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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第330页 > NST3906DXV6T5
NST3906DXV6T1,
NST3906DXV6T5
双路通用
晶体管
该NST3906DXV6T1设备是分拆我国流行
SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般
目的放大器的应用程序和被容纳在SOT- 563
6引线表面贴装封装。通过将两个分立器件
一个封装，该器件非常适用于低功率表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
http://onsemi.com
(3)
(2)
(1)
h
FE
, 100-300
低V
CE （ SAT ）
,
≤
0.4 V
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
无铅焊料电镀
Q
1
Q
2
(4)
(5)
NST3906DXV6T1
(6)
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
ESD
价值
-40
-40
-5.0
-200
HBM>16000,
MM>2000
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
V
6
54
2
3
1
SOT-563
CASE 463A
塑料
标记图
A2
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻
结到环境
结存储
温度范围
1. FR-4 @最低垫
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
A
= 25°C
R
qJA
T
A
= 25°C
符号
P
D
最大
357
（注1 ）
2.9
（注1 ）
350
（注1 ）
最大
500
（注1 ）
4.0
（注1 ）
250
（注1 ）
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
A2 =具体设备守则
D =日期代码
订购信息
° C / W
设备
NST3906DXV6T1
包
SOT-563
SOT-563
航运
4毫米间距
4000 /磁带&卷轴
2毫米间距
8000 /磁带&卷轴
符号
P
D
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
NST3906DXV6T5
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年3月 - 修订版0
出版订单号：
NST3906DXV6T1/D
NST3906DXV6T1 ， NST3906DXV6T5
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（注2 ）
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
-40
-40
-5.0
-
-
-
-
-
-50
-50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= -0.1 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -1.0 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -50 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
h
FE
60
80
100
60
30
V
CE （ SAT ）
-
-
V
BE （ SAT ）
-0.65
-
-0.85
-0.95
-0.25
-0.4
VDC
-
-
300
-
-
VDC
-
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
输入阻抗
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
小 - 信号电流增益
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
= -5.0伏，我
C
= -100
MADC ，
R
S
= 1.0 k
,
F = 1.0千赫）
f
T
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
NF
250
-
-
2.0
0.1
100
3.0
-
-
4.5
10.0
12
10
400
60
4.0
兆赫
pF
pF
k
X 10
- 4
-
毫姆欧
dB
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= -3.0伏，V
BE
= 0.5伏）
(I
C
= -10 MADC ，我
B1
= -1.0 MADC ）
(V
CC
= -3.0伏，我
C
= -10 MADC ）
(I
B1
= I
B2
= -1.0 MADC ）
t
d
t
r
t
s
t
f
-
-
-
-
35
35
225
75
ns
ns
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s;
占空比
≤
2.0%.
http://onsemi.com
2
NST3906DXV6T1 ， NST3906DXV6T5
3V
+9.1 V
275
＆ LT ; 1纳秒
+0.5 V
10 k
0
C
s
< 4 PF *
10.6 V
300纳秒
占空比= 2 ％
10 <吨
1
＆ LT ; 500
ms
占空比= 2 ％
*测试夹具和连接器共有并联电容
t
1
10.9 V
1N916
C
s
< 4 PF *
10 k
＆ LT ; 1纳秒
275
3V
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
典型的瞬态特性
10
7.0
电容（pF）
5.0
C
敖包
C
IBO
3.0
2.0
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向偏置（伏）
20 30 40
图3.电容
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
I
C
/I
B
= 20
五六，下降时间（ NS ）
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
时间（纳秒）
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
15 V
40 V
2.0 V
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.转向 - 时间
图5.下降时间
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3
NST3906DXV6T1 ， NST3906DXV6T5
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
= - 5.0伏直流电，T
A
= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
5.0
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 2.0
I
C
= 50
mA
12
F = 1.0千赫
10
I
C
- 0.5毫安
8
6
4
2
0
I
C
= 50
mA
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
4.0
3.0
2.0
源电阻= 2.0
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
男，频率（KHz ）
20
40
100
1.0
0
0.1
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0
4.0
10
20
R
g
，源电阻（千欧）
40
100
图6 。
图7 。
h参数值
(V
CE
= - 10 VDC ， F = 1.0千赫，T
A
= 25°C)
300
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
100
70
50
30
20
^ h FE ， DC电流增益
200
100
70
50
10
7
30
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
图8.电流增益
20
即输入阻抗（千欧）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
h
re
电压反馈RATIO （ ×10
4
)
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图9.输出准入
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
图10.输入阻抗
图11.电压反馈比例
http://onsemi.com
4
NST3906DXV6T1 ， NST3906DXV6T5
典型静态特性
^ h FE ， DC电流增益（标准化）
2.0
T
J
= +125°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
+25°C
55
°C
V
CE
= 1.0 V
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
20
30
50
70
100
200
图12.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
= 1.0毫安
10毫安
30毫安
百毫安
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
I
B
，基极电流（毫安）
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
图13.集电极饱和区
T
J
= 25°C
0.8
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
q
V，温度系数（MV /
°
C)
1.0
1.0
0.5
0
0.5
+ 25 ° C至+ 125°C
1.0
1.5
2.0
q
VB
对于V
BE （ SAT ）
55
°C
至+ 25°C
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
+ 25 ° C至+ 125°C
55
°C
至+ 25°C
0.6
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2
0
1.0
2.0
50
5.0
10
20
I
C
，集电极电流（毫安）
100
200
0
20
40
60
80 100 120 140
I
C
，集电极电流（毫安）
160
180 200
图14为“ON”电压
图15.温度系数
