【MBT3946DW1T1双路通用晶体管该MBT3946DW1T1设备是一个剥离我们的流行SOT -2】,IC型号NST3946DW1T1,NST3946DW1T1 PDF资料,NST3946DW1T1经销商,ic,电子元器件-51电子网

MBT3946DW1T1

双路通用

晶体管

该MBT3946DW1T1设备是一个剥离我们的流行

SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般

目的放大器的应用程序和被收纳在SOT - 363-6

表面贴装封装。通过将两个分立器件于一体

封装，该器件非常适用于低功率表面贴装

应用中的电路板空间非常珍贵。

http://onsemi.com

(3)

(2)

(1)

h

FE

, 100300

低V

CE （ SAT ）

,

≤

0.4 V

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

器件标识： MBT3946DW1T1 = 46

无铅封装可用。在G-后缀是指一个

无铅无铅封装

Q

1

Q

2

(4)

(5)

MBT3946DW1T1*

* Q1 PNP

Q2 NPN

(6)

6 5

4

最大额定值

等级

集电极发射极电压

（ NPN ）

（ PNP）

集电极基极电压

（ NPN ）

（ PNP）

发射极基极电压连续

（ NPN ）

（ PNP）

连续集电极电流 -

（ NPN ）

（ PNP）

静电放电

符号

V

首席执行官

40

V

CBO

60

40

V

EBO

6.0

5.0

I

C

200

ESD

HBM>16000,

MM>2000

V

46 =具体设备守则

d

=日期代码

符号

P

D

R

qJA

T

J

, T

英镑

最大

150

833

-55到+150

单位

mW

MADC

46

d

VDC

价值

单位

VDC

1

2

3

SOT3636/SC88

CASE 419B

风格1

记号

图

热特性

特征

总包耗散（注1 ）

T

A

= 25°C

热阻

结到环境

结存储

温度范围

订购信息

° C / W

°C

设备

MBT3946DW1T1

包

SOT363

航运

3000 /磁带&卷轴

MBT3946DW1T1G SOT- 363

MBT3946DW1T2

SOT363

1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小

推荐的足迹。

MBT3946DW1T2G SOT- 363

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年1月 - 第2版

出版订单号：

MBT3946DW1T1/D

MBT3946DW1T1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极发射极击穿电压（注2 ）

(I

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 0)

(I

C

= -1.0 MADC ，我

B

= 0)

集电极基极击穿电压

(I

C

= 10

MADC ，

I

E

= 0)

(I

C

= 10

MADC ，

I

E

= 0)

发射-Base击穿电压

(I

E

= 10

MADC ，

I

C

= 0)

(I

E

= 10

MADC ，

I

C

= 0)

基地截止电流

(V

CE

= 30伏直流电，V

EB

= 3.0伏）

(V

CE

= -30伏直流，V

EB

= -3.0 V直流）

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 30伏直流电，V

EB

= 3.0伏）

(V

CE

= -30伏直流，V

EB

= -3.0 V直流）

基本特征

（注2 ）

直流电流增益

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 50 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 100 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= -0.1 MADC ，V

CE

= -1.0 V直流）

(I

C

= -1.0 MADC ，V

CE

= -1.0 V直流）

(I

C

= -10 MADC ，V

CE

= -1.0 V直流）

(I

C

= -50 MADC ，V

CE

= -1.0 V直流）

(I

C

= -100 MADC ，V

CE

= -1.0 V直流）

集电极发射极饱和电压

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 50 MADC ，我

B

= 5.0 MADC ）

(I

C

= -10 MADC ，我

B

= -1.0 MADC ）

(I

C

= -50 MADC ，我

B

= -5.0 MADC ）

基地发射极饱和电压

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 50 MADC ，我

B

= 5.0 MADC ）

(I

C

= -10 MADC ，我

B

= -1.0 MADC ）

(I

C

= -50 MADC ，我

B

= -5.0 MADC ）

小信号特性

电流 - 获得 - 带宽积

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 20伏， F = 100兆赫）

(I

C

= -10 MADC ，V

CE

= -20伏直流， F = 100兆赫）

输出电容

(V

CB

= 5.0伏，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

(V

CB

= -5.0伏，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入电容

(V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

(V

EB

= -0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士;

