添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第341页 > NSS40302PDR2G
NSS40302PDR2G
补充40 V ， 6.0 A，
低V
CE （ SAT ）
晶体管
安森美半导体的电子商务
2
的PowerEdge系列低V的
CE （ SAT ）
晶体管表面贴装器件具有超低饱和
电压（V
CE （ SAT ）
）和高电流增益的能力。这些设计
在低电压，高速开关应用
经济实惠的高效节能控制是非常重要的。
典型的应用是在大容量存储的低电压电机控制
产品，如光盘驱动器和磁带驱动器。在汽车
行业，他们可以在气囊展开，并在乐器上使用
集群。高电流增益允许ê
2
的PowerEdge设备是
直接从PMU的控制输出，线性增益驱动
（测试版） ，使它们非常适合组件的模拟放大器。
特点
http://onsemi.com
40伏， 6.0 AMPS
互补LOW
V
CE （ SAT ）
晶体管
等效
DS （ ON）
80毫瓦
集热器
7,8
2
BASE
1
辐射源
4
BASE
3
辐射源
集热器
5,6
无卤化物
这是一个Pb - Free设备
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
集电极电流
PEAK
静电放电
NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
PNP
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
ESD
最大
40
40
40
40
6.0
7.0
3.0
3.0
6.0
6.0
单位
VDC
VDC
VDC
A
A
8
1
SOIC8
CASE 751
样式16
器件标识
8
C40302
AYWWG
G
HBM 3B类
MM C级
1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
C40302 =具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NSS40302PDR2G
包
SOIC8
（无铅）
航运
2500 /
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年9月，
第0版
1
出版订单号：
NSS40302P/D
NSS40302PDR2G
热特性
特征
单HEATED
器件总功耗（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗（注2 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
双HEATED
（注3）
器件总功耗（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗（注2 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储温度范围
P
D
653
5.2
R
qJA
P
D
191
783
6.3
R
qJA
T
J
, T
英镑
160
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
P
D
576
4.6
R
qJA
P
D
217
676
5.4
R
qJA
185
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
符号
最大
单位
1. FR-4 @ 10毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
2. FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
3.双热值，假设总功率是两个同样供电设备的总和。
http://onsemi.com
2
NSS40302PDR2G
NPN电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 0.1 MADC ，我
E
= 0)
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 0.1 MADC ，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 40 VDC ，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 6.0伏）
基本特征
DC电流增益（注5）
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 500毫安， V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 1.0 A，V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 2.0 A，V
CE
= 2.0 V)
集热器
：辐射源
饱和电压（注5 ）
(I
C
= 0.1 A，I
B
= 0.010 A)
(I
C
= 1.0 A，I
B
= 0.100 A)
(I
C
= 1.0 A，I
B
= 0.010 A)
(I
C
= 2.0 A，I
B
= 0.200 A)
BASE
：辐射源
饱和电压（注5 ）
(I
C
= 1.0 A，I
B
= 0.01 A)
BASE
：辐射源
导通电压（注5 ）
(I
C
= 0.1 A，V
CE
= 2.0 V)
截止频率
(I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V ， F = 100兆赫）
输入电容（V
EB
= 0.5 V ， F = 1.0兆赫）
输出电容（V
CB
= 3.0 V，F = 1.0兆赫）
开关特性
延迟（V
CC
= 30 V，I
C
= 750 mA时，我
B1
= 15 mA）的
上升（V
CC
= 30 V，I
C
= 750 mA时，我
B1
= 15 mA）的
存储（V
CC
= 30 V，I
C
= 750 mA时，我
B1
= 15 mA）的
秋季（V
CC
= 30 V，I
C
= 750 mA时，我
B1
= 15 mA）的
4.脉冲条件：脉冲宽度= 300
毫秒，
占空比
≤
2%.
t
d
t
r
t
s
t
f
100
100
780
110
ns
ns
ns
ns
h
FE
200
200
180
180
100
400
350
340
320
0.008
0.044
0.080
0.082
0.780
0.650
320
40
V
0.011
0.060
0.115
0.115
V
0.900
V
0.750
兆赫
450
50
pF
pF
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
VDC
40
40
6.0
VDC
VDC
0.1
0.1
MADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
CIBO
科博
http://onsemi.com
3
NSS40302PDR2G
PNP电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
=
10
MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
=
0.1
MADC ，我
E
= 0)
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
=
0.1
MADC ，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=
40
VDC ，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
=
6.0
VDC ）
基本特征
DC电流增益（注5）
(I
C
=
10
毫安，V
CE
=
2.0
V)
(I
C
=
500
毫安，V
CE
=
2.0
V)
(I
C
=
1.0
A，V
CE
=
2.0
V)
(I
C
=
2.0
A，V
CE
=
2.0
V)
集热器
：辐射源
饱和电压（注5 ）
(I
C
=
0.1
A，I
B
=
0.010
A)
(I
C
=
1.0
A，I
B
=
0.100
A)
(I
C
=
1.0
A，I
B
=
0.010
A)
(I
C
=
2.0
A，I
B
=
0.200
A)
BASE
：辐射源
饱和电压（注5 ）
(I
C
=
1.0
A，I
B
=
0.01
A)
BASE
：辐射源
导通电压（注5 ）
(I
C
=
0.1
A，V
CE
=
2.0
V)
截止频率
(I
C
=
100
毫安，V
CE
=
5.0
V，F = 100兆赫）
输入电容（V
EB
=
0.5
V，F = 1.0兆赫）
输出电容（V
CB
=
3.0
V，F = 1.0兆赫）
开关特性
延迟（V
CC
=
30
V，I
C
=
750
妈，我
B1
=
15
毫安）
上升（V
CC
=
30
V，I
C
=
750
妈，我
B1
=
15
毫安）
存储（V
CC
=
30
V，I
C
=
750
妈，我
B1
=
15
毫安）
秋季（V
CC
=
30
V，I
C
=
750
妈，我
B1
=
15
毫安）
5.脉冲条件：脉冲宽度= 300
毫秒，
占空比
≤
2%.
t
d
t
r
t
s
t
f
60
120
400
130
ns
ns
ns
ns
h
FE
250
220
180
150
100
380
340
300
230
0.013
0.075
0.130
0.135
0.780
0.660
250
50
V
0.017
0.095
0.170
0.170
V
0.900
V
0.750
兆赫
300
65
pF
pF
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
VDC
40
40
7.0
VDC
VDC
0.1
0.1
MADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
CIBO
科博
http://onsemi.com
4
NSS40302PDR2G
NPN典型特征
0.16
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.001
0.01
0.1
1
I
C
/I
B
= 10
0.30
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
I
C
/I
B
= 100
0.25
150°C
0.20
0.15
0.10
0.05
0
25°C
55°C
25°C
150°C
55°C
10
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图1.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
700
600 150C （ 2.0 V）
500
400
300
150 ° C（ 5.0 V）
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射
饱和电压（ V）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
图2.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
55°C
25°C
25 ° C（ 5.0 V）
25C （ 2.0 V）
55°C
(5.0 V)
150°C
200
55°C
(2.0 V)
100
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图3.直流电流增益与集电极
当前
1.0
V
BE（上）
，基极发射极导通
电压（V）的
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.001
0.01
0.1
1
150°C
V
CE
= +2.0 V
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
电压（V）的
55°C
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
图4.基极发射极饱和电压与
集电极电流
百毫安
1A
2A
3A
25°C
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
b
，基极电流（ A）
图5.基极发射极导通电压与
集电极电流
图6.饱和区
http://onsemi.com
5
查看更多NSS40302PDR2GPDF信息
推荐型号
NAND01GR3A0BZB1
NCV8560MN330R2G
NCV51411MNR2G
NCV8406ASTT1G
NAND512R4A2CZB6T
NTHC8NA3
N8X310N-B
NMC9306EN
NATT681M16V12.5X14KLBF
NC3MXD
NB3N501DR2G
NLAS4053DTG
NFV14D681K
NB85E252
NTE571
NATT472M6.3V16X17JLSF
N82050
NT2520SA_1
NAND512W3A2BV1T
NRA335K50
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NSS40302PDR2G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
辉华拓展
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制

