESD
HBM>16000,
MM>2000
V
MADC
46 D
VDC
VDC
价值
单位
VDC
1
6
54
2
3
SOT-563
CASE 463A
塑料
标记图
46 =具体设备守则
D =日期代码
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
减免上述25℃
1. FR-4 @最低垫
T
A
= 25°C
R
qJA
T
A
= 25°C
订购信息
符号
P
D
最大
357
（注1 ）
2.9
（注1 ）
350
（注1 ）
最大
500
（注1 ）
4.0
（注1 ）
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
NST3946DXV6T5
SOT-563
设备
NST3946DXV6T1
包
SOT-563
航运
4毫米间距
4000 /磁带&卷轴
2毫米间距
8000 /磁带&卷轴
符号
P
D
单位
mW
毫瓦/°C的
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年3月 - 修订版0
出版订单号：
NST3946DXV6T1/D
NST3946DXV6T1 ， NST3946DXV6T5
特征
（两个路口加热）
热阻结到环境
结温和存储温度范围
符号
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
250
（注1 ）
- 55
+150
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（注2 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
(I
C
= -1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
(I
C
= -10
MADC ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
(I
E
= -10
MADC ，
I
C
= 0)
基地截止电流
(V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
(V
CE
= -30伏直流，V
EB
= -3.0 V直流）
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
(V
CE
= -30伏直流，V
EB
= -3.0 V直流）
V
（ BR ） CEO
（ NPN ）
（ PNP）
V
（ BR ） CBO
（ NPN ）
（ PNP）
V
（ BR ） EBO
（ NPN ）
（ PNP）
I
BL
（ NPN ）
（ PNP）
I
CEX
（ NPN ）
（ PNP）
-
-
50
-50
-
-
50
-50
NADC
6.0
-5.0
-
-
NADC
60
-40
-
-
VDC
40
-40
-
-
VDC
VDC
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
(I
C
(I
C
(I
C
(I
C
=
=
=
=
=
-0.1 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
-1.0 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
-10 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
-50 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
-100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
h
FE
（ NPN ）
40
70
100
60
30
60
80
100
60
30
V
CE （ SAT ）
（ NPN ）
-
-
-
-
V
BE （ SAT ）
（ NPN ）
0.65
-
-0.65
-
0.85
0.95
-0.85
-0.95
0.2
0.3
-0.25
-0.4
VDC
-
-
300
-
-
-
-
300
-
-
VDC
-
（ PNP）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s;
占空比
≤
2.0%.
（ PNP）
（ PNP）
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2
NST3946DXV6T1 ， NST3946DXV6T5
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -20伏直流， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(V
CB
= -5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(V
EB
= -0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入阻抗
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
小 - 信号电流增益
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
= 5.0伏，我
C
= 100
MADC ，
R
S
= 1.0 k
,
F = 1.0千赫）
(V
CE
= -5.0伏，我
C
= -100
MADC ，
R
S
= 1.0 k
,
F = 1.0千赫）
f
T
（ NPN ）
（ PNP）
C
敖包
（ NPN ）
（ PNP）
C
IBO
（ NPN ）
（ PNP）
h
ie
（ NPN ）
（ PNP）
h
re
（ NPN ）
（ PNP）
h
fe
（ NPN ）
（ PNP）
h
oe
（ NPN ）
（ PNP）
NF
（ NPN ）
（ PNP）
-
-
5.0
4.0
1.0
3.0
40
60
dB
100
100
400
400
毫姆欧
0.5
0.1
8.0
10
-
1.0
2.0
10
12
X 10
- 4
-
-
8.0
10.0
k
-
-
4.0
4.5
pF
300
250
-
-
pF
兆赫
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 3.0伏，V
BE
= - 0.5 V直流）
(V
CC
= -3.0伏，V
BE
= 0.5伏）
(I
C
= 10 MADC ，我
B1
= 1.0 MADC ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B1
= -1.0 MADC ）
(V
CC
= 3.0伏，我
C
= 10 MADC ）
(V
CC
= -3.0伏，我
C
= -10 MADC ）
(I
B1
= I
B2
= 1.0 MADC ）
(I
B1
= I
B2
= -1.0 MADC ）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
（ NPN ）
（ PNP）
t
d
t
r
t
s
t
f
-
-
-
-
-
-
-
-
35
35
35
35
200
225
50
75
ns
ns
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3
NST3946DXV6T1 ， NST3946DXV6T5
（ NPN ）
+3 V
+10.9 V
10 k
0
0.5 V
＆ LT ; 1纳秒
C
s
< 4 PF *
9.1 V′
＆ LT ; 1纳秒
1N916
C
s
< 4 PF *
275
+3 V
+10.9 V
275
10 k
占空比= 2 ％
300纳秒
10 <吨
1
＆ LT ; 500
ms
占空比= 2 ％
t
1
*测试夹具和连接器共有并联电容
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
典型的瞬态特性
10
7.0
电容（pF）
5.0
C
IBO
3.0
2.0
C
敖包
（ NPN ）
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
反向偏置电压（伏）
图3.电容
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4
NST3946DXV6T1 ， NST3946DXV6T5
（ NPN ）
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
（ NPN ）
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
40 V
15 V
10
2.0 V
50 70 100
200
7
5
（ NPN ）
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
吨R，上升时间（ NS ）
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
时间（纳秒）
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.转向 - 时间
500
300
200
吨S，存储时间（纳秒）
′
100
70
50
30
20
10
7
5
（ NPN ）
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
t′
s
= t
s
1
/
8
t
f
I
B1
= I
B2
五六，下降时间（ NS ）
500
300
200
图5.上升时间
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
100
70
50
30
20
10
7
5
（ NPN ）
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图6.储存时间
图7.下降时间
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
12
10
NF ，噪声系数（dB ）
8
6
4
2
0
0.1
源电阻= 500
W
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 1.0
I
C
= 50
mA
14
F = 1.0千赫
12
10
8
6
4
2
20
40
100
0
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
（ NPN
)
10
20
40
100
R
S
，源电阻（千欧）
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 50
mA
（ NPN ）
10
男，频率（KHz ）
图8.噪声系数
http://onsemi.com
5
图9.噪声系数
QQ：2880707522 复制