占空比

≤

2.0%.

f

T

（ NPN ）

（ PNP）

C

敖包

（ NPN ）

（ PNP）

C

IBO

（ NPN ）

（ PNP）

8.0

10.0

4.0

4.5

pF

300

250

pF

兆赫

h

FE

（ NPN ）

40

70

100

60

30

60

80

100

60

30

V

CE （ SAT ）

（ NPN ）

V

BE （ SAT ）

（ NPN ）

0.65

0.85

0.95

0.85

0.95

0.2

0.3

0.25

0.4

VDC

300

VDC

V

（ BR ） CEO

（ NPN ）

（ PNP）

V

（ BR ） CBO

（ NPN ）

（ PNP）

V

（ BR ） EBO

（ NPN ）

（ PNP）

I

BL

（ NPN ）

（ PNP）

I

CEX

（ NPN ）

（ PNP）

50

NADC

6.0

5.0

NADC

60

40

VDC

40

VDC

符号

民

最大

单位

（ PNP）

http://onsemi.com

2

MBT3946DW1T1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

输入阻抗

(V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

(V

CE

= -10伏直流，我

C

= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比例

(V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

(V

CE

= -10伏直流，我

C

= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

小-Signal电流增益

(V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

(V

CE

= -10伏直流，我

C

= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

输出导纳

(V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

(V

CE

= -10伏直流，我

C

= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

噪声系数

(V

CE

= 5.0伏，我

C

= 100

MADC ，

R

S

= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）

(V

CE

= -5.0伏，我

C

= 100

MADC ，

R

S

= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

(V

CC

= 3.0伏，V

BE

= - 0.5 V直流）

(V

CC

= -3.0伏，V

BE

= 0.5伏）

(I

C

= 10 MADC ，我

B1

= 1.0 MADC ）

(I

C

= -10 MADC ，我

B1

= -1.0 MADC ）

(V

CC

= 3.0伏，我

C

= 10 MADC ）

(V

CC

= -3.0伏，我

C

= -10 MADC ）

(I

B1

= I

B2

= 1.0 MADC ）

(I

B1

= I

B2

= -1.0 MADC ）

（ NPN ）

（ PNP）

（ NPN ）

（ PNP）

（ NPN ）

（ PNP）

（ NPN ）

（ PNP）

t

d

t

r

t

s

t

f

35

200

225

50

75

ns

（ NPN ）

（ PNP）

h

re

（ NPN ）

（ PNP）

h

fe

（ NPN ）

（ PNP）

h

oe

（ NPN ）

（ PNP）

NF

（ NPN ）

（ PNP）

5.0

4.0

1.0

3.0

40

60

dB

100

400

毫姆欧

0.5

0.1

8.0

10

符号

h

ie

1.0

2.0

10

12

X 10

4

民

最大

单位

kW

http://onsemi.com

3

MBT3946DW1T1

（ NPN ）

+3 V

+10.9 V

10 k

0

0.5 V

＆ LT ; 1纳秒

C

s

< 4 PF *

9.1 V′

＆ LT ; 1纳秒

1N916

C

s

< 4 PF *

275

+3 V

+10.9 V

275

10 k

占空比= 2 ％

300纳秒

10 <吨

1

＆ LT ; 500

ms

占空比= 2 ％

t

1

*测试夹具和连接器共有并联电容

图1.延迟和上升时间

等效测试电路

图2.存储和下降时间

等效测试电路

典型的瞬态特性

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

10

7.0

电容（pF）

5.0

C

IBO

3.0

2.0

C

敖包

（ NPN ）

5000

3000

2000

Q， CHARGE （ PC）

1000

700

500

300

200

100

70

50

Q

T

Q

A

V

CC

= 40 V

I

C

/I

B

= 10

（ NPN ）

1.0

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30 40

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

反向偏置电压（伏）

I

C

，集电极电流（毫安）

图3.电容

图4.收费数据

http://onsemi.com

4

MBT3946DW1T1

（ NPN ）

500

300

200

100

70

50

30

20

10