电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
NSS40302PDR2G
ON(安森美)
22+
7328
原装原厂公司现货
深圳市裕硕科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ：1909637520 复制
电话：0755-23613962/82706142
联系人：雷小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
NSS40302PDR2G
ONSEMI/安森美
2024+
9675
SOP-8
优势现货，全新原装进口
瀚佳科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ：2480898381 复制

电话：0755-23915992/23140719
联系人：李
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
NSS40302PDR2G
ON
24+
68500
SOP-8
一级代理/放心采购
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NSS40302PDR2G
ON/安森美
21+
2500
8-SOIC
全新原装正品/质量有保证
深圳市潮南大宇电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：515070148 复制 点击这里给我发消息 QQ：1078456426 复制
电话：0755-23956875\23956877
联系人：陈小姐/陈先生
地址：深圳市福田区华强北路华强广场D栋13B
NSS40302PDR2G
ON/安森美
22+
2500
SOP8
终端一站式配单精选，更多型号请联系我们！！！
深圳市俊晖半导体有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：421123133 复制

电话：13410941925
联系人：李先生【原装正品,可开发票】
地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
NSS40302PDR2G
ON(安森美)
24+
7800
SOIC-8
原装正品现货，可开增值税专用发票
深圳市杰兴微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004205530 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004205445 复制

电话：0755-23995152
联系人：林
地址：广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
NSS40302PDR2G
onsemi
23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ：1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
NSS40302PDR2G
ON/安森美
1925+
9852
SOIC-8
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市源丰诚电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1965785011 复制

电话：0755-23919407
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
NSS40302PDR2G
ON
17+
4550
进口全新原装现货
深圳市鑫远鹏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885742022 复制
电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
NSS40302PDR2G
ON/安森美
17+
7599
NA
全新原装15818663367
查询更多NSS40302PDR2G供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！