【NSS40301MZ4双极功率晶体管40 V ， 3.0 A，低VCE （ SAT ）NPN晶体管安】,IC型号NSS40301MZ4T1G,NSS40301MZ4T1G PDF资料,NSS40301MZ4T1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NSS40301MZ4

双极功率晶体管

40 V ， 3.0 A，低V

CE （ SAT ）

NPN晶体管

安森美半导体的电子商务

的PowerEdge系列低V的

CE （ SAT ）

晶体管表面贴装器件具有超低饱和

电压（V

CE （ SAT ）

）和高电流增益的能力。这些设计

在低电压，高速开关应用

经济实惠的高效节能控制是非常重要的。

典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理

在便携式及电池供电的产品，例如蜂窝和无绳

电话，PDA，计算机，打印机，数码相机和MP3播放器。

其它的应用是在大容量存储的低电压电机控制

产品，如光盘驱动器和磁带驱动器。在汽车

行业，他们可以在气囊展开，并在乐器上使用

集群。高电流增益允许ê

的PowerEdge设备是

直接从PMU的控制输出，线性增益驱动

（测试版），使它们非常适合组件的模拟放大器。

特点

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NPN晶体管

3.0安培

40伏， 2.0瓦

C 2, 4

概要

1 2

补充NSS40300MZ4系列

NSV前缀为汽车和其他需要的应用

独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101

合格的，有能力PPAP

这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂的

符合RoHS

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

基极电流 - 连续

连续集电极电流 -

集电极电流 - 峰值

总功耗

总磷

@ T

= 25 ° C（注1 ）

总磷

@ T

= 25 ° C（注2 ）

工作和存储结

温度范围

符号

首席执行官

2.0

0.80

, T

英镑

- 55至+ 150

°C

价值

6.0

1.0

3.0

5.0

单位

VDC

ADC

40301

SOT223

CASE 318E

风格1

标记图

AYW

40301G

=大会地点

YEAR

=工作周

=具体设备守则

= Pb-Free包装

引脚分配

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.安装在1 “平方（ 645平方毫米）收集垫在FR - 4 BD材料。

2.安装在0.012 “平方（ 7.6平方毫米）集电极上的FR- 4 BD材料垫。

顶视图引脚

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

半导体元件工业有限责任公司， 2013

九月， 2013 - 第3版

出版订单号：

NSS40301MZ4/D

NSS40301MZ4

热特性

特征

热阻，结到外壳

结到环境1 “平方（ 645平方毫米）集电极上的FR- 4 BD材料垫

结到环境的0.012 “平方（ 7.6平方毫米）的FR- 4 BD材料收集垫

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从5秒

符号

qJA

最大

155

260

°C

单位

° C / W

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 发射极耐受电压（I

= 10 MADC ，我

= 0 ADC ）

发射极 - 基极电压（I

= 50

MADC ，

= 0 ADC ）

集电极截止电流（V

= 40 VDC ）

发射极截止电流（V

= 6.0伏）

基本特征

（注3）

集电极 - 发射极饱和电压

= 0.5 ADC ，我

= 50 MADC ）

= 1.0 ADC ，我

= 20 MADC ）

= 3.0 ADC ，我

= 0.3 ADC）

基射极饱和电压（I

= 1.0 ADC ，我

= 0.1 ADC）

基射极电压上（我

= 1.0 ADC ，V

= 2.0伏）

直流电流增益

= 0.5 ADC ，V

= 1.0伏）

= 1.0 ADC ，V

= 1.0伏）

= 3.0 ADC ，V

= 1.0伏）

动态特性

输出电容（V

= 10 VDC ， F = 1.0兆赫）

输入电容（V

= 5.0伏， F = 1.0兆赫）

电流增益 - 带宽积（注4 ）

= 500毫安， V

= 10 V，F

TEST

= 1.0兆赫）

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

4. f

= |h

TEST

215

170

兆赫

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

BE（上）

220

200

100

500

0.050

0.100

0.200

1.0

0.9

VDC

CEO （ SUS ）

EBO

CBO

EBO

6.0

100

VDC

NADC

符号

民

典型值

最大

单位

2.5

，功耗（ W）

2.0

1.5

1.0

0.5

100

125

150

，温度（° C）

图1.功率降额

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NSS40301MZ4

典型特征

600

= 1 V

，直流电流增益

500

400

300

200

55°C

100

0.001

25°C

150°C

600

500

400

300

55°C

200

100

0.01

0.1

0.001

0.01

0.1

25°C

700

= 4 V

150°C

，集电极电流（ A）

图2.直流电流增益

CE （ SAT ）

，集电极 - 发射极

饱和电压（ V）

CE （ SAT ）

，集电极 - 发射极

饱和电压（ V）

= 10

25°C

0.1

55°C

150°C

= 50

图3.直流电流增益

150°C

0.1

25°C

55°C

0.01

0.001

0.01

0.1

，集电极电流（ A）

0.01

0.001

0.01

0.1

，集电极电流（ A）

图4.集电极 - 发射极饱和电压

CE （ SAT ）

，集电极 - 发射极

饱和电压（ V）

1.2

图5.集电极 - 发射极饱和电压

BE（上）

极，发射极 - 基极电压（V ）

= 2 V

1.0

55°C

0.8

0.6

25°C

0.4

0.2

0.001

150°C

= 3 A

0.1

0.5 A

0.1 A

0.001

0.01

0.1

1.0

0.01

0.0001

0.01

0.1

，基极电流（ A）

，集电极电流（ A）

图6.集电极饱和区

图7. V

BE（上）

电压

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NSS40301MZ4

典型特征

1.4

BE （ SAT ）

，发射极 - 基

饱和电压（ V）

BE （ SAT ）

，发射极 - 基

饱和电压（ V）

1.2

1.0

55°C

0.8

0.6

0.4

150°C

0.2

0.001

0.01

0.1

，集电极电流（ A）

25°C

= 10

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

25°C

0.4

0.2

0.001

0.01

0.1

，集电极电流（ A）

150°C

55°C

= 50

图8.基射极饱和电压

450

敖包

，输出电容（ pF）的

IBO

，输入电容（ pF）的

400

350

300

250

200

150

100

，发射极基极电压（ V）

= 25°C

TEST

= 1兆赫

100

图9.基射极饱和电压

= 25°C

TEST

= 1兆赫

，集电极基极电压（ V）

图10.输入电容

240

，集电极电流（ A）

头

，当前带宽

产品（兆赫）

200

160

120

0.001

= 25°C

TEST

= 1兆赫

= 10 V

图11.输出电容

0.5毫秒

1毫秒

10毫秒

100毫秒

0.1

0.01

0.1

，集电极 - 发射极电压（ V）

100

，集电极电流（ A）

图12.电流增益带宽积

图13.安全工作区

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订购信息

设备

NSS40301MZ4T1G

NSV40301MZ4T1G*

NSS40301MZ4T3G

包

SOT223

（无铅）

SOT223

（无铅）

SOT223

（无铅）

航运

1000 /磁带&卷轴

4000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

* NSV前缀为汽车和独特的要求和现场控制需求变更的其他应用程序; AEC - Q101标准和PPAP

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