7

5

（ NPN ）

t

d

@ V

OB

= 0 V

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

40 V

15 V

10

2.0 V

50 70 100

200

7

5

（ NPN ）

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

I

C

/I

B

= 10

500

300

200

吨R，上升时间（ NS ）

100

70

50

30

20

V

CC

= 40 V

I

C

/I

B

= 10

时间（纳秒）

t

r

@ V

CC

= 3.0 V

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图5.开启-On时间

500

300

200

吨S，存储时间（纳秒）

′

100

70

50

30

20

10

7

5

（ NPN ）

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

I

C

/I

B

= 20

I

C

/I

B

= 10

I

C

/I

B

= 20

I

C

/I

B

= 10

t′

s

= t

s

1

/

8

t

f

I

B1

= I

B2

五六，下降时间（ NS ）

500

300

200

图6.上升时间

V

CC

= 40 V

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 20

100

70

50

30

20

10

7

5

（ NPN ）

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

I

C

/I

B

= 10

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图7.储存时间

图8.下降时间

典型的音频小信号特性

噪声系数变异

(V

CE

= 5.0伏，T

A

= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）

12

10

NF ，噪声系数（dB ）

8

6

4

2

0

0.1

源电阻= 500

W

I

C

= 100

mA

0.2

0.4

1.0

2.0

4.0

源电阻= 200

W

I

C

= 1.0毫安

NF ，噪声系数（dB ）

源电阻= 200

W

I

C

- 0.5毫安

源电阻= 1.0

I

C

= 50

mA

14

F = 1.0千赫

12

10

8

6

4

2

20

40

100

0

0.1

0.2

0.4

1.0

2.0

4.0

（ NPN ）

10

20

40

100

I

C

= 100

mA

I

C

= 1.0毫安

I

C

- 0.5毫安

I

C

= 50

mA

（ NPN ）

10

男，频率（KHz ）

R

S

，源电阻（千欧）

图9.噪声系数

http://onsemi.com

5

图10.噪声系数

MBT3946DW1T1

双路通用

晶体管

该MBT3946DW1T1设备是一个剥离我们的流行

SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般

目的放大器的应用程序和被收纳在SOT - 363-6

表面贴装封装。通过将两个分立器件于一体

封装，该器件非常适用于低功率表面贴装

应用中的电路板空间非常珍贵。

http://onsemi.com

(3)

(2)

(1)

h

FE

, 100300

低V

CE （ SAT ）

,

≤

0.4 V

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

器件标识： MBT3946DW1T1 = 46

无铅封装可用。在G-后缀是指一个

无铅无铅封装

Q

1

Q

2

(4)

(5)

MBT3946DW1T1*

* Q1 PNP

Q2 NPN

(6)

6 5

4

最大额定值

等级

集电极发射极电压

（ NPN ）

（ PNP）

集电极基极电压

（ NPN ）

（ PNP）

发射极基极电压连续

（ NPN ）

（ PNP）

连续集电极电流 -

（ NPN ）

（ PNP）

静电放电

符号

V

首席执行官

40

V

CBO

60

40

V

EBO

6.0

5.0

I

C

200

ESD

HBM>16000,

MM>2000

V

46 =具体设备守则

d

=日期代码

符号

P

D

R

qJA

T

J

, T

英镑

最大

150

833

-55到+150

单位

mW

MADC

46

d

VDC

价值

单位

VDC

1

2

3

SOT3636/SC88

CASE 419B

风格1

记号

图

热特性

特征

总包耗散（注1 ）

T

A

= 25°C

热阻

结到环境

结存储

温度范围

订购信息

° C / W

°C

设备

MBT3946DW1T1

包

SOT363

航运

3000 /磁带&卷轴

MBT3946DW1T1G SOT- 363

MBT3946DW1T2

SOT363

1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小

推荐的足迹。

MBT3946DW1T2G SOT- 363

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年1月 - 第2版

出版订单号：

MBT3946DW1T1/D

MBT3946DW1T1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极发射极击穿电压（注2 ）

(I

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 0)