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5
NST3906DXV6T1,
NST3906DXV6T5
双路通用
晶体管
该NST3906DXV6T1设备是分拆我国流行
SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般
目的放大器的应用程序和被容纳在SOT- 563
6引线表面贴装封装。通过将两个分立器件
一个封装，该器件非常适用于低功率表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
http://onsemi.com
(3)
(2)
(1)
h
FE
, 100-300
低V
CE （ SAT ）
,
≤
0.4 V
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
无铅焊料电镀
Q
1
Q
2
(4)
(5)
NST3906DXV6T1
(6)
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
ESD
价值
-40
-40
-5.0
-200
HBM>16000,
MM>2000
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
V
6
54
2
3
1
SOT-563
CASE 463A
塑料
标记图
A2
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻
结到环境
结存储
温度范围
1. FR-4 @最低垫
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
A
= 25°C
R
qJA
T
A
= 25°C
符号
P
D
最大
357
（注1 ）
2.9
（注1 ）
350
（注1 ）
最大
500
（注1 ）
4.0
（注1 ）
250
（注1 ）
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
A2 =具体设备守则
D =日期代码
订购信息
° C / W
设备
NST3906DXV6T1
包
SOT-563
SOT-563
航运
4毫米间距
4000 /磁带&卷轴
2毫米间距
8000 /磁带&卷轴
符号
P
D
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
NST3906DXV6T5
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年3月 - 修订版0
出版订单号：
NST3906DXV6T1/D
NST3906DXV6T1 ， NST3906DXV6T5
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（注2 ）
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
-40
-40
-5.0
-
-
-
-
-
-50
-50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= -0.1 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -1.0 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -50 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
h
FE
60
80
100
60
30
V
CE （ SAT ）
-
-
V
BE （ SAT ）
-0.65
-
-0.85
-0.95
-0.25
-0.4
VDC
-
-
300
-
-
VDC
-
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
输入阻抗
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
小 - 信号电流增益
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
= -5.0伏，我
C
= -100
MADC ，
R
S
= 1.0 k
,
F = 1.0千赫）
f
T
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
NF
250
-
-
2.0
0.1
100
3.0
-
-
4.5
10.0
12
10
400
60
4.0
兆赫
pF
pF
k
X 10
- 4
-
毫姆欧
dB
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= -3.0伏，V
BE
= 0.5伏）
(I
C
= -10 MADC ，我
B1
= -1.0 MADC ）
(V
CC
= -3.0伏，我
C
= -10 MADC ）
(I
B1
= I
B2
= -1.0 MADC ）
t
d
t
r
t
s
t
f
-
-
-
-
35
35
225
75
ns
ns
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s;
占空比
≤
2.0%.
http://onsemi.com
2
NST3906DXV6T1 ， NST3906DXV6T5
3V
+9.1 V
275
＆ LT ; 1纳秒
+0.5 V
10 k
0
C
s
< 4 PF *
10.6 V
300纳秒
占空比= 2 ％
10 <吨
1
＆ LT ; 500
ms
占空比= 2 ％
*测试夹具和连接器共有并联电容
t
1
10.9 V
1N916
C
s
< 4 PF *
10 k
＆ LT ; 1纳秒
275
3V
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
典型的瞬态特性
10
7.0
电容（pF）
5.0
C
敖包
C
IBO
3.0
2.0
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向偏置（伏）
20 30 40
图3.电容
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
I
C
/I
B
= 20
五六，下降时间（ NS ）
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
时间（纳秒）
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
15 V
40 V
2.0 V
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.转向 - 时间
图5.下降时间
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3
NST3906DXV6T1 ， NST3906DXV6T5
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
= - 5.0伏直流电，T
A
= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
5.0
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 2.0
I
C
= 50
mA
12
F = 1.0千赫
10
I
C
- 0.5毫安
8
6
4
2
0
I
C
= 50
mA
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
4.0
3.0
2.0
源电阻= 2.0
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
男，频率（KHz ）
20
40
100
1.0
0
0.1
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0
4.0
10
20
R
g
，源电阻（千欧）
40
100
图6 。
图7 。
h参数值
(V
CE
= - 10 VDC ， F = 1.0千赫，T
A
= 25°C)
300
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
100
70
50
30
20
^ h FE ， DC电流增益
200
100
70
50
10
7
30
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
图8.电流增益
20
即输入阻抗（千欧）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
h
re
电压反馈RATIO （ ×10
4
)
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图9.输出准入
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
图10.输入阻抗
图11.电压反馈比例
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4
NST3906DXV6T1 ， NST3906DXV6T5
典型静态特性
^ h FE ， DC电流增益（标准化）
2.0
T
J
= +125°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
+25°C
55
°C
V
CE
= 1.0 V
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
20
30
50
70
100
200
图12.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
= 1.0毫安
10毫安
30毫安
百毫安
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
I
B
，基极电流（毫安）
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
图13.集电极饱和区
T
J
= 25°C
0.8
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
q
V，温度系数（MV /
°
C)
1.0
1.0
0.5
0
0.5
+ 25 ° C至+ 125°C
1.0
1.5
2.0
q
VB
对于V
BE （ SAT ）
55
°C
至+ 25°C
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
+ 25 ° C至+ 125°C
55
°C
至+ 25°C
0.6
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2
0
1.0
2.0
50
5.0
10
20
I
C
，集电极电流（毫安）
100
200
0
20
40
60
80 100 120 140
I
C
，集电极电流（毫安）
160
180 200
图14为“ON”电压
图15.温度系数
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