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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第131页 > NSS40301MDR2G
NSS40301MDR2G
双匹配40 V ， 6.0 A，
低V
CE （ SAT ）
NPN晶体管
这些晶体管是安森美半导体电子零件
2
POWEREDGE
家庭低V的
CE （ SAT ）
晶体管。它们组装到创建的一对
高度匹配的所有参数的设备，包括超低的
饱和电压V
CE （ SAT ）
，高电流增益和基极/开启
电压。
典型的应用是电流镜，差动放大器，
的DC- DC转换器和电源管理在便携式电池
供电产品如蜂窝和无绳电话，PDA ，
计算机，打印机，数码相机和MP3播放器。其他
应用在大容量存储产品低压电动机控制
如磁盘驱动器和磁带驱动器。在汽车工业中，他们可以
在气囊展开和组合仪表中使用。高
电流增益允许ê
2
的PowerEdge设备直接驱动，从
PMU的控制输出，线性增益（测试版） ，使它们非常适合
组件模拟放大器。
特点
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40伏
6.0安培
NPN低V
CE （ SAT ）
晶体管
等效
DS （ ON）
44毫瓦
集热器
7,8
2
BASE
1
辐射源
4
BASE
3
辐射源
集热器
5,6
电流增益匹配到10 ％
基极发射极电压匹配2毫伏
这是一个Pb - Free设备
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
集电极电流
PEAK
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
ESD
最大
40
40
6.0
3.0
6.0
单位
VDC
VDC
VDC
A
A
8
1
SOIC8
CASE 751
样式16
器件标识
8
N40301
AYWWG
G
HBM 3B类
MM C级
1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
N40301 =具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NSS40301MDR2G
包
SOIC8
（无铅）
航运
2500 /
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年5月
第1版
1
出版订单号：
NSS40301MD/D
NSS40301MDR2G
热特性
特征
单HEATED
器件总功耗（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗（注2 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
双HEATED
（注3）
器件总功耗（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗（注2 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储温度范围
P
D
653
5.2
R
qJA
P
D
191
783
6.3
R
qJA
T
J
, T
英镑
160
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
P
D
576
4.6
R
qJA
P
D
217
676
5.4
R
qJA
185
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
符号
最大
单位
1. FR-4 @ 10毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
2. FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
3.双热值，假设总功率是两个同样供电设备的总和。
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2
NSS40301MDR2G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 0.1 MADC ，我
E
= 0)
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 0.1 MADC ，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 40 VDC ，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 6.0伏）
基本特征
直流电流增益（注4 ）
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 500毫安， V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 1.0 A，V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 2.0 A，V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 2.0 A，V
CE
= 2.0 V） （注5 ）
集热器
：辐射源
饱和电压（注4 ）
(I
C
= 0.1 A，I
B
= 0.010 A)
(I
C
= 1.0 A，I
B
= 0.100 A)
(I
C
= 1.0 A，I
B
= 0.010 A)
(I
C
= 2.0 A，I
B
= 0.200 A)
BASE
：辐射源
饱和电压（注4 ）
(I
C
= 1.0 A，I
B
= 0.01 A)
BASE
：辐射源
导通电压（注4 ）
(I
C
= 0.1 A，V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 0.1 A，V
CE
= 2.0 V） （注6）
截止频率
(I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V ， F = 100兆赫）
输入电容（V
EB
= 0.5 V ， F = 1.0兆赫）
输出电容（V
CB
= 3.0 V，F = 1.0兆赫）
开关特性
延迟（V
CC
= 30 V，I
C
= 750 mA时，我
B1
= 15 mA）的
上升（V
CC
= 30 V，I
C
= 750 mA时，我
B1
= 15 mA）的
存储（V
CC
= 30 V，I
C
= 750 mA时，我
B1
= 15 mA）的
秋季（V
CC
= 30 V，I
C
= 750 mA时，我
B1
= 15 mA）的
t
d
t
r
t
s
t
f
100
100
780
110
ns
ns
ns
ns
h
FE
200
200
180
180
0.9
100
400
350
340
320
0.99
0.008
0.044
0.080
0.082
0.780
0.650
0.3
320
40
V
0.011
0.060
0.115
0.115
V
0.900
V
0.750
2.0
450
50
pF
pF
mV
兆赫
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
VDC
40
40
6.0
VDC
VDC
0.1
0.1
MADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
h
FE(1)/
h
FE(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
V
BE(1)
V
BE(2)
f
T
CIBO
科博
4.脉冲条件：脉冲宽度= 300
毫秒，
占空比
≤
2%.
5. h
FE(1)
/h
FE(2)
是一个晶体管相比，在相同封装内的其它晶体管的比率。小
FE
用作分子。
6. V
BE(1)
V
BE(2)
是一个晶体管的绝对差值相比较同一个包中的其他晶体管。
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3
NSS40301MDR2G
典型特征
0.16
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.001
0.01
0.1
1
I
C
/I
B
= 10
0.30
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
I
C
/I
B
= 100
0.25
150°C
0.20
0.15
0.10
0.05
0
25°C
55°C
25°C
150°C
55°C
10
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图1.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
700
600 150C （ 2.0 V）
500
400
300
150 ° C（ 5.0 V）
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射
饱和电压（ V）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
图2.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
55°C
25°C
25 ° C（ 5.0 V）
25C （ 2.0 V）
55°C
(5.0 V)
150°C
200
55°C
(2.0 V)
100
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图3.直流电流增益与集电极
当前
1.0
V
BE（上）
，基极发射极导通
电压（V）的
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.001
0.01
0.1
1
150°C
V
CE
= +2.0 V
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
电压（V）的
55°C
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
图4.基极发射极饱和电压与
集电极电流
百毫安
1A
2A
3A
25°C
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
b
，基极电流（ A）
图5.基极发射极导通电压与
集电极电流
图6.饱和区
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4
NSS40301MDR2G
典型特征
400
C
IBO
，输入电容（ pF）的
375
350
325
300
275
250
225
200
175
150
C
IBO
（PF ）
C
敖包
，输出电容（ pF）的
80
70
60
50
40
30
20
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
敖包
（PF ）
0
1
2
3
4
5
6
V
EB
极，发射极 - 基极电压（V ）
V
cb
，集电极 - 基极电压（ V）
图7.输入电容
10
1s
1.0
图8.输出电容
1毫秒
10毫秒
100毫秒
I
C
(A)
0.1
热限制
0.01
在T单脉冲测试
A
= 25°C
0.01
0.1
1.0
V
CE
(V
dc
)
10
100
0.001
图9.安全工作区
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5
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NC7ST32P5X
N21464-10
NJU503C
N3764-5202RB
NCP3101C
NRS335M35
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NX25P40
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