(I

C

= -1.0 MADC ，我

B

= 0)

集电极基极击穿电压

(I

C

= 10

MADC ，

I

E

= 0)

(I

C

= 10

MADC ，

I

E

= 0)

发射-Base击穿电压

(I

E

= 10

MADC ，

I

C

= 0)

(I

E

= 10

MADC ，

I

C

= 0)

基地截止电流

(V

CE

= 30伏直流电，V

EB

= 3.0伏）

(V

CE

= -30伏直流，V

EB

= -3.0 V直流）

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 30伏直流电，V

EB

= 3.0伏）

(V

CE

= -30伏直流，V

EB

= -3.0 V直流）

基本特征

（注2 ）

直流电流增益

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 50 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 100 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= -0.1 MADC ，V

CE

= -1.0 V直流）

(I

C

= -1.0 MADC ，V

CE

= -1.0 V直流）

(I

C

= -10 MADC ，V

CE

= -1.0 V直流）

(I

C

= -50 MADC ，V

CE

= -1.0 V直流）

(I

C

= -100 MADC ，V

CE

= -1.0 V直流）

集电极发射极饱和电压

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 50 MADC ，我

B

= 5.0 MADC ）

(I

C

= -10 MADC ，我

B

= -1.0 MADC ）

(I

C

= -50 MADC ，我

B

= -5.0 MADC ）

基地发射极饱和电压

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 50 MADC ，我

B

= 5.0 MADC ）

(I

C

= -10 MADC ，我

B

= -1.0 MADC ）

(I

C

= -50 MADC ，我

B

= -5.0 MADC ）

小信号特性

电流 - 获得 - 带宽积

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 20伏， F = 100兆赫）

(I

C

= -10 MADC ，V

CE

= -20伏直流， F = 100兆赫）

输出电容

(V

CB

= 5.0伏，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

(V

CB

= -5.0伏，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入电容

(V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

(V

EB

= -0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士;

占空比

≤

2.0%.

