NST3904DXV6T1,
NST3904DXV6T5
双路通用
晶体管
该NST3904DXV6T1设备是一个剥离我们的流行
SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般
目的放大器的应用程序和被收纳在SOT -563
6引线表面贴装封装。通过将两个分立器件
一个封装，该器件非常适用于低功率表面贴装
应用中的电路板空间非常珍贵。
特点
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(3)
(2)
(1)
Q
1
Q
2
h
FE
, 100-300
低V
CE （ SAT ）
,
≤
0.4 V
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
这些无铅器件
(4)
(5)
NST3904DXV6T1
(6)
最大额定值
1
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
静电放电
HBM
MM
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
ESD
价值
40
60
6.0
200
>16000
>2000
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
V
SOT-563
CASE 463A
塑料
标记图
热特性
特征
（一路口加热）
器件总耗散T
A
= 25°C
减免上述25° C（注1 ）
热阻结到环境
（注1 ）
特征
（两个路口加热）
器件总耗散T
A
= 25°C
减免上述25° C（注1 ）
热阻，结到环境
（注1 ）
结温和存储温度范围
符号
P
D
最大
357
2.9
350
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
1
MA M
G
G
R
qJA
MA =器件代码
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
500
4.0
250
- 55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
订购信息
设备
NST3904DXV6T1
包
航运
SOT- 563 * 4000 /磁带&卷轴
NST3904DXV6T1G SOT- 563 * 4000 /磁带&卷轴
NST3904DXV6T5
SOT- 563 * 8000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @最低垫
NST3904DXV6T5G SOT- 563 * 8000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年8月 - 第4版
出版订单号：
NST3904DXV6T1/D
NST3904DXV6T1 ， NST3904DXV6T5
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（注2 ） （我
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
底座截止电流（V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
集电极截止电流（V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积（我
C
= 10 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容（V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入阻抗（V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比（V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
小 - 信号电流增益（V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳（V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数（V
CE
= 5.0伏，我
C
= 100
MADC ，
R
S
= 1.0 k
W,
F = 1.0千赫）
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 3.0伏，V
BE
= - 0.5 V直流）
(I
C
= 10 MADC ，我
B1
= 1.0 MADC ）
(V
CC
= 3.0伏，我
C
= 10 MADC ）
(I
B1
= I
B2
= 1.0 MADC ）
t
d
t
r
t
s
t
f
-
-
-
-
35
35
200
ns
50
ns
f
T
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
NF
300
-
-
1.0
2.0
0.5
0.1
100
100
1.0
3.0
-
-
-
4.0
8.0
10
12
8.0
10
400
400
40
60
5.0
4.0
兆赫
pF
pF
k
W
X 10
- 4
-
毫姆欧
dB
h
FE
40
70
100
60
30
V
CE （ SAT ）
-
-
V
BE （ SAT ）
0.65
-
0.85
0.95
0.2
0.3
VDC
-
-
300
-
-
VDC
-
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
40
60
6.0
-
-
-
-
-
50
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
符号
民
最大
单位
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士;
占空比
≤
2.0%.
10 <吨
1
＆ LT ; 500
ms
占空比= 2 ％
+10.9 V
10 k
- 0.5 V
＆ LT ; 1纳秒
C
s
< 4 PF *
- 9.1 V′
*测试夹具和连接器共有并联电容
＆ LT ; 1纳秒
275
10 k
0
1N916
C
s
< 4 PF *
+3 V
+10.9 V
275
占空比= 2 ％
300纳秒
+3 V
t
1
图1.延迟和上升时间等效测试电路
图2.存储和下降时间等效测试电路
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2
NST3904DXV6T1 ， NST3904DXV6T5
典型的瞬态特性
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
7.0
电容（pF）
5.0
C
IBO
3.0
2.0
C
敖包
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
反向偏置电压（伏）
图3.电容
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
2.0 V
50 70 100
200
40 V
15 V
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
吨R，上升时间（ NS ）
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
时间（纳秒）
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.开启时间
500
300
200
吨S，存储时间（纳秒）
′
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
图5.上升时间
t′
s
= t
s
-
1
/
8
t
f
I
B1
= I
B2
五六，下降时间（ NS ）
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图6.储存时间
图7.下降时间
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3
NST3904DXV6T1 ， NST3904DXV6T5
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
12
10
NF ，噪声系数（dB ）
8
6
4
2
0
0.1
源电阻= 500
W
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
100
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 1.0
I
C
= 50
mA
14
F = 1.0千赫
12
10
8
6
4
2
0
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
100
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 50
mA
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻（千欧）
图8.噪声系数
图9.噪声系数
h参数值
(V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T
A
= 25°C)
300
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
5.0
10
100
50
^ h FE ，电流增益
200
20
10
5
100
70
50
2
1
30
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0
10
图10.电流增益
h
re
电压反馈RATIO （ ×10
-4
)
20
即输入阻抗（千欧）
10
5.0
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图11.输出导纳
2.0
1.0
0.5
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0
10
0.2
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0
10
图12.输入阻抗
图13.电压反馈比例
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4
NST3904DXV6T1 ， NST3904DXV6T5
典型静态特性
^ h FE ， DC电流增益（标准化）
2.0
T
J
= +125°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
- 55°C
+25°C
V
CE
= 1.0 V
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
图14.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
= 1.0毫安
10毫安
30毫安
百毫安
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
I
B
，基极电流（毫安）
图15.集电极饱和区
1.2
T
J
= 25°C
1.0
V，电压（V ）
0.8
V
BE
@ V
CE
=1.0 V
0.6
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
=10
0.2
0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
=10
系数（MV /
°
C)
1.0
0.5
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
0
- 0.5
- 55 °C至+ 25°C
- 1.0
+ 25 ° C至+ 125°C
- 1.5
- 2.0
q
VB
对于V
BE （ SAT ）
- 55 °C至+ 25°C
+ 25 ° C至+ 125°C
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图16为“ON”电压
图17.温度系数
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QQ：2881677436 复制