f

T

（ NPN ）

（ PNP）

C

敖包

（ NPN ）

（ PNP）

C

IBO

（ NPN ）

（ PNP）

8.0

10.0

4.0

4.5

pF

300

250

pF

兆赫

h

FE

（ NPN ）

40

70

100

60

30

60

80

100

60

30

V

CE （ SAT ）

（ NPN ）

V

BE （ SAT ）

（ NPN ）

0.65

0.85

0.95

0.85

0.95

0.2

0.3

0.25

0.4

VDC

300

VDC

V

（ BR ） CEO

（ NPN ）

（ PNP）

V

（ BR ） CBO

（ NPN ）

（ PNP）

V

（ BR ） EBO

（ NPN ）

（ PNP）

I

BL

（ NPN ）

（ PNP）

I

CEX

（ NPN ）

（ PNP）

50

NADC

6.0

5.0

NADC

60

40

VDC

40

VDC

符号

民

最大

单位

（ PNP）

http://onsemi.com

2

MBT3946DW1T1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

输入阻抗

(V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

(V

CE

= -10伏直流，我

C

= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比例

(V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

(V

CE

= -10伏直流，我

C

= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

小-Signal电流增益

(V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

(V

CE

= -10伏直流，我

C

= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

输出导纳

(V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

(V

CE

= -10伏直流，我

C

= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

噪声系数

(V

CE

= 5.0伏，我

C

= 100

MADC ，

R

S

= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）

(V

CE

= -5.0伏，我

C

= 100

MADC ，

R

S

= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

(V

CC

= 3.0伏，V

BE

= - 0.5 V直流）

(V

CC

= -3.0伏，V

BE

= 0.5伏）

(I

C

= 10 MADC ，我

B1

= 1.0 MADC ）

(I

C

= -10 MADC ，我

B1

= -1.0 MADC ）

(V

CC

= 3.0伏，我

C

= 10 MADC ）

(V

CC

= -3.0伏，我

C

= -10 MADC ）

(I

B1

= I

B2

= 1.0 MADC ）

(I

B1

= I

B2

= -1.0 MADC ）

（ NPN ）

（ PNP）

（ NPN ）

（ PNP）

（ NPN ）

（ PNP）

（ NPN ）

（ PNP）

t

d

t

r

t

s

t

f

35

200

225

50

75

ns

（ NPN ）

（ PNP）

h

re

（ NPN ）

（ PNP）

h

fe

（ NPN ）

（ PNP）

h

oe

（ NPN ）

（ PNP）

NF

（ NPN ）

（ PNP）

5.0

4.0

1.0

3.0

40

60

dB

100

400

毫姆欧

0.5

0.1

8.0

10

符号

h

ie

1.0

2.0

10

12

X 10

4

民

最大

单位

kW

http://onsemi.com

3

MBT3946DW1T1

（ NPN ）

+3 V

+10.9 V

10 k

0

0.5 V

＆ LT ; 1纳秒

C

s

< 4 PF *

9.1 V′

＆ LT ; 1纳秒

1N916

C

s

< 4 PF *

275

+3 V

+10.9 V

275

10 k

占空比= 2 ％

300纳秒

10 <吨

1

＆ LT ; 500

ms

占空比= 2 ％

t

1

*测试夹具和连接器共有并联电容

图1.延迟和上升时间

等效测试电路

图2.存储和下降时间

等效测试电路

典型的瞬态特性

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

10

7.0

电容（pF）

5.0

C

IBO

3.0

2.0

C

敖包

（ NPN ）

5000

3000

2000

Q， CHARGE （ PC）

1000

700

500

300

200

100

70

50

Q

T

Q

A

V

CC

= 40 V

I

C

/I

B

= 10

（ NPN ）

1.0

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30 40

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

反向偏置电压（伏）

I

C

，集电极电流（毫安）

图3.电容

图4.收费数据

http://onsemi.com

4

MBT3946DW1T1

（ NPN ）

500

300

200

100

70

50

30

20

10

7

5

（ NPN ）

t

d

@ V

OB

= 0 V

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

40 V

15 V

10

2.0 V

50 70 100

200

7

5

（ NPN ）

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

I

C

/I

B

= 10

500

300

200

吨R，上升时间（ NS ）

100

70

50

30

20

V

CC

= 40 V

I

C

/I

B

= 10

时间（纳秒）

t

r

@ V

CC

= 3.0 V

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图5.开启-On时间

500

300

200

吨S，存储时间（纳秒）

′

100

70

50

30

20

10

7

5

（ NPN ）

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

I

C

/I

B

= 20

I

C

/I

B

= 10

I

C

/I

B

= 20

I

C

/I

B

= 10

t′

s

= t

s

1

/

8

t

f

I

B1

= I

B2

五六，下降时间（ NS ）

500

300

200

图6.上升时间

V

CC

= 40 V

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 20

100

70

50

30

20

10

7

5

（ NPN ）

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

I

C

/I

B

= 10

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图7.储存时间

图8.下降时间

典型的音频小信号特性

噪声系数变异

(V

CE

= 5.0伏，T

A

= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）

12

10

NF ，噪声系数（dB ）

8

6

4

2

0

0.1

源电阻= 500

W

I

C

= 100

mA

0.2

0.4

1.0

2.0

4.0

源电阻= 200

W

I

C

= 1.0毫安

NF ，噪声系数（dB ）

源电阻= 200

W

I

C

- 0.5毫安

源电阻= 1.0

I

C

= 50

mA

14

F = 1.0千赫

12

10

8

6

4

2

20

40

100

0

0.1

0.2

0.4

1.0

2.0

4.0

（ NPN ）

10

20

40

100

I

C

= 100

mA

I

C

= 1.0毫安

I

C

- 0.5毫安

I

C

= 50

mA

（ NPN ）

10

男，频率（KHz ）

R

S

，源电阻（千欧）

图9.噪声系数

http://onsemi.com

5

图10.噪声